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β-Ga_(2)O_(3)的变形机理以及单晶衬底的机械加工技术研究进展
1
作者 杨冉 金竹 +3 位作者 马可可 夏宁 张辉 杨德仁 《中国材料进展》 北大核心 2025年第2期199-208,共10页
β-Ga_(2)O_(3)是超宽禁带半导体的代表性材料之一,在电子器件、深紫外光电子器件等方面有广泛的应用前景。β-Ga_(2)O_(3)的力学性能在生长、衬底片加工以及器件制备过程中都有重要的影响。综述了β-Ga_(2)O_(3)低温和高温的变形机理,... β-Ga_(2)O_(3)是超宽禁带半导体的代表性材料之一,在电子器件、深紫外光电子器件等方面有广泛的应用前景。β-Ga_(2)O_(3)的力学性能在生长、衬底片加工以及器件制备过程中都有重要的影响。综述了β-Ga_(2)O_(3)低温和高温的变形机理,包括主导塑性变形的位错的滑移系和解理断裂机制的总结分析,旨在全面认识β-Ga_(2)O_(3)的变形行为和机理,为其制备、加工和应用过程中遇到的变形相关问题给出指导;针对β-Ga_(2)O_(3)衬底片的加工过程,对切割、研磨和抛光过程中涉及到的变形机理和工艺探索进行了详细介绍,讨论了加工过程中主要存在的问题以及解决问题的方向。 展开更多
关键词 氧化镓单晶 力学性能 变形机理 机械加工
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基于硅/二维层状材料异质结的红外光电探测器研究进展 被引量：1
2
作者 贺亦菲 杨德仁 皮孝东 《材料导报》 EI CSCD 北大核心 2024年第1期1-9,共9页
红外光是一种频率介于微波和可见光范围之间的电磁波,在光通信、人工智能、医用治疗、军事探测和航空航天等领域具有广泛的应用。硅的带隙为1.12 eV,导致硅基光电探测器的截止波长短(约1.1 mm)。近年来,研究发现了新型二维层状材料,它... 红外光是一种频率介于微波和可见光范围之间的电磁波,在光通信、人工智能、医用治疗、军事探测和航空航天等领域具有广泛的应用。硅的带隙为1.12 eV,导致硅基光电探测器的截止波长短(约1.1 mm)。近年来,研究发现了新型二维层状材料,它们具有带隙可调、载流子迁移率高、光谱响应宽、暗电流低、稳定性高以及制备工艺与互补金属氧化物半导体(Complementary metal oxide semiconductor, CMOS)工艺兼容等诸多优点,引起了研究人员的广泛关注。通过将硅与二维层状材料结合,能够有效地将硅基光电探测器的探测波段向波长超过1.1 mm的红外光波段拓展。本文着重介绍了近年来可探测波长超过传统硅光电探测器的基于硅/二维层状材料异质结的光电探测器在近红外和中红外光波段的研究进展并展望了其发展前景。 展开更多
关键词 硅 二维层状材料 异质结 红外光电探测器
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碳化硅单晶加工对晶片表面质量的影响
3
作者 张序清 刘晓双 +6 位作者 张玺 朱如忠 高煜 吴琛 王蓉 杨德仁 皮孝东 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期9-13,共5页
碳化硅(4H-SiC)晶片加工是制备高品质衬底晶圆的关键工艺,衬底晶圆的表面质量直接影响外延薄膜以及后续器件的性能。本研究通过对4H-SiC晶片经线切割、磨削、研磨、抛光等不同加工工序后对应的表面形貌、粗糙度、机械性质和晶体质量的分... 碳化硅(4H-SiC)晶片加工是制备高品质衬底晶圆的关键工艺,衬底晶圆的表面质量直接影响外延薄膜以及后续器件的性能。本研究通过对4H-SiC晶片经线切割、磨削、研磨、抛光等不同加工工序后对应的表面形貌、粗糙度、机械性质和晶体质量的分析,发现晶片加工通过逐步去除线切割引入的表面损伤层,提高了晶片表面质量。4H-SiC晶片C面和Si面机械性质存在各向异性,C面材料韧性相对较差,加工过程中发生脆性断裂的程度更大,导致C面材料去除速率较快,表面形貌和粗糙度相对较差。 展开更多
关键词 碳化硅 晶片加工 表面质量 各向异性
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铝铒共掺氧化锌薄膜中氧含量对铒离子发光的影响
4
作者 王源 杨德仁 李东升 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期173-178,共6页
研究在不同氧气含量条件下通过磁控溅射沉积的铝铒共掺氧化锌薄膜及电致发光器件的光电性能。实验发现氧气含量的提高有利于增强Er^(3+)离子的光学活性并降低薄膜中电子陷阱的浓度。另外,由于沉积过程中溅射出的粒子与氧气碰撞导致能量... 研究在不同氧气含量条件下通过磁控溅射沉积的铝铒共掺氧化锌薄膜及电致发光器件的光电性能。实验发现氧气含量的提高有利于增强Er^(3+)离子的光学活性并降低薄膜中电子陷阱的浓度。另外,由于沉积过程中溅射出的粒子与氧气碰撞导致能量损失,高氧气含量会引起薄膜结晶性下降。在电致发光中,由于氧填充了作为施主的氧空位,强烈依赖于多子浓度的npn异质结器件在纯氩条件下才能获得最强的电致发光。 展开更多
关键词 铝铒共掺氧化锌 溅射气氛 电致发光 氧空位
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深亚微米集成电路用硅单晶材料 被引量：3
5
作者 杨德仁 阙端麟 《材料导报》 EI CAS CSCD 2002年第2期1-4,71,共5页
由于经济和技术的发展,深亚微米集成电路要求硅单晶材料向大直径和无(少)缺陷方向发展。综述了深亚微米集成电路用硅单晶材料的研究和发展,指出对于已开始应用的300毫米硅单晶而言,磁场拉晶、计算机模拟、线切割、双面抛光等工艺成为大... 由于经济和技术的发展,深亚微米集成电路要求硅单晶材料向大直径和无(少)缺陷方向发展。综述了深亚微米集成电路用硅单晶材料的研究和发展,指出对于已开始应用的300毫米硅单晶而言,磁场拉晶、计算机模拟、线切割、双面抛光等工艺成为大直径硅单晶研制的重要特征;利用晶体生长速率和固液界面的温度梯度的设计,硅单晶中的自间隙硅原子、空位以及相关的微缺陷可以被控制;通过快速热处理,引入和控制空位,进而控制氧沉淀的新型内吸杂技术,可以制备高质量的表面清洁区;利用氮杂质掺杂,可以抑制硅单晶中VOID缺陷和增加硅片的机械强度。最后,还讨论了硅单晶材料的今后的研究方向和趋势。 展开更多
关键词 集成电路 缺陷 金属杂质 半导体材料 氮 掺杂 控制技术 硅单晶
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《半导体材料》课程改革 被引量：2
6
作者 杨德仁 陈鹏 皮孝东 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期108-109,118,共3页
根据《半导体材料》课程的自身特点,对该课程在教学内容、教学形式和教学考核上进行了综合改革。改革目的在于探索培养高素质半导体材料人才的教学方法,提升学生的自我学习能力、资料收集和整合能力以及在半导体材料领域的创新能力。
关键词 半导体材 料教学改革 教学考核
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氮气氛下直拉硅单晶的杂质控制 被引量：1
7
作者 杨德仁 李立本 +2 位作者 林玉瓶 姚鸿年 阙端麟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第1期58-61,共4页
通过改变埚转、氮气流量及多晶熔化时间等拉晶参数,便能简单而有效地控制其氧碳氮杂质,并在实际生产中运用获得成功。
关键词 氮气 流量 硅单晶 控制 杂质控制
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硅晶片切割损伤层微观应力的研究 被引量：6
8
作者 杨德仁 樊瑞新 姚鸿年 《材料科学与工程》 CSCD 1994年第3期33-37,共5页
作者利用双晶Ｘ射线衍射技术，研究了不同切割速率下硅晶片的切割损伤。实验得出切割速率不影响损伤层的厚度，但影响损伤层内的微观应力，在一定范围内，切割速率越大，损伤层的微观应力越小，并运用Ｖｏｉｇｔ函数分析法，分析了硅晶... 作者利用双晶Ｘ射线衍射技术，研究了不同切割速率下硅晶片的切割损伤。实验得出切割速率不影响损伤层的厚度，但影响损伤层内的微观应力，在一定范围内，切割速率越大，损伤层的微观应力越小，并运用Ｖｏｉｇｔ函数分析法，分析了硅晶片切割层的微观应力。 展开更多
关键词 硅单晶 机械损伤 微观应力
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应用高通量测序技术检测甲状腺乳头状癌相关基因变异 被引量：2
9
作者 杨德仁 王卓 马蓉 《临床检验杂志》 CAS 2020年第12期891-893,913,共4页
目的探讨高通量测序技术(next generation sequencing,NGS)在甲状腺乳头状癌(papillary thyroid cancer,PTC)相关的15个靶基因变异检测中的应用价值。方法收集2019年1月至2020年6月就诊的188例PTC患者手术切除的癌组织石蜡包埋标本,采用... 目的探讨高通量测序技术(next generation sequencing,NGS)在甲状腺乳头状癌(papillary thyroid cancer,PTC)相关的15个靶基因变异检测中的应用价值。方法收集2019年1月至2020年6月就诊的188例PTC患者手术切除的癌组织石蜡包埋标本,采用NGS技术检测其中15个目标基因;利用GATK 4.0.2.0、VarScan.v2.3.9和Factera 1.4.4软件分析基因变异的特点。结果共计80.32%(151/188)的标本检出突变。其中74.47%(140/188)的标本检出1个点突变或基因融合突变,5.32%(10/188)的标本同时检出2个点突变,0.53%(1/188)的标本同时检出3个点突变。151例突变标本中共检出点突变及基因融合突变163个,其中BRAF基因检出率最高。在所有双突变的标本中,2个不同突变等位基因突变丰度基本一致。在3个基因同时发生突变的标本中,TERT和NRAS基因等位基因突变丰度基本一致,而TP53基因等位基因突变丰度显著低于其他2个基因。PTC患者基因突变与性别(χ^2=0.585,P>0.05)、年龄(χ^2=0.575,P>0.05)及临床分期(χ^2=0.711,P>0.05)均无关。结论NGS技术检测PTC相关基因突变位点具有经济、效率高和可定量的优势,可为患者的诊断、预后和个体化治疗提供依据。 展开更多
关键词 高通量测序技术 基因突变 甲状腺乳头状癌
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硅材料的吸杂研究 被引量：5
10
作者 杨德仁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第4期53-56,共4页
本文综述了硅材料中吸杂技术和吸杂机理,硅中氧碳氮杂质和氧沉淀对吸杂的影响和作用等研究的新进展,并就硅材料吸杂中存在的问题作了评述。
关键词 硅片 吸杂技术 集成电路
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硅材料中氮的性质和研究 被引量：2
11
作者 杨德仁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期47-50,64,共5页
氮在硅材料中的应用日渐广泛,影响也日渐重要,本文在论述晶体硅中氮的基本性质的同时,综述了近年来氮在硅中的存在形态,氮对硅机械强度的影响以及和氧原子的互相作用等方面的研究成果,并指出了研究中仍然存在的一些问题。
关键词 硅材料 氮 晶体硅 机械强度 半导体
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试论面向虚拟项目的IT人才培养模式 被引量：1
12
作者 杨德仁 马竟先 《黑龙江科技信息》 2009年第36期342-342,共1页
高校计算机相关专业本科教育受到不断变化的社会需要的严峻挑战。根据该专业公共核心知识体系与课程和内涵建设需求,分析了现行培养方案及其模式,提出了面向虚拟项目的培养模式及其实施步骤,分析了实施新模式的关键点;这种模式是一种有... 高校计算机相关专业本科教育受到不断变化的社会需要的严峻挑战。根据该专业公共核心知识体系与课程和内涵建设需求,分析了现行培养方案及其模式,提出了面向虚拟项目的培养模式及其实施步骤,分析了实施新模式的关键点;这种模式是一种有益创新,以求克服现有培养模式的不足。 展开更多
关键词 计算机 信息技术(IT) 本科教育 虚拟项目 培养模式
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硅晶体中热施主研究 被引量：2
13
作者 杨德仁 《材料科学与工程》 CSCD 1993年第4期33-37,共5页
本文综述了直拉(CZ)硅单晶中与氧杂质有关的热施主现象的研究,阐述了硅中热施主的基本性质、基本理论、近期研究进展以及主要研究方向。
关键词 热施主 硅 单晶
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AFP 与 DNA 倍体检测对肝细胞癌的预后意义
14
作者 杨德仁 周振英 +3 位作者 张庭卿 张军妮 朱月清 张仁希 《临床检验杂志》 CAS CSCD 北大核心 1997年第3期182-183,共2页
ＡＦＰ与ＤＮＡ倍体检测对肝细胞癌的预后意义杨德仁周振英张庭卿张军妮朱月清张仁希（江苏省肿瘤医院，南京２１０００９）关键词肝细胞癌甲胎蛋白细胞ＤＮＡ流式细胞术预后我们对４８例肝细胞癌患者血清ＡＦＰ和癌细胞ＤＮＡ倍体进行... ＡＦＰ与ＤＮＡ倍体检测对肝细胞癌的预后意义杨德仁周振英张庭卿张军妮朱月清张仁希（江苏省肿瘤医院，南京２１０００９）关键词肝细胞癌甲胎蛋白细胞ＤＮＡ流式细胞术预后我们对４８例肝细胞癌患者血清ＡＦＰ和癌细胞ＤＮＡ倍体进行了同步检测，并把检测结果作为判断预... 展开更多
关键词 肝细胞癌 甲胎蛋白 细胞DNA 流式细胞术 预后
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硅中氧沉淀的研究 被引量：1
15
作者 杨德仁 《材料科学与工程》 CSCD 1990年第2期13-19,共7页
随着大规模集成电路的发展,氧沉淀对硅片的机械性能和器件的电学性能,有着越来越重要的影响。本文就氧沉淀的影响因素,沉淀的数目、速率、形态、形核和长大机理,碳及其它杂质原子对氧沉淀的作用等方面的研究近况作一综合介绍。
关键词 氧沉淀 硅片 单晶硅
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唾液EB病毒－IgA的检测
16
作者 杨德仁 胡妍 张庭卿 《临床检验杂志》 CAS CSCD 北大核心 1995年第S1期28-28,共1页
唾液ＥＢ病毒－ＩｇＡ的检测杨德仁，胡妍，张庭卿（江苏省肿瘤医院检验科，南京２１０００９）ＥＢ病毒是否是鼻咽癌的病因虽尚末肯定，但两者在血清学方面的关系是非学密切的。与ＥＢ病毒相关的抗原有病毒衣壳抗原（ＶＣＡ）、病毒诱... 唾液ＥＢ病毒－ＩｇＡ的检测杨德仁，胡妍，张庭卿（江苏省肿瘤医院检验科，南京２１０００９）ＥＢ病毒是否是鼻咽癌的病因虽尚末肯定，但两者在血清学方面的关系是非学密切的。与ＥＢ病毒相关的抗原有病毒衣壳抗原（ＶＣＡ）、病毒诱导的膜抗原（ＭＡ）、病毒的早期抗原... 展开更多
关键词 EB病毒 鼻咽癌 唾液 省肿瘤医院 免疫酶法 放疗后 辅助诊断 检测方法 统计学处理 生物制品研究所
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硅片中金属镍的沉淀和稳定
17
作者 杨德仁 《材料科学与工程》 CSCD 1998年第1期57-59,共3页
金属镍是大规模集成电路中常被发现的杂质，它的沉淀严重影响着集成电路的性能。本文阐述了在集成电路工艺中镍沾污的可能途径，镍在硅中的基本性质，说明了镍的沉淀性质和与硅材料扩散长度的关系，也说明了镍沉淀的稳定性。
关键词 杂质 镍 硅片 沉淀 稳定性 集成电路
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测量单晶硅片晶面弯曲的X射线方法
18
作者 杨德仁 姚鸿年 《浙江大学学报（自然科学版）》 CSCD 1990年第4期608-613,共6页
本文将单晶硅片的弯曲分成硅片整体弯曲和晶面弯曲两种情况,利用X射线多晶衍射仪和单晶体的结构特性,提出通过确定晶体表面和衍射晶面的法向偏差角来测量晶面弯曲的一种新方法。对(111)硅单晶片的测试表明,将此种方法和其它描述硅片弯... 本文将单晶硅片的弯曲分成硅片整体弯曲和晶面弯曲两种情况,利用X射线多晶衍射仪和单晶体的结构特性,提出通过确定晶体表面和衍射晶面的法向偏差角来测量晶面弯曲的一种新方法。对(111)硅单晶片的测试表明,将此种方法和其它描述硅片弯曲的方法结合起来,可以成为研究硅片弯曲的有效工具之一。 展开更多
关键词 单晶硅 晶面弯曲 测量 X射线法
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硅晶体中新施主研究
19
作者 杨德仁 《材料科学与工程》 CSCD 1994年第1期13-17,共5页
本文阐述了硅晶体中新施主的产生和影响，着重总结了新施主的基本性质，基本模型和近年来的研究进展。
关键词 新施主 硅 硅晶体
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掺氮直拉硅单晶的研究和应用
20
作者 杨德仁 阙端麟 《中国集成电路》 2004年第3期28-31,共4页
掺氮直拉硅单晶是最早由我国实现产业化并系统研究的集成电路用基础材料,它具有容易消除微缺陷,低成本制备高质量内吸杂洁净区和增加机械强度等优点,这对大直径的现代集成电路用硅片尤其重要。经过10多年的研究和开发,掺氮直拉硅单晶的... 掺氮直拉硅单晶是最早由我国实现产业化并系统研究的集成电路用基础材料,它具有容易消除微缺陷,低成本制备高质量内吸杂洁净区和增加机械强度等优点,这对大直径的现代集成电路用硅片尤其重要。经过10多年的研究和开发,掺氮直拉硅单晶的优越性能逐渐被国际硅产业界和集成电路产业界所接受,目前已经在国际硅工业界相当广泛地使用。 展开更多
关键词 掺氮直拉硅单晶 集成电路 微缺陷 硅中氮 机械强度
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