通过分析HEMT器件低温特性以及低温低噪声放大器的应用特点,重点阐述了器件选择、电路拓扑结构对电路稳定性的影响,以及稳定性设计对于电路匹配设计的重要性,并提出了VHF/UHF频段宽带低温LNA的设计思路。以设计实例为基础,给出了改善电...通过分析HEMT器件低温特性以及低温低噪声放大器的应用特点,重点阐述了器件选择、电路拓扑结构对电路稳定性的影响,以及稳定性设计对于电路匹配设计的重要性,并提出了VHF/UHF频段宽带低温LNA的设计思路。以设计实例为基础,给出了改善电路稳定性、有利于驻波、噪声匹配的设计方法,低温LNA的测试结果(相对带宽≥90%、噪声系数≤0.3 d B@77 K、反射损耗≤-18 d B)和应用效果表明,文中的技术能够有效地指导设计与研制,具有较大的参考意义。展开更多
文摘通过分析HEMT器件低温特性以及低温低噪声放大器的应用特点,重点阐述了器件选择、电路拓扑结构对电路稳定性的影响,以及稳定性设计对于电路匹配设计的重要性,并提出了VHF/UHF频段宽带低温LNA的设计思路。以设计实例为基础,给出了改善电路稳定性、有利于驻波、噪声匹配的设计方法,低温LNA的测试结果(相对带宽≥90%、噪声系数≤0.3 d B@77 K、反射损耗≤-18 d B)和应用效果表明,文中的技术能够有效地指导设计与研制,具有较大的参考意义。
