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碲溶剂法生长高均匀性Hg_(1-x)Cd_xTe体晶材料的工艺研究
1
作者
李富培
李玉德
+2 位作者
郭云成
庄维莎
刘新进
《红外技术》
CSCD
北大核心
2005年第5期384-387,共4页
通过改进碲溶剂长晶炉的径向炉温分布,改善了晶体生长的液-固界面,用碲溶剂长晶方法生长出了高均匀性碲镉汞体晶材料,用英国爱丁堡Mullard公司的碲镉汞晶片评价装置在光斑为1 mm2的测试条件下测出晶片材料组分均匀性Ax为+0.003 mol.CdTe...
通过改进碲溶剂长晶炉的径向炉温分布,改善了晶体生长的液-固界面,用碲溶剂长晶方法生长出了高均匀性碲镉汞体晶材料,用英国爱丁堡Mullard公司的碲镉汞晶片评价装置在光斑为1 mm2的测试条件下测出晶片材料组分均匀性Ax为+0.003 mol.CdTe,达到了制作红外焦平面探测器列阵对材料的要求。
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关键词
碲镉汞
红外材料
组分均匀性
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职称材料
题名
碲溶剂法生长高均匀性Hg_(1-x)Cd_xTe体晶材料的工艺研究
1
作者
李富培
李玉德
郭云成
庄维莎
刘新进
机构
昆明物理研究所
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2005年第5期384-387,共4页
文摘
通过改进碲溶剂长晶炉的径向炉温分布,改善了晶体生长的液-固界面,用碲溶剂长晶方法生长出了高均匀性碲镉汞体晶材料,用英国爱丁堡Mullard公司的碲镉汞晶片评价装置在光斑为1 mm2的测试条件下测出晶片材料组分均匀性Ax为+0.003 mol.CdTe,达到了制作红外焦平面探测器列阵对材料的要求。
关键词
碲镉汞
红外材料
组分均匀性
Keywords
HgCdTe
Infrared Materials
Compositional Uniformity
分类号
TN213 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
碲溶剂法生长高均匀性Hg_(1-x)Cd_xTe体晶材料的工艺研究
李富培
李玉德
郭云成
庄维莎
刘新进
《红外技术》
CSCD
北大核心
2005
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