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Mg膜厚度对Mg_2Si半导体薄膜结构及方块电阻的影响
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作者 杨云良 廖杨芳 +4 位作者 姚震震 肖清泉 张宝晖 章竞予 谢泉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第7期525-530,共6页
采用射频磁控溅射系统和热处理系统制备了Mg2Si半导体薄膜。首先在Si衬底上溅射不同厚度的Mg膜,然后在真空退火炉中进行低真空热处理4 h制备一系列Mg2Si半导体薄膜。采用台阶仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对Mg2Si薄膜样品... 采用射频磁控溅射系统和热处理系统制备了Mg2Si半导体薄膜。首先在Si衬底上溅射不同厚度的Mg膜,然后在真空退火炉中进行低真空热处理4 h制备一系列Mg2Si半导体薄膜。采用台阶仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对Mg2Si薄膜样品的结构、表面形貌、剖面进行表征,研究了Mg膜厚度对Mg2Si半导体薄膜生成的影响。结果表明,在Si衬底上制备出以Mg2Si(220)为主的单一相Mg2Si薄膜,且Mg2Si(220)的衍射峰强度随着Mg膜厚度的增加先增大后减小,Mg膜为2.52μm时,制备的Mg2Si薄膜表现出了良好的结晶度和平整度。最后,研究了Mg膜厚度对Mg2Si薄膜方块电阻的影响。 展开更多
关键词 磁控溅射 热处理 Mg2Si薄膜 薄膜厚度 方块电阻
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A1掺杂半导体Mg_2Si薄膜的制备及光学带隙研究 被引量:5
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作者 王善兰 廖杨芳 +4 位作者 房迪 吴宏仙 肖清泉 杨云良 谢泉 《量子电子学报》 CSCD 北大核心 2017年第5期635-640,共6页
用磁控溅射方法在Si衬底上制备了A1掺杂Mg_2Si薄膜,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和分光光度计研究了掺杂含量对Mg2Si薄膜组分、表面形貌、粗糙度及光学带隙值的影响。XRD结果表明随着A1掺杂量的增加,Mg2Si... 用磁控溅射方法在Si衬底上制备了A1掺杂Mg_2Si薄膜,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和分光光度计研究了掺杂含量对Mg2Si薄膜组分、表面形貌、粗糙度及光学带隙值的影响。XRD结果表明随着A1掺杂量的增加,Mg2Si衍射峰先增强后减弱。SEM及AFM的结果表明随掺杂量的增加,结晶度先增加后降低,晶粒尺寸减小,粗糙度先增加后降低.得到掺杂后薄膜间接跃迁带隙范围为0.423~0.495 eV,直接跃迁带隙范围为0.72~0.748 eV,掺杂前薄膜间接跃迁带隙和直接跃迁带隙分别为0.53 eV、0.833 eV. 展开更多
关键词 材料 MgzSi薄膜 A1掺杂 光学带隙 显微
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关于换算系数(K)计算公式的讨论
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作者 杨云良 《铀矿冶》 CAS 1996年第1期62-66,共5页
换算系数(K)的公式是否合理,直接影响出窿矿石铀含量的分析质量和矿石的分选质量。本文对换算系数(K)计算公式进行了讨论。
关键词 换算系数 计算公式 铀矿石 分选质量
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复合桥面混凝土铺装质量控制
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作者 杨云良 潘维新 《城市道桥与防洪》 2011年第9期209-210,222,共3页
该文列举复合桥面水泥混凝土铺装的质量通病,并分析原因,提出解决方案。
关键词 复合桥面 水泥混凝土铺装 铺装厚度 质量控制
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地下室外墙单面模板支撑施工设计
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作者 武长勇 杨云良 +2 位作者 孙志军 蔡志勇 李艳芳 《建筑施工》 2008年第9期814-814,816,共2页
在地下室中模板只能单面支撑时,介绍了外墙内侧单面模板支撑体系,既确保混凝土垂直度满足规范要求,又省工、省料,且不影响施工进度的施工方案。
关键词 地下室 单面支撑 模板支撑体系
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