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具有场板结构GaN HEMT电场分布解析模型
被引量:
1
1
作者
杜江锋
赵金霞
+4 位作者
伍捷
杨月寒
武鹏
靳翀
陈卫
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期297-300,共4页
基于具有场板结构GaN HEMT器件物理和基本器件方程,导出了器件加场板前后表面电场分布和峰值电场解析模型。当场板长度LFP与绝缘层厚度tox最优时,GaN HEMT栅极边缘电场峰值可降低至未加场板时的22%;若保持峰值电场恒定,则其漏端电压可...
基于具有场板结构GaN HEMT器件物理和基本器件方程,导出了器件加场板前后表面电场分布和峰值电场解析模型。当场板长度LFP与绝缘层厚度tox最优时,GaN HEMT栅极边缘电场峰值可降低至未加场板时的22%;若保持峰值电场恒定,则其漏端电压可由没有场板时的50V提高到加场板后的225V,增幅高出4倍。该解析模型所导出的电场分布与国外新近发表的源于器件方程和经验公式的模拟和实验结果基本吻合,为GaN HEMT器件场板设计提供了理论依据。
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关键词
解析模型
击穿电压
电场分布
场板
GAN
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职称材料
MEMS可变电容的研究现状及进展
被引量:
3
2
作者
李玲玉
童富
+2 位作者
杨月寒
赵建明
刘海文
《微纳电子技术》
CAS
2008年第5期287-292,共6页
介绍了微机电系统(MEMS)技术以及MEMS可变电容器,基于MEMS的可变电容具有高Q值、低损耗、宽调节范围和低噪声等优点,阐述了MEMS可变电容器设计的基本原理,列举了现有的几种典型结构模型。通过指定频率下Q值及调谐范围的具体数值,比较不...
介绍了微机电系统(MEMS)技术以及MEMS可变电容器,基于MEMS的可变电容具有高Q值、低损耗、宽调节范围和低噪声等优点,阐述了MEMS可变电容器设计的基本原理,列举了现有的几种典型结构模型。通过指定频率下Q值及调谐范围的具体数值,比较不同结构的MEMS可变电容的特点,展望了MEMS可变电容的发展并得出结论。
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关键词
平行板可变电容
面积调谐可变电容
微机电系统(MEMS)
Q值
调谐范围
射频
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职称材料
微波MEMS滤波器的研究进展
被引量:
6
3
作者
李文明
李骁骅
+3 位作者
杨月寒
刘海文
杨谟华
于奇
《空间电子技术》
2010年第1期90-95,共6页
文章介绍了应用于射频微波系统的MEMS滤波器,结合最近几年国内外的MEMS滤波器研究成果,从MEMS滤波器的设计方法和滤波器性能等方面阐述了各种MEMS滤波器的技术发展状态。
关键词
微机电系统
微波滤波器
单片微波集成电路
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职称材料
题名
具有场板结构GaN HEMT电场分布解析模型
被引量:
1
1
作者
杜江锋
赵金霞
伍捷
杨月寒
武鹏
靳翀
陈卫
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期297-300,共4页
基金
国家自然科学基金(6140449)
文摘
基于具有场板结构GaN HEMT器件物理和基本器件方程,导出了器件加场板前后表面电场分布和峰值电场解析模型。当场板长度LFP与绝缘层厚度tox最优时,GaN HEMT栅极边缘电场峰值可降低至未加场板时的22%;若保持峰值电场恒定,则其漏端电压可由没有场板时的50V提高到加场板后的225V,增幅高出4倍。该解析模型所导出的电场分布与国外新近发表的源于器件方程和经验公式的模拟和实验结果基本吻合,为GaN HEMT器件场板设计提供了理论依据。
关键词
解析模型
击穿电压
电场分布
场板
GAN
Keywords
analytic model
breakdown voltage
electric field distribution
field plate
GaN
分类号
N304.23 [自然科学总论]
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职称材料
题名
MEMS可变电容的研究现状及进展
被引量:
3
2
作者
李玲玉
童富
杨月寒
赵建明
刘海文
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室
出处
《微纳电子技术》
CAS
2008年第5期287-292,共6页
文摘
介绍了微机电系统(MEMS)技术以及MEMS可变电容器,基于MEMS的可变电容具有高Q值、低损耗、宽调节范围和低噪声等优点,阐述了MEMS可变电容器设计的基本原理,列举了现有的几种典型结构模型。通过指定频率下Q值及调谐范围的具体数值,比较不同结构的MEMS可变电容的特点,展望了MEMS可变电容的发展并得出结论。
关键词
平行板可变电容
面积调谐可变电容
微机电系统(MEMS)
Q值
调谐范围
射频
Keywords
parallel plate variable capacitor
area tuning variable capacitor
microelectromechanical system (MEMS)
quality factor
tuning range
radio frequency (RF)
分类号
TH703 [机械工程—精密仪器及机械]
TM532.5 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
微波MEMS滤波器的研究进展
被引量:
6
3
作者
李文明
李骁骅
杨月寒
刘海文
杨谟华
于奇
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室
出处
《空间电子技术》
2010年第1期90-95,共6页
文摘
文章介绍了应用于射频微波系统的MEMS滤波器,结合最近几年国内外的MEMS滤波器研究成果,从MEMS滤波器的设计方法和滤波器性能等方面阐述了各种MEMS滤波器的技术发展状态。
关键词
微机电系统
微波滤波器
单片微波集成电路
Keywords
MEMS Microwave filter MMIC
分类号
TN925 [电子电信—通信与信息系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
具有场板结构GaN HEMT电场分布解析模型
杜江锋
赵金霞
伍捷
杨月寒
武鹏
靳翀
陈卫
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
在线阅读
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职称材料
2
MEMS可变电容的研究现状及进展
李玲玉
童富
杨月寒
赵建明
刘海文
《微纳电子技术》
CAS
2008
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
微波MEMS滤波器的研究进展
李文明
李骁骅
杨月寒
刘海文
杨谟华
于奇
《空间电子技术》
2010
6
在线阅读
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职称材料
已选择
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参考文献
引证文献
统计分析
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