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题名采用SF_6+O_2反应离子刻蚀聚酰亚胺膜
被引量：1
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作者
孙承龙
杜根娣
郭方敏
陈思琴
林绥娟
胡素英
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机构
中国科学院上海冶金研究所
中国科学院传感技术联合开放国家实验室
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出处
《应用科学学报》
CAS
CSCD
1993年第1期31-36,共6页
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文摘
报道了在O_2或SF_6+O_2混合气体中反应离子刻蚀聚酰亚胺的基本原理.使用牛津等离子科技公司的Plasmalab μp型刻蚀仪,对厚度0—4μm的聚酰正胺膜,进行各向异性的刻蚀,获得了侧墙陡直的微细图形.
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关键词
聚酰亚胺
半导体工艺
侵蚀
薄膜
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Keywords
reactive ion etching, polyimide, sidewall
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分类号
TN405.98
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名InP上Al膜的阳极氧化及其特性研究
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作者
郭康瑾
杜根娣
吴征
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机构
中国科学院上海冶金研究所
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出处
《电子科学学刊》
CSCD
1991年第6期611-617,共7页
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文摘
本文报道了半导体InP上Al膜阳极氧化的研究,并用AES,V-V,DLTS和椭圆仪等测试方法研究了氧化膜的稳定性、电学特性、组分的纵向分布以及Al_2O_3/InP的界面特性,研究结果表明,阳极氧化Al_2O_3的介电常数为11～12,Al_2O_3/InP界面存在一个能量上连续分布的电子陷阱,DLTS峰值对应的能级位置约在E_c-E_c=0.5eV,其俘获截面约为10^(-15)cm^2,Al_2O_3/InP的界面态密度为10^(11)cm^(-2)eV^(-1)。阳极氧化Al_2O_3的稳定性要比InP自身氧化物好得多,更适于用作器件的钝化保护和扩散掩蔽膜。
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关键词
半导体界面
阳极氧化
介质薄膜
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Keywords
Semiconductor interface
Anodization
Dielectric thin film
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分类号
TN304.055
[电子电信—物理电子学]
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题名压电晶体双晶片汞传感器
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作者
李光云
陆新根
王科峰
杜根娣
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机构
中科院上海冶金研究所
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出处
《应用科学学报》
CAS
CSCD
1994年第1期53-56,共4页
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文摘
设计了新型的压电晶体传感器探头，使参考晶片与传感晶片同时直接接触待测气体．试验了使用该结构的压电晶体双晶片汞传感器的测汞性能和对水份干扰的影响．实验结果表明：在相当大的范围内．参考晶片接触待测气体并不影响传感器对汞蒸汽的探测，而且还减少了水份等气氛的干扰．
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关键词
压电晶体
汞传感器
晶片
传感器
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Keywords
piezoelectric crystal,mercury sensor,sensitive water,referencewafer.
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分类号
TP212
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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题名压电晶体对汞蒸气浓度的标定
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作者
李光云
杜根娣
王科峰
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机构
华南师范大学量子电子学研究所
中国科学院上海冶金研究所
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出处
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
1994年第4期26-29,35,共5页
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文摘
本文介绍了对两个相互串联连接的压电石英晶体探测器,对大气中汞蒸气浓度进行标定的新方法。文中详细阐述了该分析方法的原理、实验装置和实验步骤。对实验结果进行了讨论,并与YYG-2型冷原子荧光测汞仪的测量结果进行了比较。实验结果表明:该方法不但快速、简便,而且由于不存在溶液吸收不完全和从溶液中再释放出汞蒸气等现象,因此,测量准确性很高。
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关键词
压电晶体
探测器
汞
浓度
标定
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分类号
X831
[环境科学与工程—环境工程]
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