采用数值通量的方式进行场量交互是时域非连续伽略金(Discontinuous Galerkin Time Domain,DGTD)算法区别于时域有限元(Finite Element Time Domain,FETD)方法的主要方面.从二维TM情形弱解方程出发,讨论了当前三角形单元和相邻单元进行...采用数值通量的方式进行场量交互是时域非连续伽略金(Discontinuous Galerkin Time Domain,DGTD)算法区别于时域有限元(Finite Element Time Domain,FETD)方法的主要方面.从二维TM情形弱解方程出发,讨论了当前三角形单元和相邻单元进行场量交互时数值通量物理意义和不同形式.结合数值通量和弱解方程得到了DGTD算法的迭代计算式.给出了线元辐射和双线元干涉的数值算例,算例结果表明了文中方法的正确性.展开更多
给出了时域非连续伽辽金(Discontinuous Galerkin Time Domain,DGTD)法的基本思想,从Maxwell方程出发得到弱解形式和矩阵方程,进一步给出了DGTD步进计算式.计算了空腔和填充谐振腔的谐振频率,并与解析结果相比较.算例表明在谐振腔计算中...给出了时域非连续伽辽金(Discontinuous Galerkin Time Domain,DGTD)法的基本思想,从Maxwell方程出发得到弱解形式和矩阵方程,进一步给出了DGTD步进计算式.计算了空腔和填充谐振腔的谐振频率,并与解析结果相比较.算例表明在谐振腔计算中DGTD可以达到很高的精度.展开更多
时域离散伽辽金法(Discontinuous Galerkin Time Domain,DGTD)同时具有时域有限元算法(Finite Element Time Domain,FETD)非结构网格剖分和时域有限差分算法(Finite Difference Time Domain,FDTD)显式迭代的优点,是一种非常有前途的电...时域离散伽辽金法(Discontinuous Galerkin Time Domain,DGTD)同时具有时域有限元算法(Finite Element Time Domain,FETD)非结构网格剖分和时域有限差分算法(Finite Difference Time Domain,FDTD)显式迭代的优点,是一种非常有前途的电磁计算方法,该文首先描述了基于矢量基函数的时域离散伽辽金法的基本原理。然后,给出了DGTD处理散射问题时平面波入射加入的具体实现方法。最后,给出了金属球、介质球和金属弹头宽带散射的算例,算例结果的比较表明了该文算法的正确性和有效性。该文的研究,为复杂目标雷达散射截面RCS的准确预估打下了坚实的基础。展开更多
时域离散伽略金法(Discontinuous Galerkin Time Domain,DGTD)是一种兼备时域有限元(FETD)网格剖分的灵活性和时域有限差分(FDTD)显式迭代特点的新兴算法。现有文献在非结构网格情形下相邻四面体公共面的判定方面缺乏简便的快速算法。...时域离散伽略金法(Discontinuous Galerkin Time Domain,DGTD)是一种兼备时域有限元(FETD)网格剖分的灵活性和时域有限差分(FDTD)显式迭代特点的新兴算法。现有文献在非结构网格情形下相邻四面体公共面的判定方面缺乏简便的快速算法。本文给出一种基于"空间投盒子"技术的四面体公共面快速判断方法。数值结果说明了本文算法的准确性和有效性。展开更多
电磁场时域计算方法由于一次计算可以获得目标的时域响应,结合傅里叶变换得到宽带信息等的优势越来越受到关注.本文介绍了近年来时域有限差分(finite-difference time-domain,FDTD)法和时域有限元(finite element time-domain,FETD)无...电磁场时域计算方法由于一次计算可以获得目标的时域响应,结合傅里叶变换得到宽带信息等的优势越来越受到关注.本文介绍了近年来时域有限差分(finite-difference time-domain,FDTD)法和时域有限元(finite element time-domain,FETD)无条件稳定算法方面的研究进展以及FETD算法的更新方案--时域非连续伽辽金(discontinuous Galerkin time-domain,DGTD)方法的新进展.展开更多
Silicon is a preferred material in solar cells,and most of silicon allotropes have an indirect band gap.Therefore,it is important to find new direct band gap silicon.In the present work,a new direct band gap silicon a...Silicon is a preferred material in solar cells,and most of silicon allotropes have an indirect band gap.Therefore,it is important to find new direct band gap silicon.In the present work,a new direct band gap silicon allotrope of o-Si32 is discovered.The elastic constants,elastic anisotropy,phonon spectra,and electronic structure of o-Si32 are obtained using first-principles calculations.The results show that o-Si32 is mechanically and dynamically stable and is a direct semiconductor material with a band gap of 1.261 e V.展开更多
文摘采用数值通量的方式进行场量交互是时域非连续伽略金(Discontinuous Galerkin Time Domain,DGTD)算法区别于时域有限元(Finite Element Time Domain,FETD)方法的主要方面.从二维TM情形弱解方程出发,讨论了当前三角形单元和相邻单元进行场量交互时数值通量物理意义和不同形式.结合数值通量和弱解方程得到了DGTD算法的迭代计算式.给出了线元辐射和双线元干涉的数值算例,算例结果表明了文中方法的正确性.
文摘给出了时域非连续伽辽金(Discontinuous Galerkin Time Domain,DGTD)法的基本思想,从Maxwell方程出发得到弱解形式和矩阵方程,进一步给出了DGTD步进计算式.计算了空腔和填充谐振腔的谐振频率,并与解析结果相比较.算例表明在谐振腔计算中DGTD可以达到很高的精度.
文摘时域离散伽辽金法(Discontinuous Galerkin Time Domain,DGTD)同时具有时域有限元算法(Finite Element Time Domain,FETD)非结构网格剖分和时域有限差分算法(Finite Difference Time Domain,FDTD)显式迭代的优点,是一种非常有前途的电磁计算方法,该文首先描述了基于矢量基函数的时域离散伽辽金法的基本原理。然后,给出了DGTD处理散射问题时平面波入射加入的具体实现方法。最后,给出了金属球、介质球和金属弹头宽带散射的算例,算例结果的比较表明了该文算法的正确性和有效性。该文的研究,为复杂目标雷达散射截面RCS的准确预估打下了坚实的基础。
文摘时域离散伽略金法(Discontinuous Galerkin Time Domain,DGTD)是一种兼备时域有限元(FETD)网格剖分的灵活性和时域有限差分(FDTD)显式迭代特点的新兴算法。现有文献在非结构网格情形下相邻四面体公共面的判定方面缺乏简便的快速算法。本文给出一种基于"空间投盒子"技术的四面体公共面快速判断方法。数值结果说明了本文算法的准确性和有效性。
基金supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.11965005 and 11964026)the 111 Project,China(Grant No.B17035)+1 种基金the Natural Science Basic Research Plan in Shaanxi Province of China(Grant Nos.2020JM-186 and 2020JM-621)the Fundamental Research Funds for the Central Universities,China。
文摘Silicon is a preferred material in solar cells,and most of silicon allotropes have an indirect band gap.Therefore,it is important to find new direct band gap silicon.In the present work,a new direct band gap silicon allotrope of o-Si32 is discovered.The elastic constants,elastic anisotropy,phonon spectra,and electronic structure of o-Si32 are obtained using first-principles calculations.The results show that o-Si32 is mechanically and dynamically stable and is a direct semiconductor material with a band gap of 1.261 e V.
