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具有场板结构GaN HEMT电场分布解析模型 被引量:1
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作者 杜江锋 赵金霞 +4 位作者 伍捷 杨月寒 武鹏 靳翀 陈卫 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期297-300,共4页
基于具有场板结构GaN HEMT器件物理和基本器件方程,导出了器件加场板前后表面电场分布和峰值电场解析模型。当场板长度LFP与绝缘层厚度tox最优时,GaN HEMT栅极边缘电场峰值可降低至未加场板时的22%;若保持峰值电场恒定,则其漏端电压可... 基于具有场板结构GaN HEMT器件物理和基本器件方程,导出了器件加场板前后表面电场分布和峰值电场解析模型。当场板长度LFP与绝缘层厚度tox最优时,GaN HEMT栅极边缘电场峰值可降低至未加场板时的22%;若保持峰值电场恒定,则其漏端电压可由没有场板时的50V提高到加场板后的225V,增幅高出4倍。该解析模型所导出的电场分布与国外新近发表的源于器件方程和经验公式的模拟和实验结果基本吻合,为GaN HEMT器件场板设计提供了理论依据。 展开更多
关键词 解析模型 击穿电压 电场分布 场板 GAN
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MEMS可变电容的研究现状及进展 被引量:3
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作者 李玲玉 童富 +2 位作者 杨月寒 赵建明 刘海文 《微纳电子技术》 CAS 2008年第5期287-292,共6页
介绍了微机电系统(MEMS)技术以及MEMS可变电容器,基于MEMS的可变电容具有高Q值、低损耗、宽调节范围和低噪声等优点,阐述了MEMS可变电容器设计的基本原理,列举了现有的几种典型结构模型。通过指定频率下Q值及调谐范围的具体数值,比较不... 介绍了微机电系统(MEMS)技术以及MEMS可变电容器,基于MEMS的可变电容具有高Q值、低损耗、宽调节范围和低噪声等优点,阐述了MEMS可变电容器设计的基本原理,列举了现有的几种典型结构模型。通过指定频率下Q值及调谐范围的具体数值,比较不同结构的MEMS可变电容的特点,展望了MEMS可变电容的发展并得出结论。 展开更多
关键词 平行板可变电容 面积调谐可变电容 微机电系统(MEMS) Q值 调谐范围 射频
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微波MEMS滤波器的研究进展 被引量:6
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作者 李文明 李骁骅 +3 位作者 杨月寒 刘海文 杨谟华 于奇 《空间电子技术》 2010年第1期90-95,共6页
文章介绍了应用于射频微波系统的MEMS滤波器,结合最近几年国内外的MEMS滤波器研究成果,从MEMS滤波器的设计方法和滤波器性能等方面阐述了各种MEMS滤波器的技术发展状态。
关键词 微机电系统 微波滤波器 单片微波集成电路
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