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空穴注入结构对有机电致发光器件性能影响
1
作者
曹国华
关敏
+2 位作者
曹俊松
李林森
曾一平
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期390-392,共3页
分别以CuPc、C60和C60/CuPc为空穴注入结构制备了ITO/HIL/NPB/Alq3/LiF/Al结构有机电致发光器件(HIL是空穴注入层)。相比于单层C60注入层器件,由于C60/CuPc结构器件中增加了CuPc作为空穴传输的能量阶梯,器件的电流密度和亮度分别被提高...
分别以CuPc、C60和C60/CuPc为空穴注入结构制备了ITO/HIL/NPB/Alq3/LiF/Al结构有机电致发光器件(HIL是空穴注入层)。相比于单层C60注入层器件,由于C60/CuPc结构器件中增加了CuPc作为空穴传输的能量阶梯,器件的电流密度和亮度分别被提高了96%和142%(10V电压下)。尽管CuPc器件的电流密度和亮度最大,但是C60/CuPc结构器件因改善了空穴和电子的注入平衡,器件的效率得到提高,最大效率为2.8cd/A。C60厚度从2nm增加到5nm后,器件性能急剧降低。
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关键词
有机电致发光
空穴注入
异质结
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职称材料
题名
空穴注入结构对有机电致发光器件性能影响
1
作者
曹国华
关敏
曹俊松
李林森
曾一平
机构
中国科学院半导体研究所新材料部
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期390-392,共3页
基金
国家自然科学基金(60876043)
文摘
分别以CuPc、C60和C60/CuPc为空穴注入结构制备了ITO/HIL/NPB/Alq3/LiF/Al结构有机电致发光器件(HIL是空穴注入层)。相比于单层C60注入层器件,由于C60/CuPc结构器件中增加了CuPc作为空穴传输的能量阶梯,器件的电流密度和亮度分别被提高了96%和142%(10V电压下)。尽管CuPc器件的电流密度和亮度最大,但是C60/CuPc结构器件因改善了空穴和电子的注入平衡,器件的效率得到提高,最大效率为2.8cd/A。C60厚度从2nm增加到5nm后,器件性能急剧降低。
关键词
有机电致发光
空穴注入
异质结
Keywords
organic electroluminescent devices
hole injection
heterojunction
分类号
TN383.1 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
空穴注入结构对有机电致发光器件性能影响
曹国华
关敏
曹俊松
李林森
曾一平
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
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