期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
3
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
不同场强下金属化聚丙烯膜电容器泄漏特性
被引量：
13
1
作者
李智威
李化
+5 位作者
杨佩原
林福昌
陈耀红
刘德
王博闻
张钦
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2013年第9期274-280,共7页
金属化聚丙烯膜电容器(MPPFC)是脉冲功率电源系统中的常用储能单元,应用于高场强的MPPFC电压降落现象显著。介质泄漏是降低储能效率的重要因素,绝缘电阻提供了泄漏的路径。本文以MPPFC为对象,通过测量其的绝缘电阻来研究的泄漏特性。测...
金属化聚丙烯膜电容器(MPPFC)是脉冲功率电源系统中的常用储能单元,应用于高场强的MPPFC电压降落现象显著。介质泄漏是降低储能效率的重要因素,绝缘电阻提供了泄漏的路径。本文以MPPFC为对象,通过测量其的绝缘电阻来研究的泄漏特性。测试结果表明MPPFC的等效绝缘电阻对场强极其敏感,随着场强增加,等效绝缘电阻急剧减小。结晶度显著影响薄膜的等效绝缘电阻。结合Poole-Frenkel效应的等效绝缘电阻计算结果表明,影响等效绝缘电阻的关键参数是电场强度、电导率和Poole-Frenkel效应系数,本文等效绝缘电阻计算值与测试结果吻合。
展开更多
关键词
电容器
金属化聚丙烯膜
泄漏
绝缘电阻Poole-Frenkel效应
在线阅读
下载PDF
职称材料
非晶态碲镉汞的暗电导率和吸收边(英文)
被引量：
2
2
作者
孔金丞
张鹏举
+6 位作者
杨佩原
李雄军
孔令德
杨丽丽
赵俊
王光华
姬荣斌
《红外技术》
CSCD
北大核心
2012年第5期268-271,共4页
研究了非晶态碲镉汞(x=0.2)薄膜的暗电导率随温度变化关系,发现非晶态结构的碲镉汞材料具有明显的半导体特性,其室温禁带宽度在0.88～0.91eV之间,与通过光学方法获得的结果相符。在80～240K的温度区间非晶态碲镉汞(x=0.2)的暗电导率从1&...
研究了非晶态碲镉汞(x=0.2)薄膜的暗电导率随温度变化关系,发现非晶态结构的碲镉汞材料具有明显的半导体特性,其室温禁带宽度在0.88～0.91eV之间,与通过光学方法获得的结果相符。在80～240K的温度区间非晶态碲镉汞(x=0.2)的暗电导率从1×10—8Ω—1.cm—1缓慢增大到5×10-8Ω—1.cm—1,温度大于240K时,其电导率剧烈增大到1×10—5Ω—1.cm—1,说明在240K附近非晶态碲镉汞材料的导电机制发生了变化,这对非晶态碲镉汞材料的应用研究具有重要意义。还研究了退火过程对非晶态碲镉汞薄膜电导率的影响,结果表明140℃退火后非晶态碲镉汞薄膜发生了部分晶化。
展开更多
关键词
非晶态碲镉汞
电导率
吸收边
在线阅读
下载PDF
职称材料
非晶态碲镉汞薄膜晶化过程的椭圆偏振光谱研究(英文)
被引量：
1
3
作者
孔金丞
王光华
+6 位作者
杨佩原
杨丽丽
李雄军
赵俊
张鹏举
孔令德
姬荣斌
《红外技术》
CSCD
北大核心
2012年第4期187-190,共4页
采用椭圆偏振光谱技术研究了非晶态碲镉汞薄膜在不同退火条件下的结构性能。结果表明非晶态碲镉汞薄膜在退火过程中的成核晶化是在薄膜内部均匀发生的,对于不同晶化程度的薄膜,其光学常数谱具有明显的特征,通过对光学常数谱的分析研究...
采用椭圆偏振光谱技术研究了非晶态碲镉汞薄膜在不同退火条件下的结构性能。结果表明非晶态碲镉汞薄膜在退火过程中的成核晶化是在薄膜内部均匀发生的,对于不同晶化程度的薄膜,其光学常数谱具有明显的特征,通过对光学常数谱的分析研究可以对非晶态碲镉汞薄膜的晶化程度进行量化表征,从而控制退火条件,优化材料质量。
展开更多
关键词
椭圆偏振光谱
非晶态碲镉汞
晶化
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
不同场强下金属化聚丙烯膜电容器泄漏特性
被引量：
13
1
作者
李智威
李化
杨佩原
林福昌
陈耀红
刘德
王博闻
张钦
机构
华中科技大学强电磁工程与新技术国家重点实验室
中国兵器科学研究院
出处
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2013年第9期274-280,共7页
基金
特高压工程技术(昆明
广州)国家工程实验室开放基金资助项目
文摘
金属化聚丙烯膜电容器(MPPFC)是脉冲功率电源系统中的常用储能单元,应用于高场强的MPPFC电压降落现象显著。介质泄漏是降低储能效率的重要因素,绝缘电阻提供了泄漏的路径。本文以MPPFC为对象,通过测量其的绝缘电阻来研究的泄漏特性。测试结果表明MPPFC的等效绝缘电阻对场强极其敏感,随着场强增加,等效绝缘电阻急剧减小。结晶度显著影响薄膜的等效绝缘电阻。结合Poole-Frenkel效应的等效绝缘电阻计算结果表明,影响等效绝缘电阻的关键参数是电场强度、电导率和Poole-Frenkel效应系数,本文等效绝缘电阻计算值与测试结果吻合。
关键词
电容器
金属化聚丙烯膜
泄漏
绝缘电阻Poole-Frenkel效应
Keywords
Capacitor, metallized polypropylene film, leakage, insulation resistance, Poole-Frenkeleffect
分类号
TM315 [电气工程—电机]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
非晶态碲镉汞的暗电导率和吸收边(英文)
被引量：
2
2
作者
孔金丞
张鹏举
杨佩原
李雄军
孔令德
杨丽丽
赵俊
王光华
姬荣斌
机构
昆明物理研究所
中国兵器科学研究院
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2012年第5期268-271,共4页
基金
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(No.60576069)
文摘
研究了非晶态碲镉汞(x=0.2)薄膜的暗电导率随温度变化关系,发现非晶态结构的碲镉汞材料具有明显的半导体特性,其室温禁带宽度在0.88～0.91eV之间,与通过光学方法获得的结果相符。在80～240K的温度区间非晶态碲镉汞(x=0.2)的暗电导率从1×10—8Ω—1.cm—1缓慢增大到5×10-8Ω—1.cm—1,温度大于240K时,其电导率剧烈增大到1×10—5Ω—1.cm—1,说明在240K附近非晶态碲镉汞材料的导电机制发生了变化,这对非晶态碲镉汞材料的应用研究具有重要意义。还研究了退火过程对非晶态碲镉汞薄膜电导率的影响,结果表明140℃退火后非晶态碲镉汞薄膜发生了部分晶化。
关键词
非晶态碲镉汞
电导率
吸收边
Keywords
amorphous Hg0.8Cd0.2Te
conductivity
absorption edge
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
非晶态碲镉汞薄膜晶化过程的椭圆偏振光谱研究(英文)
被引量：
1
3
作者
孔金丞
王光华
杨佩原
杨丽丽
李雄军
赵俊
张鹏举
孔令德
姬荣斌
机构
昆明物理研究所
中国兵器科学研究院
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2012年第4期187-190,共4页
基金
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(No.60576069)
文摘
采用椭圆偏振光谱技术研究了非晶态碲镉汞薄膜在不同退火条件下的结构性能。结果表明非晶态碲镉汞薄膜在退火过程中的成核晶化是在薄膜内部均匀发生的,对于不同晶化程度的薄膜,其光学常数谱具有明显的特征,通过对光学常数谱的分析研究可以对非晶态碲镉汞薄膜的晶化程度进行量化表征,从而控制退火条件,优化材料质量。
关键词
椭圆偏振光谱
非晶态碲镉汞
晶化
Keywords
spectroscopic ellipsometry（SE）
amorphous Hg0.8Cd0.2Te（amorphous MCT
a-MCT）
crystallization
分类号
TN213 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
不同场强下金属化聚丙烯膜电容器泄漏特性
李智威
李化
杨佩原
林福昌
陈耀红
刘德
王博闻
张钦
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2013
13
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
非晶态碲镉汞的暗电导率和吸收边(英文)
孔金丞
张鹏举
杨佩原
李雄军
孔令德
杨丽丽
赵俊
王光华
姬荣斌
《红外技术》
CSCD
北大核心
2012
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
非晶态碲镉汞薄膜晶化过程的椭圆偏振光谱研究(英文)
孔金丞
王光华
杨佩原
杨丽丽
李雄军
赵俊
张鹏举
孔令德
姬荣斌
《红外技术》
CSCD
北大核心
2012
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
