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真空高温热退火对单晶磷化铟纳米孔阵列的形貌、微结构影响
1
作者
曾安生
郑茂俊
+1 位作者
马荔
沈文忠
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A02期894-895,共2页
利用真空热退火的方法，研究了单晶InP方形纳米孔阵列退火后的形貌和晶相等特征。发现随着退火温度的不断升高，单晶InP中P的挥发性也越来越剧烈，到650℃后P完全挥发，样品变成h单质，而单晶InP方形纳米孔阵列的形貌也逐渐变得不均一...
利用真空热退火的方法，研究了单晶InP方形纳米孔阵列退火后的形貌和晶相等特征。发现随着退火温度的不断升高，单晶InP中P的挥发性也越来越剧烈，到650℃后P完全挥发，样品变成h单质，而单晶InP方形纳米孔阵列的形貌也逐渐变得不均一，当退火温度高于550℃，整个纳米孔阵列被完全破坏。
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关键词
单晶磷化铟纳米孔阵列
真空热退火
形貌与微结构
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职称材料
题名
真空高温热退火对单晶磷化铟纳米孔阵列的形貌、微结构影响
1
作者
曾安生
郑茂俊
马荔
沈文忠
机构
上海交通大学物理系
上海交通大学化学化工学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A02期894-895,共2页
基金
国家自然科学基金资助项目（50572064）.
文摘
利用真空热退火的方法，研究了单晶InP方形纳米孔阵列退火后的形貌和晶相等特征。发现随着退火温度的不断升高，单晶InP中P的挥发性也越来越剧烈，到650℃后P完全挥发，样品变成h单质，而单晶InP方形纳米孔阵列的形貌也逐渐变得不均一，当退火温度高于550℃，整个纳米孔阵列被完全破坏。
关键词
单晶磷化铟纳米孔阵列
真空热退火
形貌与微结构
Keywords
single crystalline InP nanopore array
vacuum thermal anneal
morphology and microstructure
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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作者
出处
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1
真空高温热退火对单晶磷化铟纳米孔阵列的形貌、微结构影响
曾安生
郑茂俊
马荔
沈文忠
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
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