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用0.35μm CMOS工艺实现存储接口单元中的数模混合DLL
被引量：
1
1
作者
杨丰林
沈绪榜
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第4期72-75,共4页
论述了一种利用0.35mm、双阱、双层金属、双层多晶硅的CMOS工艺所实现的延迟锁定环(DLL)。该DLL用于RISC处理器中存储接口部件的时钟同步。本文介绍了其应用背景,给出了DLL的系统结构,接着分别介绍了鉴相器、电荷泵以及压控延迟线的电...
论述了一种利用0.35mm、双阱、双层金属、双层多晶硅的CMOS工艺所实现的延迟锁定环(DLL)。该DLL用于RISC处理器中存储接口部件的时钟同步。本文介绍了其应用背景,给出了DLL的系统结构,接着分别介绍了鉴相器、电荷泵以及压控延迟线的电路结构,最后给出相关仿真结果。
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关键词
CMOS工艺
DLL
延迟锁定环
存储接口
压控延迟线
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职称材料
题名
用0.35μm CMOS工艺实现存储接口单元中的数模混合DLL
被引量：
1
1
作者
杨丰林
沈绪榜
机构
华中科技大学图像信息处理与智能控制教育部重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第4期72-75,共4页
文摘
论述了一种利用0.35mm、双阱、双层金属、双层多晶硅的CMOS工艺所实现的延迟锁定环(DLL)。该DLL用于RISC处理器中存储接口部件的时钟同步。本文介绍了其应用背景,给出了DLL的系统结构,接着分别介绍了鉴相器、电荷泵以及压控延迟线的电路结构,最后给出相关仿真结果。
关键词
CMOS工艺
DLL
延迟锁定环
存储接口
压控延迟线
Keywords
delay locked loop(DLL)
memory interface
voltage control delay line(VCDL)
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用0.35μm CMOS工艺实现存储接口单元中的数模混合DLL
杨丰林
沈绪榜
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003
1
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