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热处理温度与Er掺杂量对氧化镍薄膜光学与电学特性的影响
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作者 姚函妤 陈楷 +3 位作者 易雨薇 周延琪 李霜 唐群涛 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第9期1622-1632,共11页
NiO作为一种新型宽禁带空穴传输材料,具有优异的光学、电学特性。本文采用溶胶凝胶法制备Er掺杂NiO薄膜,通过改变退火温度和Er掺杂浓度,对比探究热处理对NiO薄膜结构与光电特性的影响。研究表明,随着退火温度从300℃提升至600℃,NiO薄... NiO作为一种新型宽禁带空穴传输材料,具有优异的光学、电学特性。本文采用溶胶凝胶法制备Er掺杂NiO薄膜,通过改变退火温度和Er掺杂浓度,对比探究热处理对NiO薄膜结构与光电特性的影响。研究表明,随着退火温度从300℃提升至600℃,NiO薄膜结晶性与可见光透过率增加,在500℃退火温度下具有最低的电阻率;随着Er掺杂浓度从2%提升至10%,NiO薄膜缺陷减少,晶粒尺寸增加,上转换发光性能呈先增加后降低的趋势,上转换和电学性能在Er掺杂量为8%时性能最佳。本研究优化制备的8%Er掺杂NiO薄膜,在500℃退火2 h具有最高上转换发光强度,最低电阻率为177.6Ω·cm,最高迁移率0.48 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)。本文从光谱转换和空穴传输层材料性能优化两个方面,为提升钙钛矿和硅基太阳电池光电转换效率的研究提供部分理论和实验依据。 展开更多
关键词 NiO薄膜 Er掺杂 溶胶凝胶法 热处理 光学性能 电学性能
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