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大功率LED脉冲驱动电源技术的研究 被引量:10
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作者 王峰 梁楚华 +3 位作者 郭延生 杨卫桥 李抒智 钱雯磊 《电子技术应用》 北大核心 2008年第6期67-69,共3页
基于脉宽调制电路(PWM)原理,研究设计大电流小占空比驱动大功率LED直流脉冲电源,实验测试比较了不同占空比脉冲方式下,点亮LED的实际消耗功率、瞬态光亮强度、温升情况等,探索通过脉冲电源驱动提高LED发光效率的实现方案,并取得初步实... 基于脉宽调制电路(PWM)原理,研究设计大电流小占空比驱动大功率LED直流脉冲电源,实验测试比较了不同占空比脉冲方式下,点亮LED的实际消耗功率、瞬态光亮强度、温升情况等,探索通过脉冲电源驱动提高LED发光效率的实现方案,并取得初步实验结果。 展开更多
关键词 PWM 脉冲电流驱动 大功率LED 光效 电源效率
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基于DC-LED构建的AC-LED光效及光衰性能研究 被引量:2
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作者 杨卫桥 黄帆 +1 位作者 张建华 殷录桥 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期438-442,共5页
传统的LED是以直流电驱动,在AC/DC转换过程中,有高达15%~30%的电力耗损。为避免该部分耗损,可直接用AC驱动的LED成为目前一个研究热点。通过对DC-LED器件进行AC驱动连接,并以一组DC驱动器件为参考,对三组不同连接方式AC-LED的光学性能... 传统的LED是以直流电驱动,在AC/DC转换过程中,有高达15%~30%的电力耗损。为避免该部分耗损,可直接用AC驱动的LED成为目前一个研究热点。通过对DC-LED器件进行AC驱动连接,并以一组DC驱动器件为参考,对三组不同连接方式AC-LED的光学性能进行了实验分析。实验结果表明,分别在相同的电流、电压和功率条件下,AC-LED的发光效率均低于DC-LED器件的发光效率,并从低电压驱动和周期性电压对效率的影响两个方面分析了其效率低的原因。最后对AC-LED与DC-LED器件进行350 mA和60℃条件下的老化实验,经过750 h的光通量维持率老化实验后,AC-LED器件的光通量维持率明显低于DC-LED器件。 展开更多
关键词 直流LED(DC-LED) 交流LED(AC-LED) 发光效率 光衰 老化
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功率型LED散热器的研究 被引量:9
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作者 吴军 李抒智 +1 位作者 杨卫桥 张建华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第10期964-967,1027,共5页
分析了目前功率型LED发展存在的瓶颈问题,以及散热对LED器件正常工作的重要性。散热器的设计决定了功率型LED芯片产生的热量能否顺利传至工作环境,基于现有的文献和专利总结了大功率LED散热器的技术手段及其研究内容。从对流散热、辐射... 分析了目前功率型LED发展存在的瓶颈问题,以及散热对LED器件正常工作的重要性。散热器的设计决定了功率型LED芯片产生的热量能否顺利传至工作环境,基于现有的文献和专利总结了大功率LED散热器的技术手段及其研究内容。从对流散热、辐射散热、热传导和相变散热等多个方面介绍了一些典型散热器在功率型LED散热中的应用,并提出了未来LED照明散热设计的方向。 展开更多
关键词 大功率发光二极管 散热技术 散热器
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LED受ESD冲击前后性能的变化分析 被引量:3
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作者 陆海泉 李抒智 +1 位作者 杨卫桥 严伟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第10期957-960,共4页
对GaN基蓝光LED施加ESD冲击,比较LED在受到ESD冲击前后I-V特性曲线、-5 V反向漏电流以及光色电特性的变化发现在I-V特性曲线和-5 V反向漏电流有明显变化的情况下,LED的光色电特性没有明显变化。选择在受到ESD冲击后反向漏电流值为不同... 对GaN基蓝光LED施加ESD冲击,比较LED在受到ESD冲击前后I-V特性曲线、-5 V反向漏电流以及光色电特性的变化发现在I-V特性曲线和-5 V反向漏电流有明显变化的情况下,LED的光色电特性没有明显变化。选择在受到ESD冲击后反向漏电流值为不同数量级的LED作为样品进行加速老化实验,比较样品在加速老化实验前后的I-V特性曲线、光色电特性等参数的变化。通过比较样品之间的光衰减速率,发现反向漏电流大于1 mA时,样品的光衰减明显加快。 展开更多
关键词 GAN基蓝光LED 静电放电 I-V特性 反向漏电流 光色电特性 加速老化实验
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Ce∶YAG晶体色心和缺陷的伽马射线辐照研究
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作者 李抒智 杨卫桥 +6 位作者 董永军 华伟 向卫东 梁晓娟 钟家松 赵寅生 吕春燕 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第24期17-20,共4页
利用伽玛射线研究了Ce3+∶Y3Al5O12晶体的辐照色心缺陷,比较了采用提拉法和温梯法生长的Ce3+∶Y3Al5O12晶体中产生的不同色心缺陷,并利用吸收光谱、激发发射光谱和退火等方法分析了晶体中235nm和370nm色心吸收带的形成原因,指出晶体中的... 利用伽玛射线研究了Ce3+∶Y3Al5O12晶体的辐照色心缺陷,比较了采用提拉法和温梯法生长的Ce3+∶Y3Al5O12晶体中产生的不同色心缺陷,并利用吸收光谱、激发发射光谱和退火等方法分析了晶体中235nm和370nm色心吸收带的形成原因,指出晶体中的235nm吸收带由F+色心引起。进一步分析了YAG晶体的辐照,证实了370nm色心的来源,表明370nm吸收带与F-类色心相关。 展开更多
关键词 晶体 Ce∶YAG 伽玛射线 辐照 缺陷
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