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测量光学非线性的Z扫描方法 被引量:6
1
作者 余力 陈谋智 +2 位作者 黄美纯 黄文达 朱梓忠 《量子电子学报》 CAS CSCD 1998年第5期433-440,共8页
本文从理论框架,测量灵敏度,光源,样品的吸收和厚度以及时间分辨等方面对光学非线性Z扫描测量方法的近年来的发展予以论述.
关键词 Z扫描 光学非线性 横向效应 光电子学 光子学
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Si基光发射材料的探索 被引量:4
2
作者 黄美纯 张建立 +1 位作者 李惠萍 朱梓忠 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期419-424,共6页
由于Si基光发射材料具有与先进的Si微电子技术兼容和成本低廉的优势 ,一直是光电子集成 (OEIC)工程应用的首选材料。但由于体材料Si是一种间接带隙半导体 ,不可能成为有效的光发射体。如何通过已有的物理学原理和可行的微加工技术把它... 由于Si基光发射材料具有与先进的Si微电子技术兼容和成本低廉的优势 ,一直是光电子集成 (OEIC)工程应用的首选材料。但由于体材料Si是一种间接带隙半导体 ,不可能成为有效的光发射体。如何通过已有的物理学原理和可行的微加工技术把它改造成为有效的发光材料 ,甚至成为严格意义上的直接带隙材料 ,给实验研究工作者和材料设计理论工作者提出了挑战。除多孔Si之外 ,最近已有若干令人鼓舞的方案 ,包括Si纳米晶、Si/O超晶格和注硼位错工程等方法 ,实现了Si基材料的有效发光试验。本文在分析其中最令人关注的进展的基础上 ,认为要实现高效率、高响应速率的Si基发光材料 ,以适应超高速、大容量信息处理和传输的要求 ,较好的途径是直接设计出具有直接带隙的Si基材料。因为避免界面态参与发光过程 ,对于提高响应速度至关重要。但是如何设计直接带隙的半导体材料并没有现成的规则可依循。我们建议一个经验的对称性法则 ,并设计出一种新的硅基超晶格。通过计算机模拟计算表明 ,其中Se/Si10 /Se/Si10 /Se超晶格具有相当理想的直接带隙特征 ,其带隙处于红外波段。预期这类新材料及有关器件会有优越的光发射和各种光学性能 ,其制作也可方便地与硅微电子工艺兼容。因此 。 展开更多
关键词 Si基光发射材料 超晶格 直接带隙光发射 光电子材料 响应速度 发光材料 微电子技术
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InSb的Li替位形成能的从头计算 被引量:3
3
作者 刘慧英 侯柱锋 +2 位作者 朱梓忠 黄美纯 杨勇 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期1521-1524,M006,共5页
采用基于平面波展开的第一原理赝势法计算了锑化铟在锂替位到铟位置时的各种情况下的形成能与电子结构 ,讨论了锂替位的体积变化 ,电荷分布、能带结构及电子态密度等性质 .结果表明 ,对于闪锌矿结构的 In Sb,锂的各种替位形成能大致在... 采用基于平面波展开的第一原理赝势法计算了锑化铟在锂替位到铟位置时的各种情况下的形成能与电子结构 ,讨论了锂替位的体积变化 ,电荷分布、能带结构及电子态密度等性质 .结果表明 ,对于闪锌矿结构的 In Sb,锂的各种替位形成能大致在每个锂原子 -2 .2 e V左右 .该结果表明 ,不可能在嵌入初期 Li插入到间隙位置之前发生替位反应 。 展开更多
关键词 INSB Li替位形成能 从头计算
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GAT栅屏蔽效应二维解析模型 被引量:3
4
作者 庄宝煌 黄美纯 +1 位作者 朱梓忠 李开航 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期53-59,共7页
建立了 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了GAT的栅屏蔽效应的解析表达式 ,并借助计算机对栅屏蔽效应给以证实。该模型可供优化设计双极型高频、高压、低饱和压降功率器件参考。
关键词 功率器件 联栅晶体管 屏蔽效应 解析模型
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(C_(60))_N团簇稳定结构的遗传算法研究 被引量:3
5
作者 汪志刚 陈耀桦 +1 位作者 文玉华 朱梓忠 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期861-866,共6页
采用Pacheco-Ramalho相互作用势,结合改进的遗传算法研究了(C60)N团簇(N=3~25)的稳定结构与'幻数'序列,并研究了(C60)N 团簇的势能变化.结果表明:团簇的稳定结构与构成团簇的C60分子数目有密切的关系.随着C60分子数目的增大,... 采用Pacheco-Ramalho相互作用势,结合改进的遗传算法研究了(C60)N团簇(N=3~25)的稳定结构与'幻数'序列,并研究了(C60)N 团簇的势能变化.结果表明:团簇的稳定结构与构成团簇的C60分子数目有密切的关系.随着C60分子数目的增大,团簇的稳态结构呈现出由层状变为壳状,然后又转变为层状结构的变化趋势.随着组成C60分子数的增多,团簇中分子的平均势能呈下降的趋势,下降的幅度随着分子数的增大而越来越小. 展开更多
关键词 稳定结构 团簇 遗传算法
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基于第一原理的Li嵌入路径的计算机模拟 被引量:1
6
作者 刘慧英 蔡娜丽 朱梓忠 《吉林大学学报(信息科学版)》 CAS 2005年第6期664-669,共6页
为了研究锂离子电池负极材料InSb的L i嵌入过程,使用基于密度泛函理论的第一原理赝势法,计算了L i离子电池非碳类负极材料InSb在L i嵌入时的125相不同情况下的总能、平衡体积和各相间转换的L i嵌入形成能及相对体积变化等,进而参考电压... 为了研究锂离子电池负极材料InSb的L i嵌入过程,使用基于密度泛函理论的第一原理赝势法,计算了L i离子电池非碳类负极材料InSb在L i嵌入时的125相不同情况下的总能、平衡体积和各相间转换的L i嵌入形成能及相对体积变化等,进而参考电压轮廓实验曲线,筛选出了中间经历两相的最可能的反应路径为L i+In4Sb4→L i1In4Sb4,2L i+L i1In4Sb4→L i3In4Sb4,9L i+L i3In4Sb4→L i12Sb4+4 In;中间经历三相的最可能的反应路径为L i+In4Sb4→L i1In4Sb4,2L i+L i1In4Sb4→L i3In4Sb4,4L i+L i3In4Sb4→L i7In3Sb4+In,5L i+L i7In3Sb4→L i12Sb4+3 In。计算了L i3Sb的晶格常数、总能等,讨论了其能带结构和电子态密度等性质。结果表明:随着L i嵌入到InSb中并生成L i3Sb,其体积略有膨胀,材料发生了由半导体性到金属性又到半导体性的转变。 展开更多
关键词 Li嵌入路径 锑化铟 第一原理赝势法 锑化锂 计算机模拟
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GAT实现高频率与高基区穿通电压兼容特性分析 被引量:1
7
作者 庄宝煌 黄美纯 +1 位作者 朱梓忠 李开航 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期190-194,共5页
通过作者最近建立的关于 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了 GAT的基区穿通电压 VPI,并且解释了该器件实现高频率与高电压兼容的实验结果。
关键词 GAT 基区穿通电压 兼容性 功率晶体管
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GAT实现高电流增益与高雪崩击穿电压兼容特性分析 被引量:1
8
作者 庄宝煌 黄美纯 +1 位作者 朱梓忠 李开航 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期206-211,共6页
通过作者最近建立的关于电力半导体器件 GAT的集电结耗尽层电位分析和电场分布的二维解析模型定量研究了 GAT的雪崩击穿特性 ,并且定量解释了该器件实现高击穿电压与高电流增益兼容的实验结果。
关键词 电流增益 雪崩击穿电压 兼容性 功率晶体管
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Ni,Al及其合金的一种嵌入原子势 被引量:1
9
作者 张建华 吴顺情 +1 位作者 文玉华 朱梓忠 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期588-594,共7页
嵌入原子势在金属材料的结构及其物性的计算机模拟方面仍然有着重要的作用.针对面心立方结构的镍、铝及其合金,我们拟合了一种简单形式的嵌入原子势.势参数的拟合使用了相应材料的晶格常数,结合能、空位形成能以及三个弹性常数C_(11),C_... 嵌入原子势在金属材料的结构及其物性的计算机模拟方面仍然有着重要的作用.针对面心立方结构的镍、铝及其合金,我们拟合了一种简单形式的嵌入原子势.势参数的拟合使用了相应材料的晶格常数,结合能、空位形成能以及三个弹性常数C_(11),C_(12),C_(44).除了一些高频部分的合理偏差之外,使用拟合的势参数得到的声子谱与实验结果符合良好.此外,得到的状态方程也与第一原理的理论结果很好地符合,说明了此嵌入原子势的可靠性. 展开更多
关键词 NI AL 舍金 嵌入原子势
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重金属小团簇W_n(n=2~7)磁性的第一原理计算 被引量:1
10
作者 李仁全 庄琼云 +1 位作者 文玉华 朱梓忠 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期495-500,共6页
使用自旋极化的密度泛函理论下的第一原理方法,对重金属钨的小团簇W_n(n=2~7)的结构特性和磁性进行了理论计算.结果表明:团簇的结合能随着团簇中原子数的增加而增大;虽然W的体材料不具有磁性,但是W的一些小团簇可以表现出磁性,如W_3、... 使用自旋极化的密度泛函理论下的第一原理方法,对重金属钨的小团簇W_n(n=2~7)的结构特性和磁性进行了理论计算.结果表明:团簇的结合能随着团簇中原子数的增加而增大;虽然W的体材料不具有磁性,但是W的一些小团簇可以表现出磁性,如W_3、W_4和W_7,其磁矩均为2_(μB);通过能级图我们分析了W_n团簇磁矩的变化情况.此外,还分析了W_n团簇的磁矩,结合能,能量的一阶和二阶差分随原子数n的变化,讨论了最稳定团簇W_4的电子结构和电荷密度. 展开更多
关键词 W团簇 磁性 从头计算
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准二维天然超晶格物质Mo_4O_(11)的输运现象
11
作者 高文秀 黄美纯 +2 位作者 朱梓忠 刘宝林 陈松岩 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期159-164,共6页
报告了准二维天然超晶格物质η-Mo4O11(在105K和35K呈现两次电荷密度波转变)在温度4.2-300K,脉冲磁场40T范围内的输运性质。动态和静态的温度特性均在转变温度附近呈现出明显异常。对其高压下的特性也作了报道。
关键词 半导体 输运性质 温度特性 电荷密度波 氧化钼
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GAT的优化设计分析
12
作者 庄宝煌 黄美纯 +1 位作者 朱梓忠 李开航 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期29-36,共8页
通过作者最近建立的关于电力半导体器件 GAT的集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型即《GAT栅屏蔽效应二维解析模型》、《GAT实现高频率与高基区穿通电压兼容特性分析》以及《GAT实现高电流增益与高雪崩击穿电压兼容特性分析》... 通过作者最近建立的关于电力半导体器件 GAT的集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型即《GAT栅屏蔽效应二维解析模型》、《GAT实现高频率与高基区穿通电压兼容特性分析》以及《GAT实现高电流增益与高雪崩击穿电压兼容特性分析》,定量研究了优化设计 GAT的材料参数和结构参数的关系。 展开更多
关键词 功率器件 联栅晶体管 优化设计 电力半导体器件 GAT
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超细钛金属线的电子性质
13
作者 李爱玉 文玉华 +1 位作者 朱梓忠 杨勇 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期1323-1326,共4页
使用第一性原理方法计算研究了一系列无限长、超细的钛金属线的结合能和电子性质,并得到了这些超细金属线的电导.结果表明,超细钛金属线单位原子的结合能比体材料的结合能低得多,而且与金属线截面半径的倒数在所计算的纳米范围内成线性... 使用第一性原理方法计算研究了一系列无限长、超细的钛金属线的结合能和电子性质,并得到了这些超细金属线的电导.结果表明,超细钛金属线单位原子的结合能比体材料的结合能低得多,而且与金属线截面半径的倒数在所计算的纳米范围内成线性反比关系.钛金属线的电子结构性质表现出渐进的尺寸演化和明显的结构关联,当金属线直径大于1 nm时表现出类似体材料的电子结构,这与Ti团簇的电子结构性质相似.对电导的计算发现,金属线的电导随着线尺寸的变粗而增大,电导通道的数目由金属线的结构对称性和粗细所决定. 展开更多
关键词 钛超细金属线 电子结构 从头计算
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金属的原子间多体势模型及其拟合方法
14
作者 文玉华 朱梓忠 邵桂芳 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期656-660,共5页
在本文中,我们构造了金属Ta元素的Finnis-Sinclair型的嵌入原子势。并采用蒙特卡罗方法求解给出了此元素的多体势函数的参数。结果显示,本文拟合的参数能够较好的反映这种元素的结构特征和物理性质。
关键词 原子间作用势 嵌入原子方法 金属
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LiAl的电子与几何结构 被引量:2
15
作者 吴良根 吴荣钦 +2 位作者 陈丽娟 朱梓忠 杨勇 《电化学》 CAS CSCD 2003年第4期439-444,共6页
 应用平面波展开和第一原理赝势法研究了锂铝单晶的电子和几何结构,给出LiAl各种可能结构的能量~体积关系图以及相关的能带结构,电子态密度和电荷密度分布等各种性质变化关系.讨论了B32结构与其他结构电子键合性质的不同,指出B32结构...  应用平面波展开和第一原理赝势法研究了锂铝单晶的电子和几何结构,给出LiAl各种可能结构的能量~体积关系图以及相关的能带结构,电子态密度和电荷密度分布等各种性质变化关系.讨论了B32结构与其他结构电子键合性质的不同,指出B32结构之所以成为LiAl最稳定的结构是由于Al_Al原子形成了类似于Si_Si的共价键合.计算得到的能量最低的稳定结构与实验以及其它的理论计算结果一致. 展开更多
关键词 LiAl 电子结构 晶体结构 几何结构 理论计算 锂铝合金 锂电池 阳极材料
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应变Ge_(1-y)C_y合金的带隙
16
作者 吴丽清 郭亨群 +1 位作者 黄美纯 朱梓忠 《华侨大学学报(自然科学版)》 CAS 2002年第1期19-22,共4页
采用基于局域密度泛函理论和虚晶近似下的从头赝势法 ,研究 Si(0 0 1)和 Ge(0 0 1)衬底上的应变 Ge1-y Cy 合金 ,其带隙随碳含量和晶格失配度的变化情况 .结果发现 ,带隙对应变条件非常敏感 .硅衬底上应变 Ge1-y Cy 合金的带隙随碳组分... 采用基于局域密度泛函理论和虚晶近似下的从头赝势法 ,研究 Si(0 0 1)和 Ge(0 0 1)衬底上的应变 Ge1-y Cy 合金 ,其带隙随碳含量和晶格失配度的变化情况 .结果发现 ,带隙对应变条件非常敏感 .硅衬底上应变 Ge1-y Cy 合金的带隙随碳组分的增加而增加 ,而锗衬底上应变 Ge1-y Cy 展开更多
关键词 从头赝势法 带隙 硅衬底 锗衬底 碳含量 晶格失配度 能带结构 半导体材料 应变Ge1-yCy合金
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ANiN(A=Li,Na,Mg,Ca)的结构、热力学、弹性和电子性质的第一性原理研究
17
作者 黄夏敏 张丽红 +2 位作者 吴顺情 杨勇 朱梓忠 《电化学》 CAS CSCD 北大核心 2021年第3期339-350,共12页
三元过渡金属氮化物ANiN(A=Li,Na,Mg,Ca)是潜在的可充放电池的电极材料。物理性质,比如热稳定性、电子能隙以及弹性稳定性等,对于这些材料的电池应用都是非常重要的。本文使用第一原理方法,对比研究了ANiN这些材料的结构、动力学、弹性... 三元过渡金属氮化物ANiN(A=Li,Na,Mg,Ca)是潜在的可充放电池的电极材料。物理性质,比如热稳定性、电子能隙以及弹性稳定性等,对于这些材料的电池应用都是非常重要的。本文使用第一原理方法,对比研究了ANiN这些材料的结构、动力学、弹性和电子结构性质。对状态方程和声子谱的计算被用来确定体系的稳定结构。对最稳定结构的弹性常数的计算表明,这些稳定结构都满足Born-Huang的稳定性判据,意味着它们的弹性稳定性。对体系电子结构的计算表明,LiNiN和CaNiN是半金属(half-metals),MgNiN是磁性材料,而NaNiN是通常的金属。这些材料的磁学性质都通过Stoner理论进行了解释。最后,电荷密度的计算被用来很好地说明了这些材料中的Ni-N成键的特征,表明成键特点主要是离子性的,但明显地混合了共价性。 展开更多
关键词 ANiN(A=Li Na Mg Ca) 结构稳定性 电子性质 第一性原理计算
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Structure—Depandent Electronic and Optical Properties of the Martensitic Alloys TiAu
18
作者 朱梓忠 叶亦英 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2002年第3期425-428,共4页
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TiNi Monatomic Chains Stabilized by Alloying: a First-Principles Study 被引量:1
19
作者 李爱玉 王晓春 +1 位作者 文玉华 朱梓忠 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2006年第1期182-185,共4页
Total energies and electronic structures calculations are performed for the monatomic TiNi alloy chains with the linear and zigzag structures. The pure Ti and pure Ni atomic chains have also been computed on equal foo... Total energies and electronic structures calculations are performed for the monatomic TiNi alloy chains with the linear and zigzag structures. The pure Ti and pure Ni atomic chains have also been computed on equal footing, serving as reference systems. The results shows that the stability of one-dimensional chains can be enhanced by alloying, i.e. the cohesive energies of TiNi alloy chains are larger than the corresponding pure Ti and Ni ones, in both the linear and zigzag structures. The stability effect by alloying is associated with changes of the electronic properties, such as the lowering of the density of states at the Fermi level and more covalently bonding between the Ti and Ni sites. Compared to the zigzag TiNi chain, the stability of linear TiNi chains has been more increased. 展开更多
关键词 GOLD ATOMS
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Atomic and Electronic Structures of Zr Atomic Chains 被引量:2
20
作者 林益寿 李爱玉 朱梓忠 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2004年第9期1791-1794,共4页
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