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题名新型无损IGBT短路耐性测试电路
被引量：2
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作者
黄建伟
刘国友
余伟
罗海辉
朱利恒
覃荣震
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机构
株洲南车时代电气股份有限公司
新型功率半导体器件国家重点实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第1期70-75,共6页
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文摘
为保护绝缘栅双极晶体管(IGBT)测试电路及芯片失效信息,提出了一种新型的无损IGBT短路安全工作区测试电路,可以在器件测试时根据测试电流、电压波形特征,自动识别IGBT是否发生失效。一旦被测器件在测试过程中发生失效,测试电路能够立即自动将电流旁路,保护芯片表面不受二次大电流破坏,进而保护芯片失效信息,为芯片的失效分析提供依据。根据设计搭建了测试保护电路,并进行实验比较。通过分析对比失效IGBT模块及芯片内部结构,发现该新型测试电路能在IGBT失效后,保护被测IGBT芯片不被进一步破坏,为失效分析提供充分依据。
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关键词
绝缘栅双极晶体管(IGBT)
短路测试
失效分析
短路安全工作区
无损测试
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Keywords
insulated gate bipolar transistor（IGBT）
short-circuit test
failure analysis
shortcircuit safe operation area（SCSOA）
non-destructive test
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分类号
TN322.8
[电子电信—物理电子学]
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题名电网用5200V压接式逆导IGBT模块
- 2
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作者
朱利恒
王滨
蔡海
陈星
覃荣震
肖强
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机构
株洲中车时代半导体有限公司功率半导体与集成技术全国重点实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第10期873-878,共6页
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文摘
为了进一步增大功率密度、降低热阻,基于平面增强型U形IGBT元胞结构设计了一种优化芯片背面的逆导(RC)IGBT芯片。通过将RC-IGBT芯片柔性压接封装成模块,研究模块的高温动、静态性能和子模组的极限性能。通过在芯片正面增加n型载流子存储层结构和结型场效应晶体管(JFET)区注入降低正向导通压降(V_(CE,on)),通过在芯片背面逐渐减小n+区域宽度消除正向导通压降回跳现象。测试结果表明,该模块在125℃、3000 A下V_(CE,on)为3.18 V,反向导通压降(V_(F))为1.95 V。3400 V母线电压下,子模组IGBT能关断3.9倍额定电流,可以通过21 V栅压、10μs的一类短路极限测试;快恢复二极管(FRD)的反向恢复瞬时功率峰值达6 MW以上,并可通过峰值电流达23倍额定电流(11.5 kA)的浪涌测试。相比同类产品,该RC-IGBT模块静态性能和极限性能均具有明显优势,能应用于大电流复杂工况的电网环境中。
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关键词
逆导(RC)IGBT
压接模块
低导通损耗
宽安全工作区
浪涌电流
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Keywords
reverse conducting(RC)IGBT
press-pack module
low conduction loss
wide safe working area
surge current
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分类号
TN32
[电子电信—物理电子学]
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题名1700V IGBT场限环场板终端优化设计
被引量：2
- 3
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作者
周荣斌
杨平
唐茂森
叶峻涵
沈俊
刘东
朱利恒
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机构
西南交通大学电气工程学院
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出处
《机车电传动》
北大核心
2021年第5期58-63,共6页
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文摘
击穿电压是IGBT的一个重要参数,而器件的击穿电压主要与终端结构有关,所以对终端结构的研究一直备受关注。文章设计了一种1 700 V的IGBT终端结构,采用场限环和场板相结合的终端技术,降低了器件表面电场峰值,提高了其击穿电压。通过仿真分析多组不同场板长度和氧化层厚度的终端结构,采用多项式拟合和多元回归分析击穿电压、表面电场分布与每个环上的场板长度和氧化层厚度的关系;在此基础上提前预测器件的击穿电压和表面电场分布,缩短终端设计时间;经过调整后,在366μm的终端上仿真实现了1 927 V的击穿电压,终端效率达到了91.5%。该终端优化设计方法能够优化器件的表面电场分布,有效降低表面电场峰值,并提高终端效率。
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关键词
IGBT
场限环
场板
击穿电压
多元回归
多项式拟合
仿真
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Keywords
IGBT
field limiting ring
field plate
breakdown voltage
multiple regression
fit polynomial
simulation
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分类号
TN325.2
[电子电信—物理电子学]
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