检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

B^+注入沾污与Fe^+·B^-离子对的增强扩散效应: 1; 作者曾庆城王水风罗房芳《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1993年第S2期79-81,共3页; 显微观测LSI硼注入硅形成的PN结,发现横向结深大于纵向结深,用紫外荧光法检测了B^+注入样品的Fe杂质沾污,研究了Fe^+·B^-离子“对”在SiO_2边缘的横向增强扩散效应.; 关键词离子注入铁硼离子对横向增强扩散; 在线阅读下载PDF 职称材料

LED-GaP外延晶片洁净优化技术的研究被引量：1: 2; 作者王水凤胡力民 +1 位作者曾宇昕曾庆城《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期12-15,共4页; 介绍了绿色、红色发光ＧａＰ外延晶片不同发光强度的无损检测方法。分别用短紫外光（≤３００ｎｍ）和蓝光（４８８ｎｍ）激发方式，在室温下，有效地观测了ＬＥＤＧａＰｖＮ（掺氮ＧａＰ晶片）的多峰ＰＬ谱。根据对上述两... 展开更多; 关键词外延晶片洁净度优化 LED-GaP 发光二极管; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs表面光强反射率的温度敏感特性: 3; 作者肖韶荣曾庆城 +1 位作者管永红熊黎明《传感器技术》 CSCD 1996年第6期16-17,20,共3页; 对ＧａＡｓ表面光强反射率随温度的变化特性进行了分析，实验结果表明，在一定的温度范围内，其表面光强反射率Ｒ随温度变化的曲线具有开关特性。; 关键词光强反射率温度敏感砷化镓; 在线阅读下载PDF 职称材料

多孔硅薄膜的红光激发上转换荧光特性: 4; 作者王兼善王水凤 +1 位作者王平曾庆城《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期31-33,共3页; 测量了用电化学腐蚀法制备的多孔硅（ＰＳ）薄膜红光（６００～８００ｎｍ）激发下的光致发光（ＰＬ）谱和光致发光激发（ＰＬＥ）谱，结果表明ＰＳ膜具有良好的上转换荧光特性，并随着存放时间的延长在一定期限内峰值强度有明显的增强... 展开更多; 关键词多孔硅上转换荧光蓝光发射; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名B^+注入沾污与Fe^+·B^-离子对的增强扩散效应: 1; 作者曾庆城王水风罗房芳; 机构南昌大学应用物理所; 出处《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1993年第S2期79-81,共3页; 基金江西省自然科学基金国家自然科学基金; 文摘显微观测LSI硼注入硅形成的PN结,发现横向结深大于纵向结深,用紫外荧光法检测了B^+注入样品的Fe杂质沾污,研究了Fe^+·B^-离子“对”在SiO_2边缘的横向增强扩散效应.; 关键词离子注入铁硼离子对横向增强扩散; 分类号 N55 [自然科学总论]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名LED-GaP外延晶片洁净优化技术的研究被引量：1: 2; 作者王水凤胡力民曾宇昕曾庆城; 机构南昌大学物理系; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期12-15,共4页; 基金江西省自然科学基金 863计划资助项目; 文摘介绍了绿色、红色发光ＧａＰ外延晶片不同发光强度的无损检测方法。分别用短紫外光（≤３００ｎｍ）和蓝光（４８８ｎｍ）激发方式，在室温下，有效地观测了ＬＥＤＧａＰｖＮ（掺氮ＧａＰ晶片）的多峰ＰＬ谱。根据对上述两种发光ＧａＰ外延晶片的相对光强与金属杂质Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ和Ｃｒ（以Ｆｅ为主）紫外荧光（ＵＶＦ）谱的实测数据的相关性，; 关键词外延晶片洁净度优化 LED-GaP 发光二极管; Keywords GaP epitaxial wafer Cleanness degree optimization Nondestructive inspection Impurity Fe contamination; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学] TN383.052 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs表面光强反射率的温度敏感特性: 3; 作者肖韶荣曾庆城管永红熊黎明; 机构南昌大学; 出处《传感器技术》 CSCD 1996年第6期16-17,20,共3页; 文摘对ＧａＡｓ表面光强反射率随温度的变化特性进行了分析，实验结果表明，在一定的温度范围内，其表面光强反射率Ｒ随温度变化的曲线具有开关特性。; 关键词光强反射率温度敏感砷化镓; Keywords Reflecting power Temperature sense; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名多孔硅薄膜的红光激发上转换荧光特性: 4; 作者王兼善王水凤王平曾庆城; 机构南昌大学物理系计算中心南昌大学物理系材料科学研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期31-33,共3页; 基金南昌大学基础理论研究资助江西省自然科学基金; 文摘测量了用电化学腐蚀法制备的多孔硅（ＰＳ）薄膜红光（６００～８００ｎｍ）激发下的光致发光（ＰＬ）谱和光致发光激发（ＰＬＥ）谱，结果表明ＰＳ膜具有良好的上转换荧光特性，并随着存放时间的延长在一定期限内峰值强度有明显的增强。这种非线性光学响应的增强被认为与空间量子限制效应作用下局域束缚激子被激发有关。; 关键词多孔硅上转换荧光蓝光发射; 分类号 TN204 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料