检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

GaAs上Ge薄膜的性能研究: 1; 作者杨茹任永玲 +2 位作者李国辉阎凤章朱红清《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期180-182,共3页; 用超高真空镀膜机在半绝缘GaAs衬底上蒸镀 80 0nmGe ,Ge薄膜在 50 0℃以上退火有再结晶过程 ,退火后由非晶变成多晶 .在Ge和GaAs界面处有互扩散 ,电特性研究表明退火后Ge薄膜呈高浓度 p型 ,可能是由于Ga扩散到Ge中的掺杂或是Ge的缺陷行... 展开更多; 关键词 Ge/GaAs 白光快速退火再结晶界面扩散光纤通信光电材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

BF^+对^(29)Si^+注入GaAs层的影响: 2; 作者李国辉韩德俊 +5 位作者陈如意罗晏刘伊犁姬成周朱红清王策寰《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1992年第4期478-482,共5页; 研究了硅离子注入LEC生长的SI-Ga'As材料时BF^+对离子注入层特性的影响。认为BF^+的影响主要反应在B的影响,由于B的掺入使B替Ga位从而促使大量Si去替As位,形成B_(Ga)-Si_(As)和Si_(As)受主,从而减少了Si_(Ga)的施主浓度并且补偿了n... 展开更多; 关键词砷化镓离子注入硅离子; 在线阅读下载PDF 职称材料

氢氧注入在GaAs器件中的应用被引量：1: 3; 作者韩卫罗晏 +2 位作者朱红清司丽荣李国辉《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1995年第4期456-460,共5页; 从３个器件说明氢、氧注入在不同方面的应用：（１）用氧注入制备高质量Ｎ－ＳＩ－Ｎ＋埋层，应用于源栅面对ＭＥＳＦＥＴ中，克服源、栅、漏引线在同一平面交错带来的工艺及寄生效应；（２）用氢注入隔离Ｐ＋－Ｎ－－Ｎ＋层的Ｎ－层，... 展开更多; 关键词氢氧离子注入砷化镓器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

普通火灾初期应用通路法控制风流: 4; 作者朱红清谢洪黄元平《煤炭工程师》北大核心 1996年第4期1-2,共2页; 作者在对大量风向判别式进行研究分析后，从追求火灾时期控制风流的实用性出发，总结出一个较有规律的定性分析方法──通路法，以此解决矿井火灾时的风流控制问题。; 关键词火灾控制风流通路法矿井火灾; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs上Ge薄膜的性能研究: 1; 作者杨茹任永玲李国辉阎凤章朱红清; 机构北京师范大学低能核物理研究所; 出处《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期180-182,共3页; 基金北京市自然科学基金!资助项目 (4 992 0 0 4) 北京市科技院萌芽计划资助; 文摘用超高真空镀膜机在半绝缘GaAs衬底上蒸镀 80 0nmGe ,Ge薄膜在 50 0℃以上退火有再结晶过程 ,退火后由非晶变成多晶 .在Ge和GaAs界面处有互扩散 ,电特性研究表明退火后Ge薄膜呈高浓度 p型 ,可能是由于Ga扩散到Ge中的掺杂或是Ge的缺陷行为所致 .; 关键词 Ge/GaAs 白光快速退火再结晶界面扩散光纤通信光电材料; Keywords Ge/GaAs RTA recrystalize inter-diffusion at interface; 分类号 TN204 [电子电信—物理电子学] TN929.11 [电子电信—通信与信息系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名BF^+对^(29)Si^+注入GaAs层的影响: 2; 作者李国辉韩德俊陈如意罗晏刘伊犁姬成周朱红清王策寰; 机构北京师范大学低能核物理研究所中国科学院半导体研究所; 出处《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1992年第4期478-482,共5页; 基金国家自然科学基金; 文摘研究了硅离子注入LEC生长的SI-Ga'As材料时BF^+对离子注入层特性的影响。认为BF^+的影响主要反应在B的影响,由于B的掺入使B替Ga位从而促使大量Si去替As位,形成B_(Ga)-Si_(As)和Si_(As)受主,从而减少了Si_(Ga)的施主浓度并且补偿了n型载流子浓度。因此B的掺入减小了注入层的电激活率。又因为B的掺入产生了一些空位和间隙原子等点缺陷,从而使注入层迁移率下降。实验说明避免BF^+对离子注入层的影响是提高注入层质量的重要关键。; 关键词砷化镓离子注入硅离子; Keywords Si^+ implantation SI-GaAs BF^+ effect; 分类号 TN305.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氢氧注入在GaAs器件中的应用被引量：1: 3; 作者韩卫罗晏朱红清司丽荣李国辉; 机构北京师范大学低能核物理研究所; 出处《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1995年第4期456-460,共5页; 基金国家"八六三"高科技资助; 文摘从３个器件说明氢、氧注入在不同方面的应用：（１）用氧注入制备高质量Ｎ－ＳＩ－Ｎ＋埋层，应用于源栅面对ＭＥＳＦＥＴ中，克服源、栅、漏引线在同一平面交错带来的工艺及寄生效应；（２）用氢注入隔离Ｐ＋－Ｎ－－Ｎ＋层的Ｎ－层，减小ＨＢＴ的ＢＣ结电容，以提高其高频特性；（３）用氢、氧注入制作平面结构的ＨＰＴ，以减小复合电流，提高光电增益。其中尤其强调了选择离子注入的能量、注量及退火温度。; 关键词氢氧离子注入砷化镓器件; Keywords hydrogen oxygen,ion implantation GaAs device; 分类号 TN305.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名普通火灾初期应用通路法控制风流: 4; 作者朱红清谢洪黄元平; 出处《煤炭工程师》北大核心 1996年第4期1-2,共2页; 文摘作者在对大量风向判别式进行研究分析后，从追求火灾时期控制风流的实用性出发，总结出一个较有规律的定性分析方法──通路法，以此解决矿井火灾时的风流控制问题。; 关键词火灾控制风流通路法矿井火灾; 分类号 TD754 [矿业工程—矿井通风与安全]; 在线阅读下载PDF 职称材料