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p型InGaN/GaN超晶格N面GaN基LED的光电特性
被引量：
1
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作者
姚楚君
杨国锋
+3 位作者
孙锐
许桂婷
李月靖
蔡乐晟
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第11期820-824,839,共6页
随着氮(N)面Ga N材料生长技术的发展,基于N面Ga N衬底的高亮度发光二极管(LED)的研究具有重要的科学意义。研究了具有高发光功率的N面Ga N基蓝光LED的新型结构设计,通过在N面LED的电子阻挡层和多量子阱有源层之间插入p型In Ga N/Ga N超...
随着氮(N)面Ga N材料生长技术的发展,基于N面Ga N衬底的高亮度发光二极管(LED)的研究具有重要的科学意义。研究了具有高发光功率的N面Ga N基蓝光LED的新型结构设计,通过在N面LED的电子阻挡层和多量子阱有源层之间插入p型In Ga N/Ga N超晶格来提高有源层中的载流子注入效率。为了对比N面Ga N基LED优异的器件性能,同时设计了具有相同结构的Ga面LED。通过对两种LED结构的电致发光特性、有源层中能带图、电场和载流子浓度分布进行比较可以发现,N面LED在输出功率和载流子注入效率上比Ga面LED有明显的提升,从而表明N面Ga N基LED具有潜在的应用前景。
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关键词
N面GaN
发光二极管
极化效应
InGaN/GaN超晶格
载流子注入效率
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职称材料
题名
p型InGaN/GaN超晶格N面GaN基LED的光电特性
被引量：
1
1
作者
姚楚君
杨国锋
孙锐
许桂婷
李月靖
蔡乐晟
机构
江南大学理学院江苏省轻工光电工程技术研究中心
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第11期820-824,839,共6页
基金
中国博士后科学基金资助项目(2014M561623
2014M551559)
+2 种基金
江苏省博士后科研资助计划(1401013B)
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUSRP11408
JUSRP51517)
文摘
随着氮(N)面Ga N材料生长技术的发展,基于N面Ga N衬底的高亮度发光二极管(LED)的研究具有重要的科学意义。研究了具有高发光功率的N面Ga N基蓝光LED的新型结构设计,通过在N面LED的电子阻挡层和多量子阱有源层之间插入p型In Ga N/Ga N超晶格来提高有源层中的载流子注入效率。为了对比N面Ga N基LED优异的器件性能,同时设计了具有相同结构的Ga面LED。通过对两种LED结构的电致发光特性、有源层中能带图、电场和载流子浓度分布进行比较可以发现,N面LED在输出功率和载流子注入效率上比Ga面LED有明显的提升,从而表明N面Ga N基LED具有潜在的应用前景。
关键词
N面GaN
发光二极管
极化效应
InGaN/GaN超晶格
载流子注入效率
Keywords
N-face GaN
light-emitting diode（LED）
polarization effect
InGaN/GaN superlattice
carrier injection efficiency
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
p型InGaN/GaN超晶格N面GaN基LED的光电特性
姚楚君
杨国锋
孙锐
许桂婷
李月靖
蔡乐晟
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015
1
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