240nm Si_(0.8)Ge_(0.2)虚衬底的应变Si沟道PMOSFET

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作者 李竞春 韩春 +2 位作者 周谦 张静 徐婉静 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期126-128,共3页

针对应变SiPMOSFET的弛豫SiGe虚拟衬底厚度大的问题(>1μm),采用了低温Si技术试制出240nm厚虚衬底的应变Si沟道PMOSFET。器件显示出良好的直流特性,其跨导和空穴迁移率比传统Si器件分别提高了30%和50%。器件性能可与采用1μm以上SiG... 针对应变SiPMOSFET的弛豫SiGe虚拟衬底厚度大的问题(>1μm),采用了低温Si技术试制出240nm厚虚衬底的应变Si沟道PMOSFET。器件显示出良好的直流特性,其跨导和空穴迁移率比传统Si器件分别提高了30%和50%。器件性能可与采用1μm以上SiGe虚衬底的PMOSFET器件相比拟。 展开更多

关键词 SIGE 应变SI 低温Si PMOSFET

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局部双轴应变SiGe材料的生长与表征

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作者 李竞春 杨洪东 +1 位作者 杨阳 全冯溪 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1048-1051,共4页

利用分子束外延(MBE)对双轴应变SiGe局部区域外延生长和表征进行了研究.图形窗口边界采用多晶Si侧墙,多层SiGe薄膜分段温度生长.采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线双晶衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和位错密度测试等多种... 利用分子束外延(MBE)对双轴应变SiGe局部区域外延生长和表征进行了研究.图形窗口边界采用多晶Si侧墙,多层SiGe薄膜分段温度生长.采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线双晶衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和位错密度测试等多种实验技术,结果表明:薄膜表面窗口内双轴应变SiGe薄膜厚度和Ge组分得到精确控制,垂直应变度达到1.175%,其表面粗糙度为0.45nm,SiGe位错密度为1.2×103cm-2.由于采用多晶Si侧墙,外延材料表面没有发现窗口边缘处明显位错堆积.实验证实,采用该技术生长的局部双轴应变SiGe薄膜质量良好,基本满足SiGe BiCMOS器件制备要求. 展开更多

关键词 双轴应变SiGe 局部外延 应变度 位错

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采用低温Si技术的Si/SiGe异质结p-MOSFET

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作者 李竞春 谭静 +2 位作者 梅丁蕾 张静 徐婉静 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期162-165,共4页

针对S i/S iG e p-M O SFET的虚拟S iG e衬底厚度较大(大于1μm)的问题,采用低温S i技术在S i缓冲层和虚拟S iG e衬底之间M BE生长低温-S i层。S iG e层应力通过低温-S i层释放,达到应变弛豫。XRD和AFM测试表明,S i0.8G e0.2层厚度可减... 针对S i/S iG e p-M O SFET的虚拟S iG e衬底厚度较大(大于1μm)的问题,采用低温S i技术在S i缓冲层和虚拟S iG e衬底之间M BE生长低温-S i层。S iG e层应力通过低温-S i层释放,达到应变弛豫。XRD和AFM测试表明,S i0.8G e0.2层厚度可减薄至300 nm,其弛豫度大于85%,表面平均粗糙度仅为1.02 nm。试制出应变S i/S iG e p-M O SFET器件,最大空穴迁移率达到112 cm2/V s,其性能略优于目前多采用1μm厚虚拟S iG e衬底的器件。 展开更多

关键词 低温硅 锗硅 p型场效应晶体管

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短沟道MOSFET解析物理模型 被引量：2

4

作者 杨谟华 于奇 +2 位作者 肖兵 谢晓峰 李竞春 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第11期84-86,92,共4页

本文基于修正的二维泊松方程导出了适用于深亚微米MOSFET的阈值电压解析模型,并进而通过反型区电荷统一表达式并考虑到载流子速度饱和、DIBL、相关迁移率、反型层电容和沟道长度调制等主要小尺寸与高场效应,最后得到了较为准确、连续和... 本文基于修正的二维泊松方程导出了适用于深亚微米MOSFET的阈值电压解析模型,并进而通过反型区电荷统一表达式并考虑到载流子速度饱和、DIBL、相关迁移率、反型层电容和沟道长度调制等主要小尺寸与高场效应,最后得到了较为准确、连续和可缩小的漏极电流模型.模型输出与华晶等样品测试MINIMOS模拟结果较为吻合。 展开更多

关键词 短沟道 MOSFET 解析物理模型 VLSI/ULSI

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低噪声CMOS电荷敏放大器设计与研制(英文) 被引量：1

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作者 于奇 杨谟华 +2 位作者 李竞春 王向展 肖海燕 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期146-148,163,共4页

提出了一种新的低噪声低功耗电荷敏感放大器设计方案。用EDA软件Cadence进行模拟,得到了满意的仿真结果:直流开环增益为82.9 dB,f-3dB为28 kHz,相位裕度为46.9 ,低频下输出噪声频谱密度为1.5 mV/Hz2。采用标准的3 mm P阱CMOS工艺进行了... 提出了一种新的低噪声低功耗电荷敏感放大器设计方案。用EDA软件Cadence进行模拟,得到了满意的仿真结果:直流开环增益为82.9 dB,f-3dB为28 kHz,相位裕度为46.9 ,低频下输出噪声频谱密度为1.5 mV/Hz2。采用标准的3 mm P阱CMOS工艺进行了流片,测试结果与模拟情况相近。 展开更多

关键词 低噪声 电荷放大器 低功耗设计 低电压 CMOS 仿真

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适于PMOSFET的局部双轴压应变Si_(0.8)Ge_(0.2)的生长

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作者 卢盛辉 杨洪东 +2 位作者 李竞春 谭开州 张静 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第16期1-4,共4页

通过控制局部双轴压应变SiGe材料的缺陷、组分与厚度,设置了多晶Si侧壁与Si缓冲层的特别几何结构,采用固态源分子束外延MBE设备生长了适于PMOSFET器件的局部双轴压应变Si0.8Ge0.2材料。经SEM、AFM、XRD测试分析,该材料表面粗糙度达0.45n... 通过控制局部双轴压应变SiGe材料的缺陷、组分与厚度,设置了多晶Si侧壁与Si缓冲层的特别几何结构,采用固态源分子束外延MBE设备生长了适于PMOSFET器件的局部双轴压应变Si0.8Ge0.2材料。经SEM、AFM、XRD测试分析,该材料表面粗糙度达0.45nm;Si1-xGex薄膜中Ge组分x=0.188,厚度为37.8nm,与设计值较接近;穿透位错主要由侧壁界面产生,集中在窗口边缘,密度为(0.3～1.2)×103cm-2;在表面未发现十字交叉网格,且Si0.8Ge0.2衍射峰两侧干涉条纹清晰,说明Si0.8Ge0.2与Si缓冲层界面失配位错已被有效抑制。测试分析结果表明,生长的局部双轴压应变SiGe材料质量较高,可用于高性能SiGe PMOSFET的制备与工艺参考。 展开更多

关键词 局部双轴应变 应变锗硅 特别几何结构 材料生长

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一种应用于10位逐次逼近ADC的比较器设计 被引量：1

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作者 肖培磊 胡小琴 李竞春 《电子与封装》 2010年第5期17-21,共5页

文中提出了一种应用于10位逐次逼近ADC的比较器。该比较器包括预放大器、中间放大器、输出驱动级及共模电平缓冲器。整体开环设计,采用多级级联的形式以满足增益和速度的要求;采用输出失调消除技术进行失调校正;为了提高共模电平的驱动... 文中提出了一种应用于10位逐次逼近ADC的比较器。该比较器包括预放大器、中间放大器、输出驱动级及共模电平缓冲器。整体开环设计,采用多级级联的形式以满足增益和速度的要求;采用输出失调消除技术进行失调校正;为了提高共模电平的驱动能力和缩短建立时间,采用分压电路加单位增益放大器的结构。基于3.3V电源电压、TSMC0.18μmCMOS工艺下,仿真结果表明,完全满足最高采样频率30MHz、10位精度的模数转换器要求。 展开更多

关键词 比较器 缓冲器 失调校正 放大器

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HRXRD研究SiN盖帽层在Si中引入的应变

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作者 杨洪东 于奇 +3 位作者 王向展 李竞春 罗谦 姬洪 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1-4,共4页

为了研究SiN盖帽层在Si中引入应变的机理与控制,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术分析了Si中应变的各向异性以及与盖帽层厚度的关系。研究发现,盖帽层厚度低于300nm时,应变量与厚度呈近线性关系,随后增加趋缓,最终达到一饱和值;同时,应... 为了研究SiN盖帽层在Si中引入应变的机理与控制,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术分析了Si中应变的各向异性以及与盖帽层厚度的关系。研究发现,盖帽层厚度低于300nm时,应变量与厚度呈近线性关系,随后增加趋缓,最终达到一饱和值;同时,应变在不同晶向表现出明显的各向异性,表层应变Si与未应变Si衬底在(004)晶面上的衍射峰重叠在一起,而(111)晶面的2个衍射峰可明显地被分离,且倾角对Si衬底衍射峰半高宽具有明显的展宽。 展开更多

关键词 氮化硅 应变测量 高分辨X射线衍射应变硅

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一种采用BiCMOS工艺的SiGeHBT基区生长方法

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作者 杨洪东 李竞春 +3 位作者 于奇 周谦 谭开州 张静 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期589-592,共4页

为抑制SiGeHBT基区生长过程中岛状物生成,降低位错密度,基于渐变温度控制方法和图形外延技术,结合BiCMOS工艺,研发了在Si衬底上制备高质量Si1-xGex基区的外延生长方法。通过原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线双晶衍射(XRD... 为抑制SiGeHBT基区生长过程中岛状物生成,降低位错密度,基于渐变温度控制方法和图形外延技术,结合BiCMOS工艺,研发了在Si衬底上制备高质量Si1-xGex基区的外延生长方法。通过原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线双晶衍射(XRD)测试,显示所生长的Si1,Gex基区表面粗糙度为0.45nm,穿透位错密度是0.3×103～1.2×103cm-2。,在窗口边界与基区表面未发现位错堆积与岛状物。结果表明,该方法适宜生长高质量的SiGeHBT基区,可望应用于SiGeBiCMOS工艺中HBT的制备。 展开更多

关键词 锗硅基区 渐变温度控制 图形外延 锗硅BiCMOS

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硅基片上螺旋电感宽带物理模型 被引量：1

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作者 郑薇 王向展 +4 位作者 任军 杨帆 尤焕成 李竞春 杨谟华 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第5期1254-1257,共4页

针对高损耗硅衬底,基于部分元等效电路方法和麦克斯韦电磁场理论,计入了趋肤效应、邻近效应和衬底涡流损耗对螺旋电感串联电感Ls与串联电阻Rs频率特性的制约,并通过nπ等效电路结构模拟了寄生电容的分布特性,从而建立了一种新的片上螺... 针对高损耗硅衬底,基于部分元等效电路方法和麦克斯韦电磁场理论,计入了趋肤效应、邻近效应和衬底涡流损耗对螺旋电感串联电感Ls与串联电阻Rs频率特性的制约,并通过nπ等效电路结构模拟了寄生电容的分布特性,从而建立了一种新的片上螺旋电感物理模型。通过与全波分析方法对比,验证了在20GHz范围内由该模型导出的等效电感Leff,等效电阻Reff和Q值误差均在7%以内。该模型可望用于硅基射频集成电路中螺旋电感进一步的理论探讨和优化设计。 展开更多

关键词 片上螺旋电感 物理模型 何等效电路 邻近效应 涡流损耗

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应变Si沟道CMOS中的离子注入工艺

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作者 谭静 李竞春 +2 位作者 杨谟华 徐婉静 张静 《电子工艺技术》 2005年第6期349-351,354,共4页

为避免应变Si沟道(Strained Si channel)CMOS工艺中的高温过程,通过选择合适的离子注入能量和剂量,采用快速热退火(RTP)工艺,制备出适合做应变Si沟道CMOS的双阱及源漏。霍尔测试得表面电子迁移率为1 117cm2/V.s,载流子激活率为98%;原子... 为避免应变Si沟道(Strained Si channel)CMOS工艺中的高温过程,通过选择合适的离子注入能量和剂量,采用快速热退火(RTP)工艺,制备出适合做应变Si沟道CMOS的双阱及源漏。霍尔测试得表面电子迁移率为1 117cm2/V.s,载流子激活率为98%;原子力显微镜测试表明应变Si表面RMS为110 nm;XRD测试虚拟衬底SiGe弛豫度达96.41%;源漏结击穿电压为43.64 V。 展开更多

关键词 STRAINED SI CMOS 离子注入 双阱 源漏

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喷灌条件下茶园土壤肥力与茶叶品质指标 被引量：7

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作者 缪子梅 李竞春 +1 位作者 陈栋 王维汉 《排灌机械工程学报》 EI CSCD 北大核心 2018年第6期524-528,共5页

在喷灌条件下水分调控的基础上,采用田间试验研究了茶园土壤肥力指标(包括土壤氮素、土壤温度)与茶叶品质指标(包括氨基酸、茶多酚)的动态变化规律.研究结果表明,喷灌条件下茶园表层土壤总氮(TN)质量比最高,随着土层深度的增加,TN质量... 在喷灌条件下水分调控的基础上,采用田间试验研究了茶园土壤肥力指标(包括土壤氮素、土壤温度)与茶叶品质指标(包括氨基酸、茶多酚)的动态变化规律.研究结果表明,喷灌条件下茶园表层土壤总氮(TN)质量比最高,随着土层深度的增加,TN质量比呈递减趋势,喷灌处理各土层TN质量比略高于常规处理,速效氮质量比变化呈现与TN质量比变化相同趋势,对比常规处理,喷灌处理各土层土壤TN平均质量比增加3.3%~22.2%,速效氮平均质量比增加7.1%~24.7%;喷灌处理表层土壤与20 cm土层土壤温度均高于常规处理,表层土壤温度在5:00最低,比常规处理提前1 h,在14:00最高,与常规处理同步,20 cm土层土壤温度在8:00最低,比常规提前2 h,在17:00最高,比常规处理提前近2 h;此外,氨基酸质量比变化呈现出先降低后增加的趋势,茶多酚质量比变化呈现出先增加后降低的趋势,喷灌处理氨基酸、茶多酚质量比均高于常规处理,氨基酸质量比提高12.21%,茶多酚质量比提高17.03%. 展开更多

关键词 茶园 喷灌 土壤氮素 土壤温度 氨基酸 茶多酚

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基于熵权TOPSIS模型评价涝渍条件下冬小麦水位管理方案 被引量：9

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作者 缪子梅 李竞春 陈栋 《排灌机械工程学报》 EI CSCD 北大核心 2018年第12期1306-1311,共6页

为了选取基于资源、环境、效益相统一的水位调控方案,通过调节农田水位,制定了不同的排灌方案模拟冬小麦不同生育期的涝渍胁迫状况.将熵权法和TOPSIS模型有机结合,从冬小麦的高产、水资源的高效利用、减少农业面源污染3个方面选取4个指... 为了选取基于资源、环境、效益相统一的水位调控方案,通过调节农田水位,制定了不同的排灌方案模拟冬小麦不同生育期的涝渍胁迫状况.将熵权法和TOPSIS模型有机结合,从冬小麦的高产、水资源的高效利用、减少农业面源污染3个方面选取4个指标构建冬小麦水位管理评价体系.通过熵权法确定各指标权重,运用TOPSIS模型对13种不同的水位管理方案进行计算,得到各处理的理论贴合度Si,从而评价了各水位管理方案受到涝渍胁迫的影响.根据模型计算结果得出,冬小麦在乳熟期-200 mm(3 d)(5 d-800 mm)受涝渍影响最严重,造成产量下降明显;而在分蘖期-50 mm(1 d)(5 d-200 mm)受到涝渍胁迫时,可实现冬小麦高产、节水和减排的目标.结果符合试验规律,具有一定的实践价值. 展开更多

关键词 冬小麦 TOPSIS 涝渍胁迫 水位管理 熵权

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