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大面积规则排布的AlN纳米柱阵列制备
被引量：
2
1
作者
朱邵歆
陈翔
+3 位作者
闫建昌
张韵
王军喜
李晋闽
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017年第9期696-700,716,共6页
采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法在2英寸(1英寸=2.54 cm)c面蓝宝石衬底上异质外延厚度1μm、具有原子级平整表面的高质量氮化铝(Al N)外延层。并在此高质量Al N薄膜的基础上开发了基于纳米压印光刻技术、干法刻蚀和湿法腐蚀...
采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法在2英寸(1英寸=2.54 cm)c面蓝宝石衬底上异质外延厚度1μm、具有原子级平整表面的高质量氮化铝(Al N)外延层。并在此高质量Al N薄膜的基础上开发了基于纳米压印光刻技术、干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的工艺,通过自上而下的方法制备得到了大面积范围内规则排列的Al N纳米柱阵列,纳米柱的高度和直径分别为1μm和535 nm。研究结果表明,高晶体质量的Al N材料以及基于AZ400K溶液的湿法腐蚀工艺是制备无腐蚀坑且侧壁光滑的垂直Al N纳米柱阵列的关键。Al N纳米柱阵列的制备为深紫外纳米柱发光器件的研究奠定了基础。
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关键词
氮化铝
纳米柱
纳米压印光刻
湿法腐蚀
自上而下法
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职称材料
载流子复合机制对InGaN多量子阱蓝光LED调制带宽的影响
被引量：
3
2
作者
杨杰
朱邵歆
+2 位作者
闫建昌
李晋闽
王军喜
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第2期202-207,共6页
通过设计InGaN多量子阱LED有源区的不同结构,研究了载流子复合机制对LED调制速度的影响。结果显示,由于窄量子阱LED的载流子空间波函数重叠几率更高,且电子泄露效应更显著,所以复合速率更快,调制带宽更高。In组分为1%的InGaN量子垒LED...
通过设计InGaN多量子阱LED有源区的不同结构,研究了载流子复合机制对LED调制速度的影响。结果显示,由于窄量子阱LED的载流子空间波函数重叠几率更高,且电子泄露效应更显著,所以复合速率更快,调制带宽更高。In组分为1%的InGaN量子垒LED可提高辐射复合的权重,使得调制带宽高于GaN量子垒LED;In组分为5%时,电子泄露和俄歇复合占据主导地位,且由于这两种复合机制复合速率很快,所以调制带宽显著提高。
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关键词
发光二极管(LED)
可见光通信
调制带宽
载流子寿命
复合机制
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职称材料
我国化合物半导体产业状况分析
被引量：
3
3
作者
朱邵歆
《集成电路应用》
2017年第1期20-21,共2页
集成电路高速发展,为产业发展提供技术支撑。我国集成电路正处于大发展时期,可为化合物半导体产业提供先进技术支撑。相对于硅材料,化合物半导体性能更加优异,制作出的器件相对于硅器件具有更优异的电性能。国产化替代需求为化合物半导...
集成电路高速发展,为产业发展提供技术支撑。我国集成电路正处于大发展时期,可为化合物半导体产业提供先进技术支撑。相对于硅材料,化合物半导体性能更加优异,制作出的器件相对于硅器件具有更优异的电性能。国产化替代需求为化合物半导体产业发展提供了巨大市场。
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关键词
化合物半导体
GAAS
GAN
SIC
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职称材料
题名
大面积规则排布的AlN纳米柱阵列制备
被引量：
2
1
作者
朱邵歆
陈翔
闫建昌
张韵
王军喜
李晋闽
机构
中国电子信息产业发展研究院集成电路研究所
中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心
中国科学院大学
北京市第三代半导体材料及应用技术工程中心
半导体照明联合创新国家重点实验室
出处
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017年第9期696-700,716,共6页
基金
国家重点研发计划"战略性先进电子材料"重点专项(2016YFB04000803
2016YFB04000802)
+6 种基金
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA032608)
国家自然科学基金资助项目(61376090
61376047
61527814
61674147
61204053)
北京市科委重大项目课题资助项目(D161100002516002)
文摘
采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法在2英寸(1英寸=2.54 cm)c面蓝宝石衬底上异质外延厚度1μm、具有原子级平整表面的高质量氮化铝(Al N)外延层。并在此高质量Al N薄膜的基础上开发了基于纳米压印光刻技术、干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的工艺,通过自上而下的方法制备得到了大面积范围内规则排列的Al N纳米柱阵列,纳米柱的高度和直径分别为1μm和535 nm。研究结果表明,高晶体质量的Al N材料以及基于AZ400K溶液的湿法腐蚀工艺是制备无腐蚀坑且侧壁光滑的垂直Al N纳米柱阵列的关键。Al N纳米柱阵列的制备为深紫外纳米柱发光器件的研究奠定了基础。
关键词
氮化铝
纳米柱
纳米压印光刻
湿法腐蚀
自上而下法
Keywords
AlN
nanorods
nano-imprint lithography
wet etching
top-down method
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
载流子复合机制对InGaN多量子阱蓝光LED调制带宽的影响
被引量：
3
2
作者
杨杰
朱邵歆
闫建昌
李晋闽
王军喜
机构
中国科学院大学材料科学与光电技术学院
中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心
中国电子信息产业发展研究院集成电路研究所
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第2期202-207,共6页
基金
北京市科学技术委员会(Z161100002116037)资助项目~~
文摘
通过设计InGaN多量子阱LED有源区的不同结构,研究了载流子复合机制对LED调制速度的影响。结果显示,由于窄量子阱LED的载流子空间波函数重叠几率更高,且电子泄露效应更显著,所以复合速率更快,调制带宽更高。In组分为1%的InGaN量子垒LED可提高辐射复合的权重,使得调制带宽高于GaN量子垒LED;In组分为5%时,电子泄露和俄歇复合占据主导地位,且由于这两种复合机制复合速率很快,所以调制带宽显著提高。
关键词
发光二极管(LED)
可见光通信
调制带宽
载流子寿命
复合机制
Keywords
light emitting diode(LED)
visible light communication
modulation bandwidth
carrier lifetime
recombination mechanism
分类号
O47 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
我国化合物半导体产业状况分析
被引量：
3
3
作者
朱邵歆
机构
赛迪智库集成电路产业研究所
出处
《集成电路应用》
2017年第1期20-21,共2页
文摘
集成电路高速发展,为产业发展提供技术支撑。我国集成电路正处于大发展时期,可为化合物半导体产业提供先进技术支撑。相对于硅材料,化合物半导体性能更加优异,制作出的器件相对于硅器件具有更优异的电性能。国产化替代需求为化合物半导体产业发展提供了巨大市场。
关键词
化合物半导体
GAAS
GAN
SIC
Keywords
compound semiconductor, GaAs, GaN, SiC
分类号
F426.63 [经济管理—产业经济]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
大面积规则排布的AlN纳米柱阵列制备
朱邵歆
陈翔
闫建昌
张韵
王军喜
李晋闽
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
载流子复合机制对InGaN多量子阱蓝光LED调制带宽的影响
杨杰
朱邵歆
闫建昌
李晋闽
王军喜
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
我国化合物半导体产业状况分析
朱邵歆
《集成电路应用》
2017
3
在线阅读
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职称材料
已选择
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