期刊文献+
共找到5篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
宫腹腔镜联合行输卵管插管疏通术在输卵管阻塞性不孕症中的应用 被引量:27
1
作者 李秀然 方如丹 沈洪沁 《中国内镜杂志》 CSCD 北大核心 2005年第2期158-160,共3页
目的探讨宫腹腔镜联合行输卵管插管疏通术治疗输卵管阻塞性不孕症的疗效。方法选择经子宫输卵管造影术(HSG)诊断证实输卵管阻塞性不孕症患者52例,采用宫腹腔镜联合行输卵管插管疏通术。结果52例患者,104条阻塞输卵管,96条疏通成功,再通... 目的探讨宫腹腔镜联合行输卵管插管疏通术治疗输卵管阻塞性不孕症的疗效。方法选择经子宫输卵管造影术(HSG)诊断证实输卵管阻塞性不孕症患者52例,采用宫腹腔镜联合行输卵管插管疏通术。结果52例患者,104条阻塞输卵管,96条疏通成功,再通率92.3%。随访52例,时间30 d~24个月,妊娠24例,难免流产1例,宫外孕1例,妊娠率46.2%。结论应用宫腹腔镜联合行输卵管插管疏通术是治疗输卵管阻塞性不孕症的一种有效方法。 展开更多
关键词 输卵管阻塞 不孕症 输卵管插管 宫腔镜 腹腔镜
在线阅读 下载PDF
助孕增膜方对促排卵周期子宫内膜容受性的影响 被引量:19
2
作者 李秀然 《中医药临床杂志》 2011年第7期624-626,共3页
目的:探讨应用中药复方助孕增膜方在改善促排卵周期不孕症患者的子宫内膜容受性的影响。方法:将120例促排卵周期中子宫内膜生长不良的不孕患者在下一个促排卵周期中随机分为2组:治疗组60例,月经周期第5天口服助孕增膜方,每日1剂;对照组6... 目的:探讨应用中药复方助孕增膜方在改善促排卵周期不孕症患者的子宫内膜容受性的影响。方法:将120例促排卵周期中子宫内膜生长不良的不孕患者在下一个促排卵周期中随机分为2组:治疗组60例,月经周期第5天口服助孕增膜方,每日1剂;对照组60例,月经第5天起每天口服戊酸雌二醇2mg;以上2组均在排卵日(B超声像显示优势卵泡消失日为排卵日)停服上述药物。采用阴道B超监测成熟卵泡发育数量、内膜厚度及内膜类型、双侧子宫动脉血流参数及妊娠率。结果:2组用药后患者子宫内膜厚度均有改善,2组之间差异无统计学意义(P>0.05);子宫动脉血流参数中,治疗组阻力指数(R I)和搏动指数(PI)明显低于对照组,差异有统计学意义(P<0.05);治疗组成熟卵泡发育数量比对照组多,差异有统计学意义(P<0.05);在妊娠率方面,治疗组高于对照组,差异有统计学意义(P<0.05)。结论:助孕增膜方组能增加促排卵周期子宫内膜厚度,促进子宫内膜生长并改善子宫动脉血供。 展开更多
关键词 戊酸雌二醇 助孕增膜方 子宫内膜容受性 不孕症 子宫内膜发育情况 子宫动脉血流
在线阅读 下载PDF
疏肝滋肾法治疗高催乳素血症30例
3
作者 李秀然 《江西中医药》 2009年第4期48-49,共2页
目的:观察以疏肝滋肾法组方的中药治疗高催乳素血症的临床疗效,并探讨其作用机制。方法:60例患者随机分为2组,治疗组(疏肝滋肾法)和对照组(溴隐亭),每组30例。观察治疗前后血中催乳素(PRL)和相关激素水平、症状变化情况及不良反应情况,... 目的:观察以疏肝滋肾法组方的中药治疗高催乳素血症的临床疗效,并探讨其作用机制。方法:60例患者随机分为2组,治疗组(疏肝滋肾法)和对照组(溴隐亭),每组30例。观察治疗前后血中催乳素(PRL)和相关激素水平、症状变化情况及不良反应情况,进行疗效比较。结果:疏肝滋肾法组方的中药可显著降低PRL,对相关激素有良性调节作用,治疗作用与对照组相比无统计学意义(P>0.05),但在改善症状、不良反应方面优于对照组(P<0.05)。结论:疏肝滋肾法是治疗高催乳素血症的有效疗法。 展开更多
关键词 疏肝滋肾法 高催乳素血症 临床观察
在线阅读 下载PDF
智能建筑中综合布线系统的设计研究 被引量:3
4
作者 李秀然 赵朋飞 《中国新通信》 2013年第18期100-101,共2页
综合布线系统的设计是智能建筑的重要内容,文章介绍了综合布线系统的产生、特点、设计、组成、子系统的设计要点等内容,希望能够引起人们对这一问题的进一步关注,能够对综合布线系统设计的实际工作提供借鉴和参考。
关键词 智能建筑 综合布线系统 设计要点 子系统
在线阅读 下载PDF
UMOSFET功率器件漏电失效分析及工艺改善
5
作者 李秀然 刘宇 +2 位作者 王鹏 李秀莹 沈思杰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期627-632,共6页
针对U型沟槽MOSFET(UMOSFET)功率器件栅极和源极间发生漏电失效的问题,对失效器件进行了电学测试和缺陷检测,对失效现象和失效机理进行了分析,并进行了相关工艺模拟和工艺实验。采用透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)和... 针对U型沟槽MOSFET(UMOSFET)功率器件栅极和源极间发生漏电失效的问题,对失效器件进行了电学测试和缺陷检测,对失效现象和失效机理进行了分析,并进行了相关工艺模拟和工艺实验。采用透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)和聚焦离子束(FIB)对失效芯片的缺陷进行分析和表征。结果表明,器件的U型沟槽底部栅氧化层存在的缺陷是产生漏电的主要原因,湿氧工艺中反应气体反式二氯乙烯(TransLC)的残留碳化造成了芯片栅氧层中的缺陷。通过工艺模拟和实验,优化了湿氧工艺条件,工艺改进后产品的成品率稳定在98%~99%,无漏电失效现象。 展开更多
关键词 U型沟槽MOSFET(UMOSFET) 漏电失效 湿氧工艺 场氧化层 反式二氯乙烯(Trans_LC)
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部