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空穴注入结构对有机电致发光器件性能影响
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作者 曹国华 关敏 +2 位作者 曹俊松 李林森 曾一平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期390-392,共3页
分别以CuPc、C60和C60/CuPc为空穴注入结构制备了ITO/HIL/NPB/Alq3/LiF/Al结构有机电致发光器件(HIL是空穴注入层)。相比于单层C60注入层器件,由于C60/CuPc结构器件中增加了CuPc作为空穴传输的能量阶梯,器件的电流密度和亮度分别被提高... 分别以CuPc、C60和C60/CuPc为空穴注入结构制备了ITO/HIL/NPB/Alq3/LiF/Al结构有机电致发光器件(HIL是空穴注入层)。相比于单层C60注入层器件,由于C60/CuPc结构器件中增加了CuPc作为空穴传输的能量阶梯,器件的电流密度和亮度分别被提高了96%和142%(10V电压下)。尽管CuPc器件的电流密度和亮度最大,但是C60/CuPc结构器件因改善了空穴和电子的注入平衡,器件的效率得到提高,最大效率为2.8cd/A。C60厚度从2nm增加到5nm后,器件性能急剧降低。 展开更多
关键词 有机电致发光 空穴注入 异质结
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