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以甘氨酸为代表的氨基酸类化学添加剂在CMP工艺中的应用研究
被引量：
6
1
作者
张银婵
牛新环
+5 位作者
周佳凯
杨程辉
冯子璇
常津睿
侯子阳
朱烨博
《应用化工》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第8期2249-2253,共5页
首先介绍了甘氨酸的基本性质,接着回顾了近年来国内外甘氨酸在集成电路多层布线及其它材料CMP中的不同应用,归纳总结表明甘氨酸在CMP过程中可以起到络合、缓蚀、控制电偶腐蚀、催化等多种作用,具有宽泛的应用领域,最后对氨基酸类的添加...
首先介绍了甘氨酸的基本性质,接着回顾了近年来国内外甘氨酸在集成电路多层布线及其它材料CMP中的不同应用,归纳总结表明甘氨酸在CMP过程中可以起到络合、缓蚀、控制电偶腐蚀、催化等多种作用,具有宽泛的应用领域,最后对氨基酸类的添加剂在CMP中的应用前景进行了展望。
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关键词
甘氨酸
氨基酸
化学机械抛光
综述
应用
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职称材料
铜互连CMP工艺中缓蚀剂应用的研究进展
被引量：
4
2
作者
闫晗
牛新环
+4 位作者
张银婵
朱烨博
侯子阳
屈明慧
罗付
《润滑与密封》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第12期164-171,共8页
抛光液是铜互连CMP的关键要素之一,在CMP中每种成分发挥不同的功能,其中缓蚀剂的选择及性能对抛后的表面质量会产生直接影响。对近年来铜互连CMP中各类缓蚀剂的研究进展以及缓蚀剂与不同类型添加剂间的复配协同进行归纳总结,同时介绍缓...
抛光液是铜互连CMP的关键要素之一,在CMP中每种成分发挥不同的功能,其中缓蚀剂的选择及性能对抛后的表面质量会产生直接影响。对近年来铜互连CMP中各类缓蚀剂的研究进展以及缓蚀剂与不同类型添加剂间的复配协同进行归纳总结,同时介绍缓蚀剂与不同类型添加剂间的作用机制。最后对未来铜互连CMP中缓蚀剂的应用前景进行展望,指出绿色环保的铜互连CMP缓蚀剂的开发,通过缓蚀剂的复配协同作用以提高抛光质量,以及从微观角度进一步揭示缓蚀剂的作用机制是未来的研究方向。
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关键词
铜互连
化学机械抛光
缓蚀剂
集成电路
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职称材料
氮化镓化学机械抛光中抛光液的研究进展
被引量：
3
3
作者
罗付
牛新环
+4 位作者
张银婵
朱烨博
侯子阳
屈明慧
闫晗
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第2期81-86,133,共7页
氮化镓(GaN)因具有耐酸碱、硬度大等特点使其难以进行精密加工。因此,高效实现GaN的化学机械抛光(CMP)成为了一个技术难题。CMP过程中,抛光液的组分及其性质对抛光效果起决定性的作用。对近年来应用于GaN CMP抛光液中的磨料、氧化剂、...
氮化镓(GaN)因具有耐酸碱、硬度大等特点使其难以进行精密加工。因此,高效实现GaN的化学机械抛光(CMP)成为了一个技术难题。CMP过程中,抛光液的组分及其性质对抛光效果起决定性的作用。对近年来应用于GaN CMP抛光液中的磨料、氧化剂、表面活性剂、光催化剂等重要组分的抛光效果及作用机理进行了回顾。主要可以归纳为磨料逐渐从单一磨料向复合磨料方向发展,阴离子表面活性剂较其他活性剂效果更好;同时,发现主流的GaN CMP过程为先氧化再去除,因此氧化剂和光催化剂逐渐成为了研究热点。最后对GaN CMP的未来研究方向进行了展望。
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关键词
氮化镓(GaN)
化学机械抛光(CMP)
抛光液
抛光液组分
抛光机理
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职称材料
题名
以甘氨酸为代表的氨基酸类化学添加剂在CMP工艺中的应用研究
被引量：
6
1
作者
张银婵
牛新环
周佳凯
杨程辉
冯子璇
常津睿
侯子阳
朱烨博
机构
河北工业大学电子信息工程学院
天津市电子材料与器件重点实验室
出处
《应用化工》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第8期2249-2253,共5页
基金
国家02重大专项(2016ZX02301003-004_007)
天津市自然科学基金(16JCYBJC16100,18JCTPJC57000)。
文摘
首先介绍了甘氨酸的基本性质,接着回顾了近年来国内外甘氨酸在集成电路多层布线及其它材料CMP中的不同应用,归纳总结表明甘氨酸在CMP过程中可以起到络合、缓蚀、控制电偶腐蚀、催化等多种作用,具有宽泛的应用领域,最后对氨基酸类的添加剂在CMP中的应用前景进行了展望。
关键词
甘氨酸
氨基酸
化学机械抛光
综述
应用
Keywords
glycine
amino acid
chemical mechanical polishing
review
application
分类号
TQ421.4 [化学工程]
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
铜互连CMP工艺中缓蚀剂应用的研究进展
被引量：
4
2
作者
闫晗
牛新环
张银婵
朱烨博
侯子阳
屈明慧
罗付
机构
河北工业大学电子信息工程学院
天津市电子材料与器件重点实验室
出处
《润滑与密封》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第12期164-171,共8页
基金
国家02重大专项(2016ZX02301003-004_007)
天津市自然科学基金项目(16JCYBJC16100)
河北省自然科学基金项目(F2021202009)。
文摘
抛光液是铜互连CMP的关键要素之一,在CMP中每种成分发挥不同的功能,其中缓蚀剂的选择及性能对抛后的表面质量会产生直接影响。对近年来铜互连CMP中各类缓蚀剂的研究进展以及缓蚀剂与不同类型添加剂间的复配协同进行归纳总结,同时介绍缓蚀剂与不同类型添加剂间的作用机制。最后对未来铜互连CMP中缓蚀剂的应用前景进行展望,指出绿色环保的铜互连CMP缓蚀剂的开发,通过缓蚀剂的复配协同作用以提高抛光质量,以及从微观角度进一步揭示缓蚀剂的作用机制是未来的研究方向。
关键词
铜互连
化学机械抛光
缓蚀剂
集成电路
Keywords
copper interconnection
chemical mechanical polishing
corrosion inhibitor
integrated circuits
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
TQ421.4 [化学工程]
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职称材料
题名
氮化镓化学机械抛光中抛光液的研究进展
被引量：
3
3
作者
罗付
牛新环
张银婵
朱烨博
侯子阳
屈明慧
闫晗
机构
河北工业大学电子信息工程学院
天津市电子材料与器件重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第2期81-86,133,共7页
基金
国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007)
河北省自然科学基金资助项目(F2021202009)。
文摘
氮化镓(GaN)因具有耐酸碱、硬度大等特点使其难以进行精密加工。因此,高效实现GaN的化学机械抛光(CMP)成为了一个技术难题。CMP过程中,抛光液的组分及其性质对抛光效果起决定性的作用。对近年来应用于GaN CMP抛光液中的磨料、氧化剂、表面活性剂、光催化剂等重要组分的抛光效果及作用机理进行了回顾。主要可以归纳为磨料逐渐从单一磨料向复合磨料方向发展,阴离子表面活性剂较其他活性剂效果更好;同时,发现主流的GaN CMP过程为先氧化再去除,因此氧化剂和光催化剂逐渐成为了研究热点。最后对GaN CMP的未来研究方向进行了展望。
关键词
氮化镓(GaN)
化学机械抛光(CMP)
抛光液
抛光液组分
抛光机理
Keywords
gallium nitride(GaN)
chemical mechanical polishing(CMP)
slurry
slurry component
polishing mechanism
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
TQ421.4 [化学工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
以甘氨酸为代表的氨基酸类化学添加剂在CMP工艺中的应用研究
张银婵
牛新环
周佳凯
杨程辉
冯子璇
常津睿
侯子阳
朱烨博
《应用化工》
CAS
CSCD
北大核心
2021
6
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
铜互连CMP工艺中缓蚀剂应用的研究进展
闫晗
牛新环
张银婵
朱烨博
侯子阳
屈明慧
罗付
《润滑与密封》
CAS
CSCD
北大核心
2022
4
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下载PDF
职称材料
3
氮化镓化学机械抛光中抛光液的研究进展
罗付
牛新环
张银婵
朱烨博
侯子阳
屈明慧
闫晗
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022
3
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