金属功函数波动作为器件制造过程中的主要工艺波动源之一,其波动变化对器件电学特性有极大的影响。本文提出一种简便、快速预测半导体场效应管金属功函数波动效应的方法,并将其与商业软件中计算功函数波动的统计阻抗场法进行对比分析。...金属功函数波动作为器件制造过程中的主要工艺波动源之一,其波动变化对器件电学特性有极大的影响。本文提出一种简便、快速预测半导体场效应管金属功函数波动效应的方法,并将其与商业软件中计算功函数波动的统计阻抗场法进行对比分析。参考IBM公司发布的14 nm SOI FinFET结构建立FinFET器件仿真模型并与实验数据对比验证后,引入金属功函数波动,分别用统计阻抗场法与本文提出的快速预测方法计算得到对应随机波动下模型的阈值电压V_(th)、关断电流I_(off)、工作电流I_(on)等电学特性参数的随机分布及这些参数结果的期望值、标准差、极差等统计参数,通过两者结果对比验证了快速预测方法的准确性。展开更多
利用基于PIC-MCC(Particle in cell-Monte Carlo collision)模型的OOPIC-PRO软件计算了107 cm荫罩式PDP实际单元和放大单元的放电,模拟结果表明相似放电单元具有相同的伏安特性,放电相对应时刻的空间粒子浓度分布相同,从数值实验角度验...利用基于PIC-MCC(Particle in cell-Monte Carlo collision)模型的OOPIC-PRO软件计算了107 cm荫罩式PDP实际单元和放大单元的放电,模拟结果表明相似放电单元具有相同的伏安特性,放电相对应时刻的空间粒子浓度分布相同,从数值实验角度验证了气体放电的重要定律:相似定律。在理论模拟的基础上,利用实际单元和放大单元的实验测试系统,测量并比较了放大单元和实际单元的放电电流,结果表明放大单元和实际单元的放电电流强度相当,但实际单元较放大单元的放电快约20倍。展开更多
文摘金属功函数波动作为器件制造过程中的主要工艺波动源之一,其波动变化对器件电学特性有极大的影响。本文提出一种简便、快速预测半导体场效应管金属功函数波动效应的方法,并将其与商业软件中计算功函数波动的统计阻抗场法进行对比分析。参考IBM公司发布的14 nm SOI FinFET结构建立FinFET器件仿真模型并与实验数据对比验证后,引入金属功函数波动,分别用统计阻抗场法与本文提出的快速预测方法计算得到对应随机波动下模型的阈值电压V_(th)、关断电流I_(off)、工作电流I_(on)等电学特性参数的随机分布及这些参数结果的期望值、标准差、极差等统计参数,通过两者结果对比验证了快速预测方法的准确性。
文摘利用基于PIC-MCC(Particle in cell-Monte Carlo collision)模型的OOPIC-PRO软件计算了107 cm荫罩式PDP实际单元和放大单元的放电,模拟结果表明相似放电单元具有相同的伏安特性,放电相对应时刻的空间粒子浓度分布相同,从数值实验角度验证了气体放电的重要定律:相似定律。在理论模拟的基础上,利用实际单元和放大单元的实验测试系统,测量并比较了放大单元和实际单元的放电电流,结果表明放大单元和实际单元的放电电流强度相当,但实际单元较放大单元的放电快约20倍。
