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功率VMOSFET实用计算机辅助设计软件包的研制和开发: 1; 作者潘志斌徐国治 +1 位作者李中江段力军《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第1期124-125,共2页; 自1976年功率VMOSFET首次提出以来,它已成为功率器件发展的主流.最近十年间,在功率MOS器件中,功率VMOSFET以其独特的优点引起人们广泛重视,大有替代双极型功率器件的趋势.同时,计算机辅助设计技术正以其快速、准确、大范围模拟等特点改... 展开更多; 关键词 VMOSFET CAD 软件包功率; 在线阅读下载PDF 职称材料

VDMOS器件二维数值模拟和典型参数优化分析: 2; 作者刘晓梅胡蓉香 +1 位作者罗晋生李中江《电子科学学刊》 EI CSCD 1991年第6期618-624,共7页; 本文编制了功率MOSFET二维稳态分析软件TDSPM程序基于漂移扩散模型,特别考虑了功率器件高压工作状态下的速场特性和强场产生机制,因此可以对器件各工作区(包括击穿区)进行模拟。用全耦合法求解联立方程,用截断法修正迭代结果,大大改善... 展开更多; 关键词 MOS器件场效应晶体管数值模拟; 在线阅读下载PDF 职称材料

高压功率VDMOS场效应晶体管版图设计: 3; 作者李中江夏俊峰 +1 位作者刘美溶薛发龙《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第6期1-4,共4页; 高压功率VDMOS场效应晶体管在国内尚属开发新产品.本文就高压功率VDMOS场效应晶体管的版图设计考虑作一介绍.实际设计了耐压450伏、电流容量为5安培的VDMOS场效应晶体管版图.试制结果说明设计是可行的.; 关键词功率VDMOS 场效应晶体管版图设计; 全文增补中

半导体功率器件发展概况: 4; 作者李中江《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第3期1-9,共9页; 本文简述了半导体功率器件的发展,介绍了功率二极管、闸流管、双极晶体管的主要产品技术水平和今后发展方向.; 关键词半导体器件功率器件; 全文增补中

题名功率VMOSFET实用计算机辅助设计软件包的研制和开发: 1; 作者潘志斌徐国治李中江段力军; 机构西安交通大学机电部八七七厂; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第1期124-125,共2页; 文摘自1976年功率VMOSFET首次提出以来,它已成为功率器件发展的主流.最近十年间,在功率MOS器件中,功率VMOSFET以其独特的优点引起人们广泛重视,大有替代双极型功率器件的趋势.同时,计算机辅助设计技术正以其快速、准确、大范围模拟等特点改变着传统的器件设计方法.本软件包的作用即是利用各种CAD技术对功率VMOSFET进行参数选取和优化设计.; 关键词 VMOSFET CAD 软件包功率; 分类号 TN386.6 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名VDMOS器件二维数值模拟和典型参数优化分析: 2; 作者刘晓梅胡蓉香罗晋生李中江; 机构西安交通大学微电子技术研究室国营卫光电工厂; 出处《电子科学学刊》 EI CSCD 1991年第6期618-624,共7页; 文摘本文编制了功率MOSFET二维稳态分析软件TDSPM程序基于漂移扩散模型,特别考虑了功率器件高压工作状态下的速场特性和强场产生机制,因此可以对器件各工作区(包括击穿区)进行模拟。用全耦合法求解联立方程,用截断法修正迭代结果,大大改善了程序求解的收敛性和稳定性,使求解加压步长可取得很大(饱和区漏压可取100—200V)。用TDSPM模拟VDMOS,得到器件的外部特性曲线和内部物理量分布;着重分析了击穿过程的内部机制;最后用TDSPM对器件进行了优化分析。; 关键词 MOS器件场效应晶体管数值模拟; Keywords Power Transistor MOSFET Numerical simulation Breakdown; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高压功率VDMOS场效应晶体管版图设计: 3; 作者李中江夏俊峰刘美溶薛发龙; 机构八七七厂; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第6期1-4,共4页; 文摘高压功率VDMOS场效应晶体管在国内尚属开发新产品.本文就高压功率VDMOS场效应晶体管的版图设计考虑作一介绍.实际设计了耐压450伏、电流容量为5安培的VDMOS场效应晶体管版图.试制结果说明设计是可行的.; 关键词功率VDMOS 场效应晶体管版图设计; 分类号 TN386.102 [电子电信—物理电子学]; 全文增补中

题名半导体功率器件发展概况: 4; 作者李中江; 机构八七七厂; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第3期1-9,共9页; 文摘本文简述了半导体功率器件的发展,介绍了功率二极管、闸流管、双极晶体管的主要产品技术水平和今后发展方向.; 关键词半导体器件功率器件; 分类号 TN32 [电子电信—物理电子学]; 全文增补中

	题名	作者	出处	发文年	操作
1	功率VMOSFET实用计算机辅助设计软件包的研制和开发	潘志斌徐国治李中江段力军	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	1990	在线阅读下载PDF 职称材料
2	VDMOS器件二维数值模拟和典型参数优化分析	刘晓梅胡蓉香罗晋生李中江	《电子科学学刊》 EI CSCD	1991	在线阅读下载PDF 职称材料
3	高压功率VDMOS场效应晶体管版图设计	李中江夏俊峰刘美溶薛发龙	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	1989	全文增补中
4	半导体功率器件发展概况	李中江	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	1989	全文增补中