基于PAC生长机制下的蒽转化苯并芘机理研究

1

作者 张韦 马珍珠 +3 位作者 陈朝辉 李泽宏 宁硕 毕克刚 《内燃机学报》 北大核心 2025年第1期79-87,共9页

基于密度泛函理论(DFT)和过渡态理论(TST),利用苯基加成环化(PAC)机制,对内燃机缸内的苯并芘生成历程进行探索.结果表明:蒽自由边和锯齿边与苯基的入口反应均表现出无能垒、高放热和速率快的特点.分析各路径限速步速率可知,蒽自由边C1... 基于密度泛函理论(DFT)和过渡态理论(TST),利用苯基加成环化(PAC)机制,对内燃机缸内的苯并芘生成历程进行探索.结果表明:蒽自由边和锯齿边与苯基的入口反应均表现出无能垒、高放热和速率快的特点.分析各路径限速步速率可知,蒽自由边C1位点比锯齿边C2位更易生成苯并芘,最优反应路径限速步能垒仅为176.2 kJ/mol,反应速率为3.7×10^(9) s^(-1).锯齿边C2位的两条主路径限速步为五元环转化成六元环的异构化反应,能垒分别高达417.2 kJ/mol和421.7 kJ/mol,反应速率分别为8.7×10^(4) s^(-1)和5.8×10^(4) s^(-1).此外,芳香环上H迁移反应的难度高于脂肪链上H迁移.该研究提供了苯并芘的PAC生成机理,这为构建苯并芘的化学动力学模型提供理论依据,对预测内燃机缸内的苯并芘生成具有重要意义. 展开更多

关键词 多环芳烃 苯基加成环化 蒽 苯并芘 密度泛函理论 过渡态理论

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总剂量辐照加固的功率VDMOS器件 被引量：12

2

作者 李泽宏 张磊 谭开洲 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期621-623,共3页

采用先形成P-body区再生长栅氧化层的新工艺流程和薄栅氧化层配合Si3N4-SiO2钝化层加固工艺,研制出一种抗总剂量辐照加固功率VDMOS器件。给出了该器件的常态参数和总剂量辐照的实验数据,通过和二维数值仿真比较,表明实验数据和仿真数据... 采用先形成P-body区再生长栅氧化层的新工艺流程和薄栅氧化层配合Si3N4-SiO2钝化层加固工艺,研制出一种抗总剂量辐照加固功率VDMOS器件。给出了该器件的常态参数和总剂量辐照的实验数据,通过和二维数值仿真比较,表明实验数据和仿真数据能较好吻合。对研制的功率VDMOS器件在X射线模拟源辐照总剂量972×103rad(Si)下,阈值电压仅漂移?1V。结果证明,工艺改善了功率VDMOS器件的抗总剂量辐照能力。 展开更多

关键词 功率VDMOS器件 薄栅氧化层 阈值电压漂移 总剂量辐照

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矩形及其组合横截面立体编织物四步法编织纱线运动模拟 被引量：9

3

作者 李泽宏 顾伯洪 丁辛 《东华大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期71-76,共6页

根据四步法编织的实际生产过程 ,利用VisualBasic 6编写了“四步法编织模拟”应用程序 ,该程序可以模拟矩形以及其组合横截面立体编织物四步法编织过程中的纱线运动 ,有助于分析和设计立体编织物的结构 。

关键词 纱线运动模拟 四步法编织 立体编织物 程序 设计

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短沟DMOS阈值电压模型 被引量：2

4

作者 李泽宏 张波 李肇基 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2005年第2期322-325,共4页

该文提出了短沟DMOS阈值电压模型。基于沟道区耗尽电荷的二维分布,计算沟道区中耗尽电荷总量,由此给出短沟DMOS阈值电压模型的计算式。该模型的解析解与二维仿真器MEDICI的数值解吻合。分析表明,DMOS沟道长度小于0.80μm,就应考虑短沟... 该文提出了短沟DMOS阈值电压模型。基于沟道区耗尽电荷的二维分布,计算沟道区中耗尽电荷总量,由此给出短沟DMOS阈值电压模型的计算式。该模型的解析解与二维仿真器MEDICI的数值解吻合。分析表明,DMOS沟道长度小于0.80μm,就应考虑短沟效应。 展开更多

关键词 DMOS 阈值电压 短沟效应

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横向高压DMOS单粒子辐照瞬态响应 被引量：1

5

作者 李泽宏 李肇基 杨舰 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期149-153,共5页

基于单粒子辐照的等离子体输运机理,提出了横向高压DMOS单粒子辐照的瞬态响应模型。借助对横向高压DMOS的关态和开态的不同能量粒子辐照瞬态响应的二维数值分析,获得了横向高压DMOS在双结、单结和无结情况下的瞬态响应特性。其计算结果... 基于单粒子辐照的等离子体输运机理,提出了横向高压DMOS单粒子辐照的瞬态响应模型。借助对横向高压DMOS的关态和开态的不同能量粒子辐照瞬态响应的二维数值分析,获得了横向高压DMOS在双结、单结和无结情况下的瞬态响应特性。其计算结果表明,横向高压DMOS的开态漏端峰值电流比关态的漏端峰值电流小,且漏端峰值电流和峰值电流出现的时间随入射粒子能量的增大而增加。 展开更多

关键词 横向高压DMOS 单粒子效应 等离子体 瞬态响应

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城市污泥的土地利用对黑麦草理化指标和品质的影响 被引量：20

6

作者 赵晓莉 徐德福 +3 位作者 李泽宏 陈建军 董斌 吴荣涛 《农业环境科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第B03期59-63,共5页

通过室内盆钵试验研究了施用城市污泥对黑麦草理化指标和品质的影响，旨在为污泥的土地利用提供科学依据。研究结果表明，随着污泥施用量的增加，黑麦草的叶绿素a、叶绿素b含量呈现波动变化，在25—30g·kg^-1。达到极大值；黑麦草... 通过室内盆钵试验研究了施用城市污泥对黑麦草理化指标和品质的影响，旨在为污泥的土地利用提供科学依据。研究结果表明，随着污泥施用量的增加，黑麦草的叶绿素a、叶绿素b含量呈现波动变化，在25—30g·kg^-1。达到极大值；黑麦草中硝酸还原酶、可溶性糖、可溶性蛋白和抗坏血酸的含量呈现先急剧增加然后逐渐减少的趋势；SOD、MDA、粗纤维和硝酸盐含量呈现先随污泥含量增大降低，然后又升高的趋势。说明施加适量的污泥可促进黑麦草的生长，有利于黑麦草品质的提高，但施加过量的污泥既抑制黑麦草的生长也不利于品质的提高。对上述指标中污泥的最佳施用量范围进行综合分析，可以得出污泥的最佳施用量为20—35g·kg^-1。 展开更多

关键词 城市污泥 土地利用 理化性质 品质 黑麦草

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绝缘栅双极型晶体管的研究进展 被引量：7

7

作者 张金平 李泽宏 +2 位作者 任敏 陈万军 张波 《中国电子科学研究院学报》 2014年第2期111-119,共9页

作为一种新型的功率半导体器件,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)以其优越的性能,成为中高功率电力电子领域的主流功率开关器件,被广泛应用于智能电网、新能源、高速铁路、工业控制、汽车电子、家电产品、消费电子等领域。概述了IGBT的演变历... 作为一种新型的功率半导体器件,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)以其优越的性能,成为中高功率电力电子领域的主流功率开关器件,被广泛应用于智能电网、新能源、高速铁路、工业控制、汽车电子、家电产品、消费电子等领域。概述了IGBT的演变历程以及主要技术发展,同时对我国IGBT的发展现状进行了分析。 展开更多

关键词 功率半导体器件 绝缘栅双极型晶体管 研究进展

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PSoC——新一代SoC技术 被引量：2

8

作者 方健 李肇基 +12 位作者 张波 罗萍 罗晓蓉 郭宇峰 李泽宏 龙远东 罗卢杨 卢治平 郭永芳 肖科 杨舰 乔明 陈林 《中国集成电路》 2003年第50期46-50,共5页

从 SoC 到 PSoC系统集成(System on Chip,SoC)是基于整个系统的概念,将系统功能、模型算法、软件、芯片结构、各层电路,直至器件的设计整个集成在单个芯片上。目前已将 CPU、DRAM、SRAM、E^2PROM

关键词 PSOC SOC技术 系统集成 电力电子集成 跨周期控制 模糊控制 频率抖动

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单向复合材料弯曲疲劳性能 被引量：9

9

作者 施晓霞 李泽宏 顾伯洪 《纺织学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期44-45,共2页

通过三点弯疲劳试验和剩余剪切强度试验,论证单向纤维对树脂基体的增强作用,讨论玻璃纤维/环氧树脂单向板、环氧树脂浇铸体剩余剪切强度与循环加载次数之间的关系。

关键词 复合材料 弯曲疲劳性能 玻璃纤维 环氧树脂 单向板

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一种高精度低功耗温度传感器电路 被引量：3

10

作者 何希然 刘晨旭 +4 位作者 张仁辉 李泽宏 高博 马跃 龚敏 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第11期906-914,共9页

基于脉冲宽度可调(PWM)信号调制技术,设计了一种温度传感器电路,并对电路整体性能进行了仿真。所设计的温度传感器电路利用带隙基准电路实现了温度采样功能,采用PWM信号调制技术,在一次测温周期中输出一定数量的脉冲信号。为了减小测温... 基于脉冲宽度可调(PWM)信号调制技术,设计了一种温度传感器电路,并对电路整体性能进行了仿真。所设计的温度传感器电路利用带隙基准电路实现了温度采样功能,采用PWM信号调制技术,在一次测温周期中输出一定数量的脉冲信号。为了减小测温误差,电路中引入斩波技术,较低平均功耗(152μW)下将电路失调电压减小了两个数量级,提高了系统的测温精度;数据转换过程中,采用带有零极点优化技术的高阶多位量化sigma-delta信号处理技术,在低过采样率(16)条件下具有足够的信噪比(79.4 dB),功耗和精度取得了较好的折中。该电路功耗低、精度高,适于各类物联网(IoT)应用。 展开更多

关键词 温度传感器 斩波技术 sigma-delta信号处理 脉冲宽度可调(PWM) 高精度

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一种用于电源管理IC的电流采样电路 被引量：2

11

作者 陈永强 李泽宏 +1 位作者 李肇基 张波 《电子器件》 CAS 2007年第3期826-828,共3页

利用高压集成功率集成器件,设计了一种用于电源管理IC的电流采样电路.此采样电路具有结构简单、精度高、耐高压(>800V)、低损耗等特点;同时实现了功率芯片的自供电功能,无需外加芯片供电电源.

关键词 电源管理IC 电流采样 高精度 耐高压

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基于嵌入式技术的光电精密检测系统 被引量：5

12

作者 徐进 李泽宏 《激光杂志》 北大核心 2018年第12期19-22,共4页

针对传统光电三维检测系统存在检测精度低的弊端,设计基于嵌入式技术的光电精密检测系统。系统通过激光扫描光学系统采集光电脉冲信号,光电脉冲信号通过输入脉冲细分电路进行细分转换处理,细分后的光电脉冲信号传输到CPU控制器中AVR单... 针对传统光电三维检测系统存在检测精度低的弊端,设计基于嵌入式技术的光电精密检测系统。系统通过激光扫描光学系统采集光电脉冲信号,光电脉冲信号通过输入脉冲细分电路进行细分转换处理,细分后的光电脉冲信号传输到CPU控制器中AVR单片机进行处理后,实现光电信号采集和控制,通过畸变校正方法对光学畸变进行校正。实验结果表明,该系统可实现高精度、高效率的光电检测。 展开更多

关键词 嵌入式技术 光电精密检测 激光扫描光学系统 控制器

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一种低成本高密度的高速数模混合微系统集成 被引量：1

13

作者 赵静 李泽宏 +2 位作者 张波 杨邦朝 翟向坤 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第12期13-15,40,共4页

提出了一种全金属管壳封装、双面布局/六层布线的叠层多芯片组件微系统结构, 以实现500MHz高速数模混合微系统集成,并借助SpecctraQuest软件仿真了基板上关键互连线的传输特性。

关键词 高速微系统集成 叠层多芯片组件 全金属封装 仿真

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部分埋氧结构VDMOS器件的二维势模型 被引量：1

14

作者 张子澈 李泽宏 +1 位作者 张磊 谭开洲 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期176-179,202,共5页

提出具有部分埋氧结构的功率VDMOS器件的二维势模型。借助场解析方法,首先划分该结构器件的工作区域,由边界连续条件,求解各区的泊松方程,建立部分埋氧结构VDMOS器件二维势分布的解析模型。分析结果表明,在漏端电压分别为100V和200V下,... 提出具有部分埋氧结构的功率VDMOS器件的二维势模型。借助场解析方法,首先划分该结构器件的工作区域,由边界连续条件,求解各区的泊松方程,建立部分埋氧结构VDMOS器件二维势分布的解析模型。分析结果表明,在漏端电压分别为100V和200V下,电势解析解与数值解误差分别小于3%和4.7%。VDMOS器件引入埋氧层能显著提高耐压,且部分埋氧层的长度对VDMOS器件的耐压影响大于埋氧层的宽度对耐压影响。 展开更多

关键词 部分埋氧结构纵向扩散金属氧化物半导体 二维势模型 场解析方法 泊松方程 耐压

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基于分时电压采样的电子继电器控制电路设计 被引量：1

15

作者 时传飞 梁蓓 +4 位作者 赵念 张成发 李沂蒙 李泽宏 方祥 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期584-590,共7页

针对传统电磁继电器在起动机启动时保护能力弱、灵敏度低、寿命短、体积大等缺点,基于0.35μm CMOS工艺,设计了一种分时电压采样与保护的电子继电器控制集成电路。该电路通过A/D采样模块采集功率MOSFET的漏源电压和过流阈值电压,并利用... 针对传统电磁继电器在起动机启动时保护能力弱、灵敏度低、寿命短、体积大等缺点,基于0.35μm CMOS工艺,设计了一种分时电压采样与保护的电子继电器控制集成电路。该电路通过A/D采样模块采集功率MOSFET的漏源电压和过流阈值电压,并利用减法器进行比较,用于判断起动机是否发生堵转,进而控制功率MOSFET的导通/截止,进一步判断起动机的开启或关断。测试结果表明,该电子继电器可在400 A电流下正常启动和在500 A大电流下堵转330 ms后完成过流保护功能。该电路实现了对起动机启动过程的实时监测,确保了起动机的正常启动及发生故障时的快速响应,并增加了过温、欠压等保护功能,提高了电子继电器工作的可靠性。芯片面积为2.24 mm^2。 展开更多

关键词 单片集成电路 电子继电器 分时电压采样 实时监测 CMOS工艺

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柴油/天然气/氢气三燃料化学动力学机理的构建

16

作者 张韦 毛仕迪 +3 位作者 陈朝辉 李泽宏 庞晨晨 张翔宇 《石油学报（石油加工）》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期163-174,共12页

为探究柴油、天然气、氢气3种燃料在发动机缸内的燃烧过程,构建了含120种组分、612步基元反应的柴油/天然气/氢气(DNH)三燃料机理。对DNH机理进行点火延迟敏感性分析、反应路径分析,调整关键反应指前因子,利用Chemkin验证DNH机理的点火... 为探究柴油、天然气、氢气3种燃料在发动机缸内的燃烧过程,构建了含120种组分、612步基元反应的柴油/天然气/氢气(DNH)三燃料机理。对DNH机理进行点火延迟敏感性分析、反应路径分析,调整关键反应指前因子,利用Chemkin验证DNH机理的点火延迟期和层流火焰速度,同时通过计算流体动力学耦合DNH动力学反应机理的方法,对发动机缸内纯柴油、柴油/天然气、柴油/天然气/氢气3种燃烧模式进行验证。结果表明:基于高碳数多组分柴油模型构建的DNH机理,其预测结果与点火延迟期、层流火焰速度试验数据均能良好吻合;计算流体动力学耦合DNH机理的计算结果与实验测量得到的发动机缸内压力和放热率变化一致,DNH机理适用于预测柴油/天然气/氢气三燃料发动机的缸内燃烧过程。 展开更多

关键词 柴油 天然气 氢气 发动机 化学动力学 燃烧模式 层流火焰

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具有ESD防护及过流保护功能的VDMOS设计

17

作者 何建 谭开洲 +6 位作者 陈光炳 徐学良 王建安 谢家雄 任敏 李泽宏 张金平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第8期612-616,共5页

提出了一种芯片集成实现ESD防护及过流保护功能的VDMOS器件设计。在对电流采样原理分析的基础上,提出了一种适用于功率器件的局域电流采样方法及对应的过流保护电路结构,该方案具有结构简单、低功耗的特点。利用反向串联多晶硅二极管实... 提出了一种芯片集成实现ESD防护及过流保护功能的VDMOS器件设计。在对电流采样原理分析的基础上,提出了一种适用于功率器件的局域电流采样方法及对应的过流保护电路结构,该方案具有结构简单、低功耗的特点。利用反向串联多晶硅二极管实现对VDMOS器件栅氧化层的ESD保护。完成了VDMOS的工艺流程设计,实现了保护电路中各子元件与主功率器件的工艺兼容。二维数值模拟表明:所设计的过流保护电路在室温下能实现38.4 A的限流能力,ESD保护能够达到2 000 V(HBM),能有效提高VDMOS在系统中的稳定性和可靠性。 展开更多

关键词 垂直导电双扩散场效应晶体管(VDMOS) 过流保护 静电放电(ESD) 功率器件 可靠性

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一种低成本高密度的高速数模混合微系统集成

18

作者 赵静 李泽宏 +2 位作者 张波 杨邦朝 翟向坤 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第9期34-36,共3页

提出了一种全金属管壳封装、双面布局6层布线的叠层多芯片组件微系统结构,以实现500MHz高速数模混合微系统集成,并借助SpecctraQuest软件仿真了基板上关键互连线的传输特性。

关键词 高速微系统集成 叠层多芯片组件 全金属封装 仿真

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基于埋层结构的高压功率MOS器件终端设计

19

作者 宋迎新 马捷 +4 位作者 侯杰 孙德福 刘进松 李泽宏 任敏 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第5期352-356,共5页

为改善传统结终端延伸(JTE)结构的终端注入剂量偏低、终端对表面固定电荷敏感、终端尺寸优化不够等缺陷,设计了一种基于场板(FP)与埋层(BL)的新型终端结构,用于降低表面固定电荷对击穿电压的影响,并且通过提高JTE区域的掺杂剂量,同时优... 为改善传统结终端延伸(JTE)结构的终端注入剂量偏低、终端对表面固定电荷敏感、终端尺寸优化不够等缺陷,设计了一种基于场板(FP)与埋层(BL)的新型终端结构,用于降低表面固定电荷对击穿电压的影响,并且通过提高JTE区域的掺杂剂量,同时优化表面电场,实现了终端电场更加均衡,提高了击穿电压及减少结终端尺寸。利用仿真软件对提出的新型终端结构进行仿真,对新结构的电场分布、击穿电流电压曲线、击穿电压随终端JTE区注入剂量变化和击穿电压随表面固定电荷Qf变化四个方面进行分析,结果表明:相比传统JTE终端,本文设计的新型终端尺寸缩短16%,耐压提升约20%,同时可靠性也有所提升。 展开更多

关键词 结终端扩展 埋层 高能离子注入 金属场板 击穿电压

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虚拟示波器硬件设计 被引量：1

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作者 李鸿松 武锦 +2 位作者 李泽宏 周磊 季尔优 《电子与封装》 2021年第9期85-90,共6页

基于虚拟仪器的思想,提出了一种基于FPGA和国产ADC芯片的虚拟示波器的硬件结构设计和实现方案。该方案是基于Xilinx Kintex7系列FPGA的高速数据采集、存储、处理与转发的PCI Express3.08×总线接口的硬件结构,最大支持4 GS/s的采样,... 基于虚拟仪器的思想,提出了一种基于FPGA和国产ADC芯片的虚拟示波器的硬件结构设计和实现方案。该方案是基于Xilinx Kintex7系列FPGA的高速数据采集、存储、处理与转发的PCI Express3.08×总线接口的硬件结构,最大支持4 GS/s的采样,4 GB DDR3存储。该结构能够实现2路数据采集,每路模拟带宽为3 GHz,2路使用时每路最快2 GS/s采样,1路使用时最快4 GS/s采样。可以直接插在计算机内的PCI Express插槽中,构成实验室、产品检测质量中心以及在雷达信号处理、天气预报和地震预报等其他领域的数据采集、信号分析和处理系统,同时也可构成工业生产过程中检测观察信号变化趋势和状态的监控系统。 展开更多

关键词 虚拟示波器 模数转换器 现场可编程门阵列 数据采集 PCIE总线

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