砷化镓功率场效应管早期烧毁的失效分析 被引量：2

1

作者 杨得全 袁泽亮 +1 位作者 叶青山 范垂祯 《中国空间科学技术》 CSCD 北大核心 1994年第1期52-57,45,共7页

采用扫描俄歇微探针、扫描电子显微镜、电子探针微区分析仪和Ｘ射线透射仪等多种分析手段分析了一种Ｃ波段砷化镓功率场效应管早期烧毁失效的现象。初步建立了烧毁失效的模式，给出了相应的失效频数分布及其表面形貌状态。分析结果指出... 采用扫描俄歇微探针、扫描电子显微镜、电子探针微区分析仪和Ｘ射线透射仪等多种分析手段分析了一种Ｃ波段砷化镓功率场效应管早期烧毁失效的现象。初步建立了烧毁失效的模式，给出了相应的失效频数分布及其表面形貌状态。分析结果指出，烧毁失效模式中源一漏烧毁占较大的比例；其次是由于材料及器件制备工艺过程不完善而引起的空气桥烧毁，热斑烧毁，源或漏极条边缘毛刺、芯片表面缺陷、沾污和不可动多余物引起的烧毁失效。文章就烧毁失效的机理进行了分析和讨论。 展开更多

关键词 砷化镓 场效应晶体管 烧毁 失效机理 分析.

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金属硅化物的离子溅射修正 被引量：2

2

作者 杨得全 张韶红 范垂祯 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1991年第1期45-51,共7页

低能离子溅射金属硅化物是制备半导体器件的重要工艺过程。本文总结了文献报道的Cr-Si、Mo-Si、V-Si、Ti-Si、Co-Si和Cu-Si金属硅化物经低能惰性离子轰击后表面成分变化的一些实验现象,用我们提出的理论修正模型计算了离子溅射修正因子... 低能离子溅射金属硅化物是制备半导体器件的重要工艺过程。本文总结了文献报道的Cr-Si、Mo-Si、V-Si、Ti-Si、Co-Si和Cu-Si金属硅化物经低能惰性离子轰击后表面成分变化的一些实验现象,用我们提出的理论修正模型计算了离子溅射修正因子,发现得到的理论修正关系能够较好的解释全部实验结果。此外,用本文的理论修正关系讨论了影响离子溅射修正因子的一些因素,给出了溅射修正因子随原子表面升华能的变化曲线,可望用于金属硅化物离子溅射的定量修正。 展开更多

关键词 修正因子 硅化物 半导体器件 离子轰击 表面偏析 俄歇电子谱 工艺过程 升华热 文献报道 离子辐照

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一种高灵敏度无水肼气体传感器 被引量：1

3

作者 杨得全 王润福 +4 位作者 谢舒平 郭云 范垂祯 王海军 力虎林 《中国空间科学技术》 EI CSCD 北大核心 1997年第1期41-45,共5页

采用Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｔｇｅｔ（ＬＢ）技术在Ａｌ平面电极上沉积制备了一种有机络合物ＬＢ膜。测试结果说明，这种敏感膜对无水肼（Ｎ２Ｈ４）气体在室温环境下具有很高的探测灵敏度：对无水肼在空气中的探测极限优于５×... 采用Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｔｇｅｔ（ＬＢ）技术在Ａｌ平面电极上沉积制备了一种有机络合物ＬＢ膜。测试结果说明，这种敏感膜对无水肼（Ｎ２Ｈ４）气体在室温环境下具有很高的探测灵敏度：对无水肼在空气中的探测极限优于５×１０－７，其响应时间和恢复时间均不大于１０ｓ。这种高灵敏度敏感薄膜可用于制备便携式Ｎ２Ｈ４气体监测装置。 展开更多

关键词 肼 漏泄 敏感器 LB膜 传感器 卫星 推进剂

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覆氧或氧离子轰击下固体表面二次正离子发射的研究 被引量：1

4

作者 杨得全 范垂祯 《分析测试学报》 CAS CSCD 1994年第6期7-12,共6页

通过对离子轰击下固体表面电离过程重新考虑认为，在固体表面覆氧或氧离子轰击下除表面原子的直接电离外，激发态双原子间电子交换和断键亦起重要作用。在此基础上修正了局部热力学平衡模型，得到了一个包含各类离子内配分函数、电离能... 通过对离子轰击下固体表面电离过程重新考虑认为，在固体表面覆氧或氧离子轰击下除表面原子的直接电离外，激发态双原子间电子交换和断键亦起重要作用。在此基础上修正了局部热力学平衡模型，得到了一个包含各类离子内配分函数、电离能、金属－氧原子键断键能以及表面金属原子与氧原子结合份数等参数决定的新电离几率分析表达式。应用该分析表达式解释了金属表面覆氧、氧离子轰击金属、化合物半导体表面二次离子发射中氧增强效应、充氧量对二次离子发射的影响及其基体效应等实验现象。并由此得到了元素相对灵敏度因子的分析表达式，对化合物半导体及一些陶瓷材料表面二次离子质谱分析中元素灵敏度因子随元素电离能变化曲线给予了相应的物理解释。 展开更多

关键词 固体表面 二次正离子发射 氧离子 轰击

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半导体材料二次离子质谱定量分析中的基体效应 被引量：1

5

作者 杨得全 范垂祯 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 1997年第4期239-242,共4页

通过对Wilson等人由实验得出的Si，Ge，GaAs，GaP，InP，CdHgTe半导体和SiO2，Si3N4等绝缘基体中70多种注入元素相对灵敏度因子（RSF）值的综合分析，定义logFRS－Ii直线斜率为基体效应因子。发现基体效应因子值随基体平均原子序数的增... 通过对Wilson等人由实验得出的Si，Ge，GaAs，GaP，InP，CdHgTe半导体和SiO2，Si3N4等绝缘基体中70多种注入元素相对灵敏度因子（RSF）值的综合分析，定义logFRS－Ii直线斜率为基体效应因子。发现基体效应因子值随基体平均原子序数的增加而增大，随基体平均电负性值的增大而减小，随基体氧化物生成热的增加而减小。应用本文提出的二次正离子发射理论分析式较好地解释了这些实验现象，并对影响基体效应的其他因素进行了进一步的讨论。 展开更多

关键词 SIMS 定量分析 基体效应 半导体材料

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基体效应对二次离子质谱相对灵敏度因子影响的研究 被引量：1

6

作者 杨得全 范垂祯 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1998年第A12期173-176,共4页

众所周知，二次离子质谱定量分析的最大困难之一就是其体效应的影响。由于二次离子质谱发射机理较为复杂，从理论上描述和分析基体效应仍有较大难度。本文基于对不同基人本中相对灵敏度因子值的分析，提出了一种描述基体效应的物理量－... 众所周知，二次离子质谱定量分析的最大困难之一就是其体效应的影响。由于二次离子质谱发射机理较为复杂，从理论上描述和分析基体效应仍有较大难度。本文基于对不同基人本中相对灵敏度因子值的分析，提出了一种描述基体效应的物理量－基体效应因子。分析结果说明，在Ｏ２＾＋离子入射下，基体效应因子与基体的平均原子序数、平均电负性及其基体元素的氧化物平均生成热之间的密切的关系。依据作者曾提出的“结合断键－局域热平衡” 展开更多

关键词 二次离子质谱 基体效应 相对灵敏度因子 SIMS

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平面电极LB膜气体传感器的响应特性 被引量：1

7

作者 杨得全 范垂祯 《传感器技术》 CSCD 1997年第4期17-20,共4页

讨论了典型的平面叉指电极Langmuir-Blodgett（LB）膜气体传感器的气体响应特性，分析了影响气体响应特性的主要因素．分析计算结果指出，对于给定大小的基片，在工艺许可的条件下，可减小电极间距来增大测量电流．

关键词 气体传感器 LB薄膜 响应特性

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碲镉汞红外材料与器件的空间应用

8

作者 杨得全 陈隆智 范垂祯 《中国空间科学技术》 CSCD 北大核心 1996年第1期32-39,共8页

碲镉汞（ＭＣＴ）是一种十分重要的红外半导体材料，近十几年来，由于国防工业和遥感技术发展的需要，碲镉汞红外探测器的独特性能获得了迅速的发展和广泛的应用。简要讨论了碲镉汞红外器件和材料的发展和进展情况；论述了碲镉汞红外器... 碲镉汞（ＭＣＴ）是一种十分重要的红外半导体材料，近十几年来，由于国防工业和遥感技术发展的需要，碲镉汞红外探测器的独特性能获得了迅速的发展和广泛的应用。简要讨论了碲镉汞红外器件和材料的发展和进展情况；论述了碲镉汞红外器件在空间的应用，主要包括卫星侦察、目标跟踪、地球资源勘探、环境监测和防护、气象预报、宇宙空间观察等；此外还讨论了空间技术发展和遥感技术发展对碲镉汞红外探测器和材料提出的一些新的要求，提出了相应的建议和对策。 展开更多

关键词 红外设备 半导体材料 空间利用 HGCDTE

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扫描辐射计内光路反射镜中SiO_2/Ag薄膜系统的失效分析

9

作者 杨得全 范垂祯 《中国空间科学技术》 EI CSCD 北大核心 1992年第3期60-63,共4页

SiO_2/Ag薄膜系统是扫描辐射计内光路反射镜的主要组成部分。采用高分辨扫描俄歇微探针(SAM)和扫描电镜分析对SiO_2/Ag 薄膜系统失效进行了较为全面的分析研究。通过扫描电镜观察发现,失效的反射镜表面SiO_2薄膜上存在大量析出物,借助于... SiO_2/Ag薄膜系统是扫描辐射计内光路反射镜的主要组成部分。采用高分辨扫描俄歇微探针(SAM)和扫描电镜分析对SiO_2/Ag 薄膜系统失效进行了较为全面的分析研究。通过扫描电镜观察发现,失效的反射镜表面SiO_2薄膜上存在大量析出物,借助于SAM分析,表明这些析出物主要是银和铜,析出物表面伴随有硫化和氧化。SAM的深度剖面结果说明,有析出物存在的区域,各薄膜层中存在原子间的扩散。文章就反射镜中Ag、Cu、和O的扩散和穿透行为进行了讨论,认为SiO_2薄膜致密度较差是导致反射镜失效的主要原因之一。 展开更多

关键词 薄膜 辐射计 反射镜 失效分析

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Hg_(1-x)Cd_xTe材料AES定量分析中的电子束和离子束效应

10

作者 杨得全 范垂祯 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1999年第1期15-19,共5页

在Hg1-xCdxTe材料的AES分析中 ,由于分析电子束辐照作用 ,可诱导表面Hg原子的脱附和热升华 ,导致短时间内样品表面严重失Hg ,使AES定量分析结果产生很大的误差。实验结果表明 ,在超高真空中分析电子束辐照下局部Hg元素的挥发损失以负指... 在Hg1-xCdxTe材料的AES分析中 ,由于分析电子束辐照作用 ,可诱导表面Hg原子的脱附和热升华 ,导致短时间内样品表面严重失Hg ,使AES定量分析结果产生很大的误差。实验结果表明 ,在超高真空中分析电子束辐照下局部Hg元素的挥发损失以负指数关系进行。通过选择离子束溅射速率大于电子束蒸发速率 ,并在溅射的同时进行俄歇信号收集 ,则可减小或消除分析电子束对元素Hg的蒸发作用 ,获得稳定的俄歇信号。实验结果还指出 ,溅射离子束的参数会影响元素的相对溅射产额 。 展开更多

关键词 俄歇电子能谱 电子束效应 离子束效应 汞镉碲

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表面成分AES和XPS定量分析中的离子溅射修正

11

作者 杨得全 范垂祯 《真空科学与技术》 CSCD 1994年第1期57-62,共6页

低能离子溅射是表面分析中清洁固体表面和深度剖面分析的主要手段之一。由于离子溅射改变了固体表面化学成分，引起表面成分的再分布，使俄歇电子谱、X射线光电子谱以及二次离子质谱等表面分析手段，对溅射后固体表面成分的定量分析结... 低能离子溅射是表面分析中清洁固体表面和深度剖面分析的主要手段之一。由于离子溅射改变了固体表面化学成分，引起表面成分的再分布，使俄歇电子谱、X射线光电子谱以及二次离子质谱等表面分析手段，对溅射后固体表面成分的定量分析结果与实际结果有较大的差别。本文以离子溅射合金表面成分达到平行时择优溅射、离子轰击诱导偏析和增强扩散效应之间动态平衡状态的假设为基础，得到了一个与择优溅射、离子轰击诱导偏析和增强扩散修正因子有关的离子溅射修正因子的分析表达式，并将其应用于Ag－Pd合金的离子溅射定量修正计算，发现计算结果能够与实验结果较好地吻合。解释了合金离子溅射修正因子随离子参数的变化。 展开更多

关键词 表面 溅射 离子溅射 定量分析

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MeV离子辐照引起薄膜附着力的增强:阈剂量随界面原子化学结合能的一个经验关系

12

作者 杨得全 范垂祯 《真空科学与技术》 CSCD 1993年第4期259-262,共4页

根据Pauling给出的金属-非金属双原子结合键能的关系,分析文献报导的高能重离子辐照引起金属膜/聚四氟乙烯基底和金属膜/硅基底系统附着力增强的阈剂量数据后发现,阈剂量随界面原子结合能很好地满足指数关系D_(th)=D_0exp(kE_b)。这说... 根据Pauling给出的金属-非金属双原子结合键能的关系,分析文献报导的高能重离子辐照引起金属膜/聚四氟乙烯基底和金属膜/硅基底系统附着力增强的阈剂量数据后发现,阈剂量随界面原子结合能很好地满足指数关系D_(th)=D_0exp(kE_b)。这说明高能离子辐照引起薄膜附着力的增强可能是离子辐照引起界面原子化学结合键能增强的缘故。 展开更多

关键词 薄膜 高能离子 辐照 化学结合能

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高能离子辐照下薄膜界面化学结合增强的模型

13

作者 杨得全 《中国空间科学技术》 EI CSCD 北大核心 1992年第4期49-54,共6页

近年来高能离子辐照引起的薄膜附着力增强现象及其应用受到了广泛的重视。由于高能离子一固体相互作用的复杂性,目前对附着力增强的物理机制的认识还不清楚。文章基于高能离子辐照引起界面原子化学结合键增强的思想,建立了薄膜附着力增... 近年来高能离子辐照引起的薄膜附着力增强现象及其应用受到了广泛的重视。由于高能离子一固体相互作用的复杂性,目前对附着力增强的物理机制的认识还不清楚。文章基于高能离子辐照引起界面原子化学结合键增强的思想,建立了薄膜附着力增强的理论模型,并由此得到辐照离子阈剂量与离子能量损失(电子阻止能力)及其界面原子结合键能的分析表达式,计算结果与实验结果很好吻合。理论分析表达式说明,膜附着力增强的阈剂量受界面原子结构、元素种类、电子阻止能力及其形成固体径迹所损失的能量等多种因素有关。 展开更多

关键词 薄膜 界面 附着力 离子辐照 研究

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平面电极薄膜气体传感器中的表面与界面

14

作者 杨得全 范垂祯 《传感器技术》 CSCD 1997年第3期9-12,共4页

有机半导体薄膜由于具有特殊离域的。电子体系的特殊结构，特别是LB膜制备技术的采用，使得制备的有机半导体薄膜具有定向性和极高的比表面积，在气体传感器应用中显示出优异的性能．本文主要讨论了平面电极式有机半导体薄膜气体传感器... 有机半导体薄膜由于具有特殊离域的。电子体系的特殊结构，特别是LB膜制备技术的采用，使得制备的有机半导体薄膜具有定向性和极高的比表面积，在气体传感器应用中显示出优异的性能．本文主要讨论了平面电极式有机半导体薄膜气体传感器研制中与表面和界面有关的技术问题及其解决的基本方法． 展开更多

关键词 气体传感器 有机半导体薄膜 表面与界面

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合金电子谱定量分析中离子溅射修正因子的研究

15

作者 杨得全 张韶红 范垂祯 《分析测试通报》 CSCD 1992年第1期1-6,共6页

离子溅射修正是电子谱(俄歇电子谱,AES和X射线光电子谱,XPS)、离子谱(二次离子质谱,SIMS和低能离子散射谱,ISS)定量分析中的关键问题之一。本文根据作者最近提出的离子轰击合金表面成分再分布关系,得到了表面分析中离子溅射修正因子的... 离子溅射修正是电子谱(俄歇电子谱,AES和X射线光电子谱,XPS)、离子谱(二次离子质谱,SIMS和低能离子散射谱,ISS)定量分析中的关键问题之一。本文根据作者最近提出的离子轰击合金表面成分再分布关系,得到了表面分析中离子溅射修正因子的分析表达式,总结了近十多年来合金离子溅射修正因子的一些较普遍的实验结果,用本文报道的计算关系较好地解释了这些实验结果。讨论了溅射修正因子受轰击离子参数(入射角、能量)、组分浓度等因素的影响。同时用本文给出的分析计算关系讨论了择优溅射、离子辐照诱导偏析和增强扩散效应对溅射修正因子的影响。 展开更多

关键词 合金 离子溅射修正 表面分析

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有序分子薄膜结构的X射线光电子能谱表征

16

作者 杨得全 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第1期31-36,共6页

有序分子薄膜由于其特殊的结构而表现出优异的性能。为此 ,人们对微结构与宏观性能之间的关系极为重视。本文重点讨论了近年来X射线光电子能谱在有序分子薄膜位结构分析中取得的结果及其应用情况。其中包括 :薄膜厚度的确定、薄膜 基... 有序分子薄膜由于其特殊的结构而表现出优异的性能。为此 ,人们对微结构与宏观性能之间的关系极为重视。本文重点讨论了近年来X射线光电子能谱在有序分子薄膜位结构分析中取得的结果及其应用情况。其中包括 :薄膜厚度的确定、薄膜 基底界面结构、分子之间的相互作用情况及其有序分子结构对薄膜电学、气体敏感特性等宏观性能的影响。研究结果说明 ,X射线光电子能谱由于其对薄膜的损伤小、表面探测灵敏度高和较高的能量分辨能力 。 展开更多

关键词 有序分子薄膜 X光电子能谱 微结构 薄膜结构

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渐进因子分析法及其在Au/Ni/Si薄膜俄歇深度剖面研究中的应用 被引量：1

17

作者 谢舒平 杨得全 范垂祯 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1997年第1期26-33,共8页

将渐进因子分析法应用于俄歇深度剖面的化学态研究。通过对Au／Ni／Si薄膜样品深度剖析过程的渐进因子分析，最终获得了各元素的化学状态和深度分布，并发现Au／Ni／Si样品中Ni／Si界面在室温下已发生反应，生成富Si的NixSi化合物层。... 将渐进因子分析法应用于俄歇深度剖面的化学态研究。通过对Au／Ni／Si薄膜样品深度剖析过程的渐进因子分析，最终获得了各元素的化学状态和深度分布，并发现Au／Ni／Si样品中Ni／Si界面在室温下已发生反应，生成富Si的NixSi化合物层。样品经真空退火处理后，Ni／Si界面进一步反应生成Ni2Si合金，而原有的NixSi化合物含量相对减少，并向Si基体侧扩展，同时Ni穿透Au膜在样品表面富集。渐进因子分析的结果与XPS分析相一致。 展开更多

关键词 俄歇电子能谱 深度剖面 铜/铌/硅 薄膜

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AES定量分析中离子溅射修正的实验研究

18

作者 范垂祯 杨得全 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1990年第3期179-183,共5页

在俄歇电子谱(AES)定量分析中,离子溅射是最常用的表面清洁手段。我们在常规的实验条件下,用AES分析了AgCu、NiCr、CuZa和TiMo合金经低能Ar^+离子轰击后表面成分的变化。用不同的离子溅射理论修正关系修正后发现,在减小离子诱导偏析和... 在俄歇电子谱(AES)定量分析中,离子溅射是最常用的表面清洁手段。我们在常规的实验条件下,用AES分析了AgCu、NiCr、CuZa和TiMo合金经低能Ar^+离子轰击后表面成分的变化。用不同的离子溅射理论修正关系修正后发现,在减小离子诱导偏析和增强扩散的条件下,采用Shimizu的修正关系和Sigmuad的级联溅射产额比关系可得到误差较小的定量分析结果。文中对各种修正理论的误差进行了讨论,认为提出的修正措施及方法对实际定量AES分析精度的提高具有一定的意义。 展开更多

关键词 AES 俄歇电子谱 表面偏析 中离子 离子轰击 修正因子 Shimizu NICR 分析室真空度 修正计算

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定量AES分析中基体效应的迭代修正法

19

作者 范垂祯 杨得全 《分析测试通报》 CSCD 1991年第6期40-42,共3页

以Shimizu提出的定量AES分析关系为基础,作者提出一种可用于二元和多元合金定量AES分析的迭代方法。通过引入合金的原子序数和原子密度的概念,计算了合金中元素的基体效应修正因子。与其它方法不同的是,本法中基体效应修正因子是合金元... 以Shimizu提出的定量AES分析关系为基础,作者提出一种可用于二元和多元合金定量AES分析的迭代方法。通过引入合金的原子序数和原子密度的概念,计算了合金中元素的基体效应修正因子。与其它方法不同的是,本法中基体效应修正因子是合金元素浓度的函数,受到整体组分的影响。通过对文献报道的五种典型单相多晶二元合金Ag-Pd,Ni-Pd,Cr-Fe,Mo-Fe和Ni-Mg的定量分析计算发现,本法的分析精密度优于F因子法、K因子法及改进K因子修正法。 展开更多

关键词 AES 基体效应 迭代修正法

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原子氧密度测量技术 被引量：4

20

作者 熊玉卿 谢舒平 +1 位作者 杨得全 达道安 《传感器技术》 CSCD 1999年第3期8-12,共5页

原子氧是低地球轨道中作用于空间飞行器的主要因素。随着空间应用的发展，对原子氧的研究也逐渐成为空间研究的重要内容，原子氧密度的测量则是原子氧研究工作的前提。介绍了几种常用的原子氧密度测量技术，并对各种技术的特点进行了比... 原子氧是低地球轨道中作用于空间飞行器的主要因素。随着空间应用的发展，对原子氧的研究也逐渐成为空间研究的重要内容，原子氧密度的测量则是原子氧研究工作的前提。介绍了几种常用的原子氧密度测量技术，并对各种技术的特点进行了比较。将传统测量技术和新材料的优点结合起来，提出了改进的原子氧密度测量技术，并进行了较深入的研究。 展开更多

关键词 原子氧 密度测量 空间飞行器

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