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题名等离子体淀积薄膜中射频缺陷研究
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作者
李丹之
赵冷柱
劳凤英
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机构
上海科学技术大学分部
上海科学技术大学
上海无线电十七厂
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出处
《应用科学学报》
CAS
CSCD
1990年第3期207-212,共6页
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文摘
根据理论和实验结果的分析,提出了平板式等离子体生长Si_3N_4时存在两种主要射频缺陷;一是固定正电荷中心,主要起源于Si—O和Si—Si断键;另一是负电荷中心,它是Si—H离化所致.这两种缺陷只有在一定条件下退火方可完全消除.
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关键词
等离子体
薄膜
射频缺陷
PECVD
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分类号
TN304.055
[电子电信—物理电子学]
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题名器件钝化中的应力中心和应力补偿效应
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作者
李丹之
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机构
上海科学技术大学分部
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出处
《应用科学学报》
CAS
CSCD
1989年第1期91-94,共4页
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文摘
半导体器件的表面钝化是器件自身的稳定性和可靠性所必需.然而器件衬底和表面氧化膜之间常因热学性质不匹配而产生较大的应力,如高温氧化后的硅片中的张应力.由于Si-SiO_2界面的应力增加了结构内部的缺陷,使器件的电流增益β明显下降.氮化硅、非晶硅和半绝缘多晶硅等二次钝化膜的应用改善了器件的性能,特别是它的电流增益普遍提高.我们对几种超高频(f_T≥1GHz)中、小功率管在生长二次钝化膜前后的电流增益(?)的对应测量分析表明:在Si-SiO_2结构上淀积一层PECVD-Si_3N_4对器件的电流增益有着明显的影响,经氢氮气氛退火后,各种器件的(?)都有较大的提升(见表1),其提升的大小直接和Si_3N_4相对SiO_2的厚度和温度等因素有关.在60年代。
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关键词
器件
钝化
应力中心
应力补偿
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
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题名非均匀光照下的光生电势的一般方程
被引量：1
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作者
李丹之
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出处
《上海大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
1998年第1期102-106,共5页
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基金
上海市科委重点办项目
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文摘
本文提出了一个包括ｐ＋ｎｎ＋结构的光生电势物理模型，并由此导出了光生电势的一般方程．该方程为二阶非齐次偏微分方程，它基于对光电流收集电极所在的受光表面层中的光生电势的分析来描写一般的光生电势行为．在三种光生电势发生的特定条件下，它可简化出结场光生电势、丹倍电势和横向光生电势（横向光电效应）的函数关系式．该方程统一了各种光生电势的行为机理．
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关键词
横向光电效应
光生电势
物理模型
非均匀光照
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Keywords
transverse photovoltage effect. junction field photovoltage, Dember photovoltage, physics model of photovoltage
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分类号
TN201
[电子电信—物理电子学]
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