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离子束溅射制备CuInSe_2薄膜的研究 被引量:9
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作者 范平 郑壮豪 +4 位作者 张东平 梁广兴 蔡兴民 汝丽丽 李红奕 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期659-663,共5页
利用离子束溅射沉积技术,设计三元复合靶,直接制备CuInSe2(CIS)薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和分光光度计检测在不同衬底温度和退火温度条件下制备的CIS薄膜的微结构、表面形貌和光学性能。实验结果表明:使用离子束... 利用离子束溅射沉积技术,设计三元复合靶,直接制备CuInSe2(CIS)薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和分光光度计检测在不同衬底温度和退火温度条件下制备的CIS薄膜的微结构、表面形貌和光学性能。实验结果表明:使用离子束溅射沉积技术制备的CIS薄膜具有黄铜矿结构,在一定的条件下,适当温度的热处理可以制备结构紧密、颗粒均匀、致密性和结晶性良好的CIS薄膜,具有强烈的单一晶向生长现象。 展开更多
关键词 离子束溅射 CIS薄膜 衬底温度 退火温度
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