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一种改进的分水岭分割的研究
被引量:
13
1
作者
曾荣周
伏云昌
童耀南
《光电子技术》
CAS
2007年第1期23-26,30,共5页
用分水岭方法进行图像分割时,容易造成图像的过度分割。为了克服这种缺点,本文提出了改进的图像分水岭分割的方法。该方法先用改进的中值滤波对图像进行预处理,在去除噪声的同时很好的保持物体轮廓和细节;以传统标记提取为基础,以标记...
用分水岭方法进行图像分割时,容易造成图像的过度分割。为了克服这种缺点,本文提出了改进的图像分水岭分割的方法。该方法先用改进的中值滤波对图像进行预处理,在去除噪声的同时很好的保持物体轮廓和细节;以传统标记提取为基础,以标记点为区域极小值对图像进行分水岭分割。实验结果显示,该方法能很好地抑制过度分割,使分割得到了较好的效果。
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关键词
图像分割
分水岭分割
标记提取
中值滤波
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职称材料
源漏不对称的石墨烯场效应管特性研究
被引量:
1
2
作者
曾荣周
李平
+1 位作者
廖永波
张庆伟
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2018年第2期118-121,共4页
石墨烯场效应管(GFET)在栅极和源/漏电极之间存在的不对称的未被栅极覆盖的区域,会引起栅、源和栅、漏电极之间的串联电阻不相等,这将对GFET的性能会产生影响.首次测试了源漏不对称GFET在互换源、漏电极的情况下的输出特性、转移特性和...
石墨烯场效应管(GFET)在栅极和源/漏电极之间存在的不对称的未被栅极覆盖的区域,会引起栅、源和栅、漏电极之间的串联电阻不相等,这将对GFET的性能会产生影响.首次测试了源漏不对称GFET在互换源、漏电极的情况下的输出特性、转移特性和跨导,并采用带源极负反馈电阻的共源极电路模型和石墨烯沟道总电阻计算公式,分析了源漏不对称对器件特性的影响机理.为研制GFET及其他的纳米结构材料晶体管提供了有益的参考.
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关键词
石墨烯场效应管
源漏不对称
un-gated区域
串联电阻
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职称材料
一种还原图像的新方法
3
作者
曾荣周
伏云昌
《现代电子技术》
2007年第8期90-91,95,共3页
针对常用的用离散傅里叶逆变换把图像的频谱还原出图像的计算机图像处理时,离散傅里叶逆变换又要调用离散傅里叶变换的问题,提出了一种还原图像的新方法,称为“二次傅里叶变换”法。该方法用了两次离散傅里叶变换和频谱的原点向中心移动...
针对常用的用离散傅里叶逆变换把图像的频谱还原出图像的计算机图像处理时,离散傅里叶逆变换又要调用离散傅里叶变换的问题,提出了一种还原图像的新方法,称为“二次傅里叶变换”法。该方法用了两次离散傅里叶变换和频谱的原点向中心移动,该方法和常用的方法相比速度会更快些。并且通过计算机图像处理进行验证,验证结果表明该方法是完全可行的。
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关键词
离散傅里叶变换
离散傅里叶逆变换
图像处理
频谱
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职称材料
基于跨导运算放大器的多模多频可重构滤波器的设计
被引量:
2
4
作者
周细凤
曾荣周
+2 位作者
林愿
张平华
孙静
《高技术通讯》
北大核心
2017年第8期744-754,共11页
研究了多模多频的射频前端接收机中的滤波器的设计。为使滤波器具备多模式、多功能等特点,减小尺寸、降低功耗,克服电调谐不方便、线性度低的问题,提出了一种基于跨导运算放大器(OTA)的多模多频可重构滤波器的设计方法,该方法通过设置...
研究了多模多频的射频前端接收机中的滤波器的设计。为使滤波器具备多模式、多功能等特点,减小尺寸、降低功耗,克服电调谐不方便、线性度低的问题,提出了一种基于跨导运算放大器(OTA)的多模多频可重构滤波器的设计方法,该方法通过设置合适的开关阵列,使同一个电路拓扑实现不同的工作模式,且每种工作模式都可实现多种滤波功能。该方法设计的滤波器电路结构简单,易于集成,硬件复用率高,且实验证明功能多样,线性度高,适合应用到单片集成的多模多频接收机中。
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关键词
可重构
多模多频
滤波器
跨导运算放大器(OTA)
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职称材料
基于单神经元模糊自适应PID控制的加热炉温度控制器设计
被引量:
7
5
作者
吕楠楠
曾荣周
肖珊
《现代电子技术》
2009年第23期161-164,共4页
加热炉温度控制器要求精度高、动态性能好、抗干扰能力强、检测功能全,而常规的PID控制策略难以满足要求。为此,提出一种单神经元模糊自适应PID控制算法,为提高系统的控温精度和响应快速性,将模糊控制引入单神经元自适应PID控制中,提出...
加热炉温度控制器要求精度高、动态性能好、抗干扰能力强、检测功能全,而常规的PID控制策略难以满足要求。为此,提出一种单神经元模糊自适应PID控制算法,为提高系统的控温精度和响应快速性,将模糊控制引入单神经元自适应PID控制中,提出单神经元模糊PID控制。它运用有监督的Hebb学习规则在线修正PID参数,而神经元的比例、积分、微分学习速率则由Sugeno模糊逻辑系统根据系统的误差和误差变化量大小进行调整,使控制系统对动态过程信息的利用程度达到最优。Matlab仿真和实验结果表明,系统不仅具有自学习、自适应能力和鲁棒性,且动态性能和稳态性能都优于经典PID控制,超调量减小,上升时间和调节时间均减小。
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关键词
单神经元自适应PID
模糊
加热炉
温度控制
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职称材料
石墨烯晶体管转移特性对栅压的依赖现象研究
被引量:
2
6
作者
张庆伟
李平
+3 位作者
王刚
曾荣周
王恒
周金浩
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2017年第6期36-39,共4页
为了研究石墨烯场效应晶体管的不同测试方法,对其转移特性的影响,在栅压为0~5V之间扫描的情况下,研究了石墨烯晶体管的狄拉克点变化规律.其变化呈现以下特点:连续地正向扫描或反向扫描时,随着次数的增加,狄拉克点电压逐渐变大;先加栅压...
为了研究石墨烯场效应晶体管的不同测试方法,对其转移特性的影响,在栅压为0~5V之间扫描的情况下,研究了石墨烯晶体管的狄拉克点变化规律.其变化呈现以下特点:连续地正向扫描或反向扫描时,随着次数的增加,狄拉克点电压逐渐变大;先加栅压保持一段时间后,再测转移特性,0V保持时,狄拉克点电压不变,5V保持时,狄拉克点电压变大;测试之间相互独立时,正向扫描的狄拉克点电压小于反向扫描的狄拉克点电压;双向连续扫描时,第一次测试影响第二次的结果.以上现象表明了狄拉克点电压的大小和已扫描过的栅压大小有关.我们把上述的特点归因于电子注入到氧化铪表面的陷阱中.这些现象的发现和解释对石墨烯器件的可靠性,石墨烯导电特性的控制,石墨烯电路的实现有明显的参考意义.
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关键词
石墨烯晶体管
转移特性
狄拉克点
迟滞效应
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职称材料
石墨烯晶体管的栅长对跨导的影响
7
作者
张庆伟
李平
+4 位作者
廖永波
王刚
曾荣周
王恒
翟亚红
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2017年第12期25-27,33,共4页
对于传统的硅MOS场效应晶体管,器件跨导的大小正比于沟道的宽长比.本文在石墨烯晶体管中发现了相反的现象.制备了源漏之间距离相同,且沟道宽度相同的石墨烯晶体管,实验结果为沟道较长的晶体管跨导较大.究其原因,石墨烯晶体管中栅电极覆...
对于传统的硅MOS场效应晶体管,器件跨导的大小正比于沟道的宽长比.本文在石墨烯晶体管中发现了相反的现象.制备了源漏之间距离相同,且沟道宽度相同的石墨烯晶体管,实验结果为沟道较长的晶体管跨导较大.究其原因,石墨烯晶体管中栅电极覆盖的沟道面积较大时,被感应的载流子数量较多,所以跨导较大.此实验结果和分析对石墨烯晶体管的进一步理解和应用有明显的意义.
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关键词
石墨烯晶体管
跨导
宽长比
硅MOS晶体管
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职称材料
Si/SiC超结LDMOSFET的短路和温度特性
8
作者
阳治雄
曾荣周
+2 位作者
吴振珲
廖淋圆
李中启
《半导体技术》
北大核心
2023年第12期1071-1076,共6页
Si/SiC超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(SJ-LDMOSFET)能有效改善Si SJ-LDMOSFET阻断电压低、温度特性差和短路可靠性低的问题。采用TCAD软件对Si SJ-LDMOSFET和Si/SiC SJ-LDMOSFET的短路和温度特性进行研究。当环境温度从300 K...
Si/SiC超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(SJ-LDMOSFET)能有效改善Si SJ-LDMOSFET阻断电压低、温度特性差和短路可靠性低的问题。采用TCAD软件对Si SJ-LDMOSFET和Si/SiC SJ-LDMOSFET的短路和温度特性进行研究。当环境温度从300 K上升到400 K时,Si/SiC SJ-LDMOSFET内部最高温度均低于Si SJ-LDMOSFET,表现出良好的抑制自热效应的能力;Si/SiC SJ-LDMOSFET的击穿电压基本保持不变,且饱和电流退化率较低。发生短路时,Si/SiC SJ-LDMOSFET内部最高温度上升率要明显小于Si SJ-LDMOSFET。在环境温度为300 K和400 K时,Si/SiC SJ-LDMOSFET的短路维持时间相对于Si SJ-LDMOSFET分别增加了230%和266.7%。研究结果显示Si/SiC SJ-LDMOSFET在高温下具有更好的温度稳定性和抗短路能力,适用于高温、高压和高短路可靠性要求的环境中。
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关键词
超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(SJ-LDMOSFET)
Si/SiC异质结
击穿
短路
温度稳定性
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职称材料
题名
一种改进的分水岭分割的研究
被引量:
13
1
作者
曾荣周
伏云昌
童耀南
机构
昆明理工大学理学院
出处
《光电子技术》
CAS
2007年第1期23-26,30,共5页
基金
山西省科技攻关基金资助项目(041104)
文摘
用分水岭方法进行图像分割时,容易造成图像的过度分割。为了克服这种缺点,本文提出了改进的图像分水岭分割的方法。该方法先用改进的中值滤波对图像进行预处理,在去除噪声的同时很好的保持物体轮廓和细节;以传统标记提取为基础,以标记点为区域极小值对图像进行分水岭分割。实验结果显示,该方法能很好地抑制过度分割,使分割得到了较好的效果。
关键词
图像分割
分水岭分割
标记提取
中值滤波
Keywords
image segmentation
watershed segmentation
marker extraction
median filter
分类号
TN911.73 [电子电信—通信与信息系统]
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职称材料
题名
源漏不对称的石墨烯场效应管特性研究
被引量:
1
2
作者
曾荣周
李平
廖永波
张庆伟
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2018年第2期118-121,共4页
文摘
石墨烯场效应管(GFET)在栅极和源/漏电极之间存在的不对称的未被栅极覆盖的区域,会引起栅、源和栅、漏电极之间的串联电阻不相等,这将对GFET的性能会产生影响.首次测试了源漏不对称GFET在互换源、漏电极的情况下的输出特性、转移特性和跨导,并采用带源极负反馈电阻的共源极电路模型和石墨烯沟道总电阻计算公式,分析了源漏不对称对器件特性的影响机理.为研制GFET及其他的纳米结构材料晶体管提供了有益的参考.
关键词
石墨烯场效应管
源漏不对称
un-gated区域
串联电阻
Keywords
graphene field-effect transistors (GFETs)
asymmetrical source drain
un-gated region
access resist-ance
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
一种还原图像的新方法
3
作者
曾荣周
伏云昌
机构
昆明理工大学理学院
出处
《现代电子技术》
2007年第8期90-91,95,共3页
文摘
针对常用的用离散傅里叶逆变换把图像的频谱还原出图像的计算机图像处理时,离散傅里叶逆变换又要调用离散傅里叶变换的问题,提出了一种还原图像的新方法,称为“二次傅里叶变换”法。该方法用了两次离散傅里叶变换和频谱的原点向中心移动,该方法和常用的方法相比速度会更快些。并且通过计算机图像处理进行验证,验证结果表明该方法是完全可行的。
关键词
离散傅里叶变换
离散傅里叶逆变换
图像处理
频谱
Keywords
discrete Fourier transform
discrete inverse Fourier transform
image processing
spectrum
分类号
TP391.41 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
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职称材料
题名
基于跨导运算放大器的多模多频可重构滤波器的设计
被引量:
2
4
作者
周细凤
曾荣周
林愿
张平华
孙静
机构
湖南工程学院电气信息学院
湖南信息职业技术学院电子工程学院
出处
《高技术通讯》
北大核心
2017年第8期744-754,共11页
基金
国家自然科学基金(51502087)
湖南工程学院新进博士启动基金(16RC007)
+3 种基金
湖南省教育厅科学研究(15C0982)
湖南省教育厅开放基金(14k029)
湖南省自然科学基金(14jj6041)
湖南省教育科学"十三五"规划(XJK06BXX004)资助项目
文摘
研究了多模多频的射频前端接收机中的滤波器的设计。为使滤波器具备多模式、多功能等特点,减小尺寸、降低功耗,克服电调谐不方便、线性度低的问题,提出了一种基于跨导运算放大器(OTA)的多模多频可重构滤波器的设计方法,该方法通过设置合适的开关阵列,使同一个电路拓扑实现不同的工作模式,且每种工作模式都可实现多种滤波功能。该方法设计的滤波器电路结构简单,易于集成,硬件复用率高,且实验证明功能多样,线性度高,适合应用到单片集成的多模多频接收机中。
关键词
可重构
多模多频
滤波器
跨导运算放大器(OTA)
Keywords
reconfigurable, multi-mode multi-frequency, filter, operational trans-conductance amplifier (OTA)
分类号
TN713 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
基于单神经元模糊自适应PID控制的加热炉温度控制器设计
被引量:
7
5
作者
吕楠楠
曾荣周
肖珊
机构
南京铁道职业技术学院
湖南机电职业技术学院
出处
《现代电子技术》
2009年第23期161-164,共4页
文摘
加热炉温度控制器要求精度高、动态性能好、抗干扰能力强、检测功能全,而常规的PID控制策略难以满足要求。为此,提出一种单神经元模糊自适应PID控制算法,为提高系统的控温精度和响应快速性,将模糊控制引入单神经元自适应PID控制中,提出单神经元模糊PID控制。它运用有监督的Hebb学习规则在线修正PID参数,而神经元的比例、积分、微分学习速率则由Sugeno模糊逻辑系统根据系统的误差和误差变化量大小进行调整,使控制系统对动态过程信息的利用程度达到最优。Matlab仿真和实验结果表明,系统不仅具有自学习、自适应能力和鲁棒性,且动态性能和稳态性能都优于经典PID控制,超调量减小,上升时间和调节时间均减小。
关键词
单神经元自适应PID
模糊
加热炉
温度控制
Keywords
single neuron self - adaptive PID
fuzzy
furnace
temperature control
分类号
TP18 [自动化与计算机技术—控制理论与控制工程]
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职称材料
题名
石墨烯晶体管转移特性对栅压的依赖现象研究
被引量:
2
6
作者
张庆伟
李平
王刚
曾荣周
王恒
周金浩
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2017年第6期36-39,共4页
基金
国家自然科学基金项目(61404021)
文摘
为了研究石墨烯场效应晶体管的不同测试方法,对其转移特性的影响,在栅压为0~5V之间扫描的情况下,研究了石墨烯晶体管的狄拉克点变化规律.其变化呈现以下特点:连续地正向扫描或反向扫描时,随着次数的增加,狄拉克点电压逐渐变大;先加栅压保持一段时间后,再测转移特性,0V保持时,狄拉克点电压不变,5V保持时,狄拉克点电压变大;测试之间相互独立时,正向扫描的狄拉克点电压小于反向扫描的狄拉克点电压;双向连续扫描时,第一次测试影响第二次的结果.以上现象表明了狄拉克点电压的大小和已扫描过的栅压大小有关.我们把上述的特点归因于电子注入到氧化铪表面的陷阱中.这些现象的发现和解释对石墨烯器件的可靠性,石墨烯导电特性的控制,石墨烯电路的实现有明显的参考意义.
关键词
石墨烯晶体管
转移特性
狄拉克点
迟滞效应
Keywords
graphene transistor
transfer characteristics
Dirac points
hysteresis effect
分类号
TN312 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
石墨烯晶体管的栅长对跨导的影响
7
作者
张庆伟
李平
廖永波
王刚
曾荣周
王恒
翟亚红
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2017年第12期25-27,33,共4页
基金
国家自然科学基金项目(61404021)
电子薄膜与集成器件重点实验室开放基金(KFJJ201608)
文摘
对于传统的硅MOS场效应晶体管,器件跨导的大小正比于沟道的宽长比.本文在石墨烯晶体管中发现了相反的现象.制备了源漏之间距离相同,且沟道宽度相同的石墨烯晶体管,实验结果为沟道较长的晶体管跨导较大.究其原因,石墨烯晶体管中栅电极覆盖的沟道面积较大时,被感应的载流子数量较多,所以跨导较大.此实验结果和分析对石墨烯晶体管的进一步理解和应用有明显的意义.
关键词
石墨烯晶体管
跨导
宽长比
硅MOS晶体管
Keywords
graphene transistors
transconductance
width to length ratio
Si MOS transistors
分类号
TN312 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
Si/SiC超结LDMOSFET的短路和温度特性
8
作者
阳治雄
曾荣周
吴振珲
廖淋圆
李中启
机构
湖南工业大学轨道交通学院
出处
《半导体技术》
北大核心
2023年第12期1071-1076,共6页
基金
国家重点研发计划资助项目(2022YFB3403200)
湖南省自然科学基金资助项目(2022JJ30226)。
文摘
Si/SiC超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(SJ-LDMOSFET)能有效改善Si SJ-LDMOSFET阻断电压低、温度特性差和短路可靠性低的问题。采用TCAD软件对Si SJ-LDMOSFET和Si/SiC SJ-LDMOSFET的短路和温度特性进行研究。当环境温度从300 K上升到400 K时,Si/SiC SJ-LDMOSFET内部最高温度均低于Si SJ-LDMOSFET,表现出良好的抑制自热效应的能力;Si/SiC SJ-LDMOSFET的击穿电压基本保持不变,且饱和电流退化率较低。发生短路时,Si/SiC SJ-LDMOSFET内部最高温度上升率要明显小于Si SJ-LDMOSFET。在环境温度为300 K和400 K时,Si/SiC SJ-LDMOSFET的短路维持时间相对于Si SJ-LDMOSFET分别增加了230%和266.7%。研究结果显示Si/SiC SJ-LDMOSFET在高温下具有更好的温度稳定性和抗短路能力,适用于高温、高压和高短路可靠性要求的环境中。
关键词
超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(SJ-LDMOSFET)
Si/SiC异质结
击穿
短路
温度稳定性
Keywords
super junction lateral double-diffused metal oxide semiconductor field effect transistor(SJ-LDMOSFET)
Si/SiC heterojunction
breakdown
short-circuit
temperature stability EEACC.2560P
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种改进的分水岭分割的研究
曾荣周
伏云昌
童耀南
《光电子技术》
CAS
2007
13
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职称材料
2
源漏不对称的石墨烯场效应管特性研究
曾荣周
李平
廖永波
张庆伟
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2018
1
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职称材料
3
一种还原图像的新方法
曾荣周
伏云昌
《现代电子技术》
2007
0
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职称材料
4
基于跨导运算放大器的多模多频可重构滤波器的设计
周细凤
曾荣周
林愿
张平华
孙静
《高技术通讯》
北大核心
2017
2
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职称材料
5
基于单神经元模糊自适应PID控制的加热炉温度控制器设计
吕楠楠
曾荣周
肖珊
《现代电子技术》
2009
7
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职称材料
6
石墨烯晶体管转移特性对栅压的依赖现象研究
张庆伟
李平
王刚
曾荣周
王恒
周金浩
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2017
2
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职称材料
7
石墨烯晶体管的栅长对跨导的影响
张庆伟
李平
廖永波
王刚
曾荣周
王恒
翟亚红
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2017
0
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职称材料
8
Si/SiC超结LDMOSFET的短路和温度特性
阳治雄
曾荣周
吴振珲
廖淋圆
李中启
《半导体技术》
北大核心
2023
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职称材料
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