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等离激元增强金硅肖特基结近红外光电探测器进展
被引量：
2
1
作者
王琦龙
李裕培
+3 位作者
翟雨生
计吉焘
邹海洋
陈广甸
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2019年第2期29-42,共14页
表面等离激元共振衰减诱导热电子,因其能量高、分布窄、打破半导体禁带宽度限制等特点被广泛应用于拓展半导体光电转换的响应光谱,如拓展宽禁带半导体的响应光谱至可见光波段,拓展硅的响应波段至近红外。此外,还可以通过调节表面等离激...
表面等离激元共振衰减诱导热电子,因其能量高、分布窄、打破半导体禁带宽度限制等特点被广泛应用于拓展半导体光电转换的响应光谱,如拓展宽禁带半导体的响应光谱至可见光波段,拓展硅的响应波段至近红外。此外,还可以通过调节表面等离激元结构调控响应光谱和实现偏振探测,在实现硅基近红外光电探测领域具有重要的应用价值。从表面等离激元以及表面等离激元内光电效应的机理出发,综述了表面等离激元热电子原理在实现硅基近红外光电探测方面的研究进展,并总结了表面等离激元结构的形貌,尺寸、分布等因素对热电子的产生(外量子效率)和注入效率(内量子效率)的影响。最后展望了基于表面等离激元结构的硅基肖特基结近红外光电探测的研究方向。
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关键词
表面等离激元
内光电效应
硅基
近红外
光电探测
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职称材料
基于等离激元热电子效应的光电晶体管制备及其特性
被引量：
2
2
作者
陈广甸
翟雨生
+1 位作者
李裕培
王琦龙
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第3期517-522,共6页
为了解决典型宽禁带半导体光电探测器件的工作波段限制材料禁带宽度的问题,对基于表面等离激元热电子效应的光电晶体管进行了制备和光电性能研究,提出一种采用重掺杂的硅片作为背栅极、二氧化硅(SiO_2)氧化层作为绝缘层,且能利用等离激...
为了解决典型宽禁带半导体光电探测器件的工作波段限制材料禁带宽度的问题,对基于表面等离激元热电子效应的光电晶体管进行了制备和光电性能研究,提出一种采用重掺杂的硅片作为背栅极、二氧化硅(SiO_2)氧化层作为绝缘层,且能利用等离激元热电子效应的光电晶体管,有望实现响应光谱的调控。利用热退火方法在绝缘层表面修饰金纳米颗粒,并结合射频溅射、物理掩模和真空热蒸镀的方法实现了热电子效应铟镓锌氧化物(IGZO)光电晶体管。器件的光学和电学性能测试结果表明:修饰金纳米颗粒的光电晶体管在658nm红光入射下产生明显的光电响应,外加90V栅极偏压时,光电流提升约为2.2倍。金纳米颗粒修饰的等离激元热电子结构有效调控了该型晶体管的响应光谱范围,不受材料禁带宽度的限制,而且晶体管的背栅调控进一步放大光电流,提高了器件的量子效率。
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关键词
光电探测
等离激元
热电子
禁带宽度
铟镓锌氧化物
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职称材料
题名
等离激元增强金硅肖特基结近红外光电探测器进展
被引量：
2
1
作者
王琦龙
李裕培
翟雨生
计吉焘
邹海洋
陈广甸
机构
东南大学电子科学与工程学院信息显示与可视化国际合作实验室
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2019年第2期29-42,共14页
基金
NSAF联合基金(U1730113)
江苏省自然科学基金(BK20171365)
+2 种基金
111计划(B07027)
中央高校基本科研业务费专项资金
江苏省研究生科研与实践创新计划(SJCX17_0020)
文摘
表面等离激元共振衰减诱导热电子,因其能量高、分布窄、打破半导体禁带宽度限制等特点被广泛应用于拓展半导体光电转换的响应光谱,如拓展宽禁带半导体的响应光谱至可见光波段,拓展硅的响应波段至近红外。此外,还可以通过调节表面等离激元结构调控响应光谱和实现偏振探测,在实现硅基近红外光电探测领域具有重要的应用价值。从表面等离激元以及表面等离激元内光电效应的机理出发,综述了表面等离激元热电子原理在实现硅基近红外光电探测方面的研究进展,并总结了表面等离激元结构的形貌,尺寸、分布等因素对热电子的产生(外量子效率)和注入效率(内量子效率)的影响。最后展望了基于表面等离激元结构的硅基肖特基结近红外光电探测的研究方向。
关键词
表面等离激元
内光电效应
硅基
近红外
光电探测
Keywords
surface plasmon
internal photoemission effect(IPE)
silicon-based
near-infrared
photoelectronic dectection
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于等离激元热电子效应的光电晶体管制备及其特性
被引量：
2
2
作者
陈广甸
翟雨生
李裕培
王琦龙
机构
东南大学电子科学与工程学院信息显示与可视化国际合作实验室
出处
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第3期517-522,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.61372030
No.91333118
+5 种基金
No.51120125001
No.61571124)
NSAF基金资助项目(No.U1730113)
江苏省自然科学基金资助项目(No.BK20171365)
国家高新技术研究开发计划(No.2015AA016301)
111计划(No.B07027)
文摘
为了解决典型宽禁带半导体光电探测器件的工作波段限制材料禁带宽度的问题,对基于表面等离激元热电子效应的光电晶体管进行了制备和光电性能研究,提出一种采用重掺杂的硅片作为背栅极、二氧化硅(SiO_2)氧化层作为绝缘层,且能利用等离激元热电子效应的光电晶体管,有望实现响应光谱的调控。利用热退火方法在绝缘层表面修饰金纳米颗粒,并结合射频溅射、物理掩模和真空热蒸镀的方法实现了热电子效应铟镓锌氧化物(IGZO)光电晶体管。器件的光学和电学性能测试结果表明:修饰金纳米颗粒的光电晶体管在658nm红光入射下产生明显的光电响应,外加90V栅极偏压时,光电流提升约为2.2倍。金纳米颗粒修饰的等离激元热电子结构有效调控了该型晶体管的响应光谱范围,不受材料禁带宽度的限制,而且晶体管的背栅调控进一步放大光电流,提高了器件的量子效率。
关键词
光电探测
等离激元
热电子
禁带宽度
铟镓锌氧化物
Keywords
photoelectronic dectection
plasmonic
hot-electron
band gap
Indium Gallium Zinc Oxide(IGZO)
分类号
TN364.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
等离激元增强金硅肖特基结近红外光电探测器进展
王琦龙
李裕培
翟雨生
计吉焘
邹海洋
陈广甸
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2019
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
基于等离激元热电子效应的光电晶体管制备及其特性
陈广甸
翟雨生
李裕培
王琦龙
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
2
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