期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
离子液体中硅锗膜共沉积过程的反应特性 被引量:2
1
作者 于兆亮 李忠跃 +3 位作者 李维岩 李季 孟祥东 李海波 《吉林大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期1031-1034,共4页
采用电沉积法,在[EMIm]Tf2N离子液体中选取恒电位制备SiGe膜.为考察SiGe在工作电极表面的反应特性,在[EMIm]Tf2N离子液体中测试不同扫描速率下的循环伏安(CV)曲线,并利用扫描电镜和能谱分析研究SiGe膜的表面形貌和组分.结果表明,[EMIm]T... 采用电沉积法,在[EMIm]Tf2N离子液体中选取恒电位制备SiGe膜.为考察SiGe在工作电极表面的反应特性,在[EMIm]Tf2N离子液体中测试不同扫描速率下的循环伏安(CV)曲线,并利用扫描电镜和能谱分析研究SiGe膜的表面形貌和组分.结果表明,[EMIm]Tf2N离子液体中SiGe的共沉积是受扩散控制的非可逆电极过程;在该离子液体中,SiGe共沉积的平均阴极传递系数α=0.175,扩散系数D0=6.64×10-7 m/s. 展开更多
关键词 离子液体 硅锗 共沉积 扫描速率 循环伏安
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部