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题名补偿型双阱变掺杂SOI LDMOS器件
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作者
李旭泓
孙与飚
刘腾
张加宏
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机构
南京信息工程大学集成电路学院
无锡华润上华科技有限公司
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出处
《半导体技术》
北大核心
2025年第10期995-1000,共6页
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基金
国家自然科学基金(42275143)。
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文摘
传统对绝缘体上硅(SOI)横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的优化主要集中在关态下电离电荷场优化。而实际工作过程中,开态下的载流子会破坏漂移区的电荷平衡,从而直接影响器件的安全工作区(SOA)和可靠性。提出了载流子的动态电荷场调制机理,分析其对器件表面电场的调制作用。基于该机理,设计了一种补偿型双阱变掺杂SOI LDMOS器件结构。通过在传统器件中引入双阱变掺杂技术,优化了器件表面电场,并显著扩展了SOA。进一步采用兼容工艺制备了高压CMOS器件。实验结果显示,n型LDMOS器件关态击穿电压(V_(B))>300 V,栅压15 V下的开态V_(B)>200 V;p型LDMOS器件关态V_(B)>200 V,栅压-15 V下的开态V_(B)>300 V。该器件在关态和开态下的V_(B)均可满足200 V应用需求,适用于宽SOA。
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关键词
绝缘体上硅(SOI)
横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)
电荷场调制
宽安全工作区(SOA)
载流子电荷
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Keywords
silicon on insulator(SOI)
lateral diffused metal oxide semiconductor(LDMOS)
charge field modulation
wide safe operating area(SOA)
carrier charge
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分类号
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
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