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零场下自旋轨道矩驱动垂直磁矩翻转
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作者 吴闯文 崔宝山 +4 位作者 朱增泰 张广宇 于国强 梁世恒 王浩 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2021年第12期972-981,共10页
基于自旋轨道矩效应的全电学驱动磁矩翻转具有写入速度快、耐久性强、使用寿命长、功耗低等优势,在新型自旋电子存储器和逻辑器件中展现出巨大的应用潜力,从而引起了广泛关注。对于传统自旋轨道矩驱动的垂直磁矩翻转,通常需要在平面内... 基于自旋轨道矩效应的全电学驱动磁矩翻转具有写入速度快、耐久性强、使用寿命长、功耗低等优势,在新型自旋电子存储器和逻辑器件中展现出巨大的应用潜力,从而引起了广泛关注。对于传统自旋轨道矩驱动的垂直磁矩翻转,通常需要在平面内施加外部辅助磁场才能得以实现,这不仅增加了额外的功耗,而且使设计电路更加复杂,因此实现零场下自旋轨道矩驱动垂直磁矩翻转就显得尤为重要。涵盖了近年来通过自旋轨道矩实现零场下磁矩翻转的相关进展,其中实现零场磁矩翻转的关键机制主要包括磁性层结构对称性破缺、面内的交换偏置场、电场调控面内的各向异性、亚铁磁中梯度各向异性以及梯度饱和磁化强度等。 展开更多
关键词 自旋轨道矩 垂直磁各向异性 自旋逻辑器件 低功耗 零场磁矩翻转
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