本次设计采用0.25 um GaAs E-Mode p HEMT工艺,利用ADS仿真软件设计了一款工作在2 GHz~4.2 GHz的MMIC低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)。该放大器采用单电源供电的两级放大结构,通过在晶体管源极加入高精度的小电感负反馈元件改...本次设计采用0.25 um GaAs E-Mode p HEMT工艺,利用ADS仿真软件设计了一款工作在2 GHz~4.2 GHz的MMIC低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)。该放大器采用单电源供电的两级放大结构,通过在晶体管源极加入高精度的小电感负反馈元件改善输入回波损耗,以及采用栅极与漏极之间并联RCL负反馈的结构改善增益平坦度和拓宽带宽。仿真结果表明,在2 GHz~4.2 GHz频带内,增益大于30.7 dB,增益平坦度为±0.282 d B,噪声系数小于1.524 dB,输出1 dB压缩点大于16 d Bm,输入输出回波损耗均大于16 dB,芯片面积为0.94×1.05 mm^(2)。展开更多
