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题名雾化施液CMP工艺及实验设备
被引量：7
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作者
朱仌
李庆忠
王陈
刘晓鹏
钱善华
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机构
江南大学机械工程学院
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出处
《江南大学学报（自然科学版）》
CAS
2013年第6期698-702,共5页
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基金
国家自然科学基金项目(51175228)
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文摘
针对传统化学机械抛光的平坦化制程中抛光液使用量大和环保等问题,提出了一种利用超声波雾化抛光液进行抛光的工艺方法。介绍了试验台架搭建、工艺处理方法、工作原理和抛光工艺,并与传统化学机械抛光效果进行了比较。研究表明,在表面质量上,雾化工艺能够达到传统化学机械抛光的量级,其使用量是传统化学机械抛光的1/10。
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关键词
化学机械抛光
雾化施液
去除率
表面粗糙度
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Keywords
chemical mechanical polishing, atomizing slurry applied ,removal rate, surface roughness
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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题名雾化施液CMP工艺优化
被引量：3
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作者
朱仌
李庆忠
王陈
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机构
江南大学机械工程学院
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第9期684-688,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目(51175228)
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文摘
通过改进抛光雾液供液系统,结合超声波雾化技术对原雾化施液CMP实验系统进行优化,并进行了工艺实验。通过单因素试验研究雾化参数对抛光结果的影响,利用正交试验得到最优工艺参数组合,并在相同条件下将雾化抛光与传统抛光进行比较。结果表明:该实验系统的最优参数组合为雾化器电压50 V、抛光压力8 psi(1 psi=6 895 Pa)、抛光盘转速为70 r/min,此时材料去除速率为171.853 nm/min,表面粗糙度为4.76 nm。与传统抛光相比材料去除速率稍低,但表面粗糙度要好,且抛光液消耗量(1.03 g/min)约为传统抛光(10 g/min)的1/10。由于雾化器将抛光液中分子结构打散形成大量雾液,从而减少抛光液中磨粒团聚,同时雾化液更能均匀分散吸附在抛光垫上,增加了参与抛光的有效磨粒数,有利于材料去除和形成高质量表面。
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关键词
化学机械抛光(CMP)
雾化施液
去除速率
表面粗糙度
工艺优化
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Keywords
chemical mechanical polishing（CMP）
atomizing slurry applied
material removal rate（MRR）
surface roughness
process optimization
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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