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刻蚀深度对GaN基微尺寸LED芯片RC特性的影响 被引量:4
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作者 杨倬波 黄华茂 +1 位作者 施伟 王洪 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期1297-1304,共8页
隔离槽的制作是实现阵列芯片单元独立的有效方法。本文采用感应耦合等离子体干法刻蚀(ICP)和具有高刻蚀比的Si O2与光刻胶混合掩膜在Ga N基微尺寸LED上制备了3种深度的隔离槽和6种不同的芯片尺寸结构。通过电致发光(EL)和电容计表征不... 隔离槽的制作是实现阵列芯片单元独立的有效方法。本文采用感应耦合等离子体干法刻蚀(ICP)和具有高刻蚀比的Si O2与光刻胶混合掩膜在Ga N基微尺寸LED上制备了3种深度的隔离槽和6种不同的芯片尺寸结构。通过电致发光(EL)和电容计表征不同刻蚀深度对LED芯片电学性能和电容大小的影响。实验结果表明,小尺寸的芯片有着更高的电流承受密度和更小的电容值,隔离槽刻蚀深度的增加能降低电容和电阻,从而使RC时间常数得到降低。有源层直径为120μm的芯片从仅有Mesa刻蚀到完全刻蚀到蓝宝石衬底,其RC调制带宽从155 MHz增大到176 MHz。减小芯片尺寸和完全刻蚀到蓝宝石衬底能有效减小芯片RC常数。这些工作将有助于Ga N基LED的未来设计和制造,以提高高频可见光通信的调制带宽和光功率。 展开更多
关键词 深刻蚀隔离槽 微尺寸LED芯片 电容 RC常数
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激光诱导前向转移中传输过程对银浆薄膜均匀度影响研究
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作者 陈炀 单译琳 +2 位作者 杨倬波 李海 张宪民 《机床与液压》 北大核心 2022年第7期12-16,共5页
激光诱导太阳能正面电极化过程中,银浆薄膜的运输方式和速度都会对最终形成的栅线形貌产生影响。为合理设计机械转运装置,针对规模印刷中直线运输和环形运输两种典型转运方式,建立简化的银浆薄膜有限元模型,并使其在一定加速度下运动,... 激光诱导太阳能正面电极化过程中,银浆薄膜的运输方式和速度都会对最终形成的栅线形貌产生影响。为合理设计机械转运装置,针对规模印刷中直线运输和环形运输两种典型转运方式,建立简化的银浆薄膜有限元模型,并使其在一定加速度下运动,探究银浆薄膜的自愈特性;在3种不同转运速度曲线下(线性加速,指数形加速,S形加速)对银浆薄膜均匀度进行仿真实验。结果表明:在相同的速度下,由于离心力的存在,环形运输方式所导致的均匀度变化比直线运输方式更严重;在直线运输中,最大速度较低时,薄膜在3种速度曲线下的变形程度相似;随着速度增大,薄膜在线性加速曲线下的变形最小,并且指数形加速和S形加速都出现了银浆溅出的情况。在印刷光伏硅片正面栅线时,对银浆薄膜进行线性加速下的直线运输能保持其较好均匀性。 展开更多
关键词 激光诱导前向转移 银浆薄膜 均匀度 加速曲线
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