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不同偏置状态下4T-CMOS图像传感器的总剂量辐射效应
被引量：
3
1
作者
马林东
李
豫东
(
指导
)
+3 位作者
郭旗
文林
周东
冯婕
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2018年第10期309-313,共5页
对不同偏置状态下的国产科学级0.18μm工艺掩埋型4T-CMOS有源像素图像传感器进行钴-60γ射线辐照和退火实验,研究总剂量效应对图像传感器的性能影响,并观察是否存在总剂量偏置效应。着重分析暗电流、满阱容量等参数随累积剂量的变化规...
对不同偏置状态下的国产科学级0.18μm工艺掩埋型4T-CMOS有源像素图像传感器进行钴-60γ射线辐照和退火实验,研究总剂量效应对图像传感器的性能影响,并观察是否存在总剂量偏置效应。着重分析暗电流、满阱容量等参数随累积剂量的变化规律。实验结果表明随着辐照总剂量累加,暗电流前期缓慢增长,之后退化明显加剧,这主要是由于辐照致界面态和氧化物陷阱电荷密度增加。4T-CMOS图像传感器的暗电流主要由来源于STI界面,而辐照导致耗尽区展宽与STI接触使得暗电流增长加剧,同时,辐照导致的耗尽区展宽也引起满阱容量的下降。并且在4T-CMOS图像传感器的实验中没有发现明显的总剂量偏置效应。
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关键词
CMOS有源像素传感器
总剂量效应
暗电流
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职称材料
题名
不同偏置状态下4T-CMOS图像传感器的总剂量辐射效应
被引量：
3
1
作者
马林东
李
豫东
(
指导
)
郭旗
文林
周东
冯婕
机构
中国科学院新疆理化技术研究所
新疆电子信息材料与器件重点实验室
中国科学院大学
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2018年第10期309-313,共5页
基金
国家自然科学基金(11675259)；中国科学院青年创新促进会和新疆维吾尔自治区青年科技创新人才培养工程(qn2015yx035)。
文摘
对不同偏置状态下的国产科学级0.18μm工艺掩埋型4T-CMOS有源像素图像传感器进行钴-60γ射线辐照和退火实验,研究总剂量效应对图像传感器的性能影响,并观察是否存在总剂量偏置效应。着重分析暗电流、满阱容量等参数随累积剂量的变化规律。实验结果表明随着辐照总剂量累加,暗电流前期缓慢增长,之后退化明显加剧,这主要是由于辐照致界面态和氧化物陷阱电荷密度增加。4T-CMOS图像传感器的暗电流主要由来源于STI界面,而辐照导致耗尽区展宽与STI接触使得暗电流增长加剧,同时,辐照导致的耗尽区展宽也引起满阱容量的下降。并且在4T-CMOS图像传感器的实验中没有发现明显的总剂量偏置效应。
关键词
CMOS有源像素传感器
总剂量效应
暗电流
Keywords
CMOS active pixel sensor
total ionizing dose radiation effect
dark current
分类号
TN386.5 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
不同偏置状态下4T-CMOS图像传感器的总剂量辐射效应
马林东
李
豫东
(
指导
)
郭旗
文林
周东
冯婕
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2018
3
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职称材料
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