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AlN-SiC微波衰减材料的高频介电性能研究
被引量：
2
1
作者
杨艳玲
鲁燕萍
+3 位作者
杜斌
杨华猛
杨振涛
刘征
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期60-64,共5页
分别采用SPS和无压烧结工艺制备了AlN-SiC微波衰减材料。采用网络分析仪及扫描电镜检测仪,研究了衰减材料在X波段和Ku波段的介电性能及微观结构。研究结果表明:SPS制备的样品相对密度达到98%,介电性能在X波段ε'为14.01～13.98,tgδ...
分别采用SPS和无压烧结工艺制备了AlN-SiC微波衰减材料。采用网络分析仪及扫描电镜检测仪,研究了衰减材料在X波段和Ku波段的介电性能及微观结构。研究结果表明:SPS制备的样品相对密度达到98%,介电性能在X波段ε'为14.01～13.98,tgδ为0.158～0.163,在Ku波段ε'为11.48～10.96,tgδ为0.18～0.17;采用无压烧结制备的样品密度仅为理论密度的95%,在X波段的ε'为26.97～24.26,tgδ为0.326～0.327。探讨了两种烧结方式制备样品的损耗机理。
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关键词
AlN—SiC微波衰减材料
损耗机理
SPS烧结
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职称材料
题名
AlN-SiC微波衰减材料的高频介电性能研究
被引量：
2
1
作者
杨艳玲
鲁燕萍
杜斌
杨华猛
杨振涛
刘征
机构
北京真空电子技术研究所
出处
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期60-64,共5页
基金
中国电子科技集团公司创新基金项目
文摘
分别采用SPS和无压烧结工艺制备了AlN-SiC微波衰减材料。采用网络分析仪及扫描电镜检测仪,研究了衰减材料在X波段和Ku波段的介电性能及微观结构。研究结果表明:SPS制备的样品相对密度达到98%,介电性能在X波段ε'为14.01～13.98,tgδ为0.158～0.163,在Ku波段ε'为11.48～10.96,tgδ为0.18～0.17;采用无压烧结制备的样品密度仅为理论密度的95%,在X波段的ε'为26.97～24.26,tgδ为0.326～0.327。探讨了两种烧结方式制备样品的损耗机理。
关键词
AlN—SiC微波衰减材料
损耗机理
SPS烧结
Keywords
AlN-SiC attenuation composites
attenuation mechanism
Spark Plasma Sintering
分类号
TM271 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
AlN-SiC微波衰减材料的高频介电性能研究
杨艳玲
鲁燕萍
杜斌
杨华猛
杨振涛
刘征
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
2013
2
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职称材料
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