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催化裂化柴油复合溶剂抽提芳烃工艺
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作者 杨帅康 李琦 +3 位作者 许文龙 赵强 田原宇 乔英云 《石油化工》 北大核心 2025年第3期341-347,共7页
以催化裂化柴油为原料,采用馏分切割的方式分离原料中含有较多单环芳烃的轻组分,仅保留重组分,选用复合溶剂探究多环芳烃抽提的实验条件,借助了反抽提技术进一步降低抽出油中饱和烃的含量,并通过减压蒸馏对复合溶剂进行回收。实验结果表... 以催化裂化柴油为原料,采用馏分切割的方式分离原料中含有较多单环芳烃的轻组分,仅保留重组分,选用复合溶剂探究多环芳烃抽提的实验条件,借助了反抽提技术进一步降低抽出油中饱和烃的含量,并通过减压蒸馏对复合溶剂进行回收。实验结果表明,以重组分为原料,在复合溶剂V(环丁砜)∶V(N-甲基吡咯烷酮)=3∶7、剂油体积比为1.2、抽提温度50℃条件下,多环芳烃收率可达75.06%,多环芳烃含量为94.88%(w)。经预处理及溶剂抽提后,抽余油中的芳烃含量由原料中的79.47%(w)降至11.59%(w)。回收后的溶剂颜色变深,使用回收的溶剂进行抽提实验,多环芳烃收率为69.33%,相较于新鲜的溶剂抽提效率略有降低,实现了资源的可重复利用。 展开更多
关键词 催化裂化柴油 溶剂抽提 多环芳烃 复合溶剂 抽余油 反抽提
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复合脱酸剂清洁高效脱除减二线馏分油中环烷酸
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作者 赵强 汪鹏飞 +3 位作者 杨帅康 张浩哲 乔英云 田原宇 《石油化工》 北大核心 2025年第1期1-7,共7页
采用一种复合脱酸剂对减二线馏分油进行脱酸及回收环烷酸。利用酸值测定、黏度测试和FTIR等方法考察了反应工艺条件对脱酸效果的影响。实验结果表明,适宜的脱酸工艺条件为:反应温度30℃,剂油体积比0.50,反应时间15 min,相分离温度25℃,... 采用一种复合脱酸剂对减二线馏分油进行脱酸及回收环烷酸。利用酸值测定、黏度测试和FTIR等方法考察了反应工艺条件对脱酸效果的影响。实验结果表明,适宜的脱酸工艺条件为:反应温度30℃,剂油体积比0.50,反应时间15 min,相分离温度25℃,相分离时间60 min,在此条件下,脱酸率达到92.70%,精制油酸值降为0.33 mg/g,满足了工业上设备耐腐蚀的要求(酸值小于0.50 mg/g),环烷酸在该复合脱酸剂相和油相的表观分配比达到了24.79。与一级萃取相比,达到酸值小于0.50 mg/g的标准时,三级萃取比一级萃取脱酸剂用量减少了40%以上。回收的环烷酸副产物品质较好,酸值为177.03 mg/g,达到了石油酸一级品55号酸值标准。 展开更多
关键词 减二线馏分油 复合脱酸剂 萃取分离 回收
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AZ31B镁合金表面微弧氧化涂层的制备及其封孔处理 被引量:2
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作者 杨帅康 孙瑞雪 《青岛科技大学学报(自然科学版)》 CAS 2021年第4期47-53,共7页
采用微弧氧化法,以AZ31B镁合金为基体,在其表面制备均匀的微弧氧化涂层并对其进行封孔处理来提高其耐蚀性。通过扫描电子显微镜(SEM)及能谱分析(EDS)研究了微弧氧化涂层的表面形貌及元素组成,通过电化学测试及浸泡实验研究了涂层的耐腐... 采用微弧氧化法,以AZ31B镁合金为基体,在其表面制备均匀的微弧氧化涂层并对其进行封孔处理来提高其耐蚀性。通过扫描电子显微镜(SEM)及能谱分析(EDS)研究了微弧氧化涂层的表面形貌及元素组成,通过电化学测试及浸泡实验研究了涂层的耐腐蚀性能。结果表明:镁合金表面微弧氧化涂层呈现典型的多孔结构,涂层厚度约为2μm;当硅烷水解液中硅烷体积占比为10%时封孔效果最佳,涂层表面的孔洞可以被硅烷膜有效覆盖。经封孔处理后的试样的耐腐蚀性能得到大幅度提高。 展开更多
关键词 AZ31B 微弧氧化 封孔处理 硅烷化 耐腐蚀性
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保护环对双向可控硅静电防护器件电容特性的影响 被引量:1
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作者 杨帅康 汪洋 +2 位作者 苏雪冰 张玉叶 红娇 《电子产品世界》 2022年第6期74-78,共5页
本文研究了P型保护环对双向可控硅(DDSCR)静电防护器件寄生电容的影响。在低压工艺下制备了不带保护环的低压双向可控硅(LVDDSCR)和带保护环的低压双向可控硅(LVDDSCR_GR)器件,在高压工艺下制备了不带保护环的高压双向可控硅(HVDDSCR)... 本文研究了P型保护环对双向可控硅(DDSCR)静电防护器件寄生电容的影响。在低压工艺下制备了不带保护环的低压双向可控硅(LVDDSCR)和带保护环的低压双向可控硅(LVDDSCR_GR)器件,在高压工艺下制备了不带保护环的高压双向可控硅(HVDDSCR)和带保护环的高压双向可控硅(HVDDSCR_GR)器件。利用B1505A功率器件分析仪测试并讨论了器件的电容特性,同时利用传输线脉冲(TLP)测试仪分析了它们的静电性能。结果表明,保护环的增加对器件静电防护能力无较大影响,但在1MHz的频率下,LVDDSCR_GR的寄生电容由LVDDSCR的1135fF增加到1463fF,HVDDSCR_GR的寄生电容由HVDDSCR的810fF增加到1740fF,其根本原因是由于保护环引入了N型隔离环与P型外延层之间的寄生电容。 展开更多
关键词 双向可控硅 保护环 寄生电容 传输线脉冲测试系统
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双向可控硅静电防护器件中p型井对静电性能影响的研究
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作者 张玉叶 汪洋 +2 位作者 杨帅康 苏雪冰 红姣 《中国集成电路》 2023年第4期36-39,72,共5页
基于0.18μm Bipolar CMOS-DMOS(BCD)工艺,研究讨论了双向可控硅静电防护器件中p型井(PW)位置对器件维持电压以及鲁棒性的静电性能影响,可用于高压静电放电(ESD)保护。利用二维器件仿真平台和传输线脉冲测试系统(TLP),预测和验证了PW的... 基于0.18μm Bipolar CMOS-DMOS(BCD)工艺,研究讨论了双向可控硅静电防护器件中p型井(PW)位置对器件维持电压以及鲁棒性的静电性能影响,可用于高压静电放电(ESD)保护。利用二维器件仿真平台和传输线脉冲测试系统(TLP),预测和验证了PW的尺寸在高压工艺下对双向对称可控硅性能的影响。测量结果表明,在不增加器件面积的情况下,通过高压对称DDSCR器件PW层次的左侧边界位置缩进,所得的DDSCR_PW器件的正向维持电压(Vh)虽然从30.15 V降低到15.63 V,反向维持电压从26.15 V降低到16.85 V,但与高压对称DDSCR器件相比,高压对称DDSCR_PW器件具有提升失效电流的优点,其正向失效电流从6.68 A增加到18.22 A,反向失效电流从7.07 A增加到9.92 A,论文阐述了产生此现象的原因。 展开更多
关键词 双向可控硅(DDSCR) 失效电流(It2) 维持电压(Vh) 传输线脉冲测试系统(TLP)
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