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双向负阻器件的数值模拟
被引量：
3
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作者
李建军
魏希文
+3 位作者
王美田
李风银
王化雨
盖学敏
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第2期66-69,共4页
本文通过对双向负阻器件进行数值模拟，分析了其产生负阻的内部图象，模拟结果表明，高阻集电区厚度的减小或衬底杂质浓度的增加使负阻曲线的摆幅增大，而基区掺杂浓度的提高将使负阻曲线的峰值减小。
关键词
负阻器件
数值模拟
半导体器件
在线阅读
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职称材料
题名
双向负阻器件的数值模拟
被引量：
3
1
作者
李建军
魏希文
王美田
李风银
王化雨
盖学敏
机构
大连理工大学半导体研究室
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第2期66-69,共4页
基金
国家自然科学基金
文摘
本文通过对双向负阻器件进行数值模拟，分析了其产生负阻的内部图象，模拟结果表明，高阻集电区厚度的减小或衬底杂质浓度的增加使负阻曲线的摆幅增大，而基区掺杂浓度的提高将使负阻曲线的峰值减小。
关键词
负阻器件
数值模拟
半导体器件
Keywords
Negative resistance device,Numerical simulation
分类号
TN389 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
双向负阻器件的数值模拟
李建军
魏希文
王美田
李风银
王化雨
盖学敏
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996
3
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