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离子液体中硅锗膜共沉积过程的反应特性
被引量:
2
1
作者
于兆亮
李忠跃
+3 位作者
李维岩
李季
孟祥东
李海波
《吉林大学学报(理学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第5期1031-1034,共4页
采用电沉积法,在[EMIm]Tf2N离子液体中选取恒电位制备SiGe膜.为考察SiGe在工作电极表面的反应特性,在[EMIm]Tf2N离子液体中测试不同扫描速率下的循环伏安(CV)曲线,并利用扫描电镜和能谱分析研究SiGe膜的表面形貌和组分.结果表明,[EMIm]T...
采用电沉积法,在[EMIm]Tf2N离子液体中选取恒电位制备SiGe膜.为考察SiGe在工作电极表面的反应特性,在[EMIm]Tf2N离子液体中测试不同扫描速率下的循环伏安(CV)曲线,并利用扫描电镜和能谱分析研究SiGe膜的表面形貌和组分.结果表明,[EMIm]Tf2N离子液体中SiGe的共沉积是受扩散控制的非可逆电极过程;在该离子液体中,SiGe共沉积的平均阴极传递系数α=0.175,扩散系数D0=6.64×10-7 m/s.
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关键词
离子液体
硅锗
共沉积
扫描速率
循环伏安
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职称材料
题名
离子液体中硅锗膜共沉积过程的反应特性
被引量:
2
1
作者
于兆亮
李忠跃
李维岩
李季
孟祥东
李海波
机构
吉林师范大学材料物理与化学教育部重点实验室
吉林大学无机合成与制备化学国家重点实验室
出处
《吉林大学学报(理学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第5期1031-1034,共4页
基金
国家自然科学基金(批准号:61275047
21371071)
+1 种基金
教育部科学技术研究项目(批准号:213009A)
中国博士后科学基金(批准号:2012M510868)
文摘
采用电沉积法,在[EMIm]Tf2N离子液体中选取恒电位制备SiGe膜.为考察SiGe在工作电极表面的反应特性,在[EMIm]Tf2N离子液体中测试不同扫描速率下的循环伏安(CV)曲线,并利用扫描电镜和能谱分析研究SiGe膜的表面形貌和组分.结果表明,[EMIm]Tf2N离子液体中SiGe的共沉积是受扩散控制的非可逆电极过程;在该离子液体中,SiGe共沉积的平均阴极传递系数α=0.175,扩散系数D0=6.64×10-7 m/s.
关键词
离子液体
硅锗
共沉积
扫描速率
循环伏安
Keywords
ionic liquid
SiGe
codeposition
scan rate
cyclic voltammetry
分类号
O469 [理学—凝聚态物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
离子液体中硅锗膜共沉积过程的反应特性
于兆亮
李忠跃
李维岩
李季
孟祥东
李海波
《吉林大学学报(理学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2014
2
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