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Al-Zn-Mg合金价电子理论研究 被引量:1
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作者 明科宇 李松湖 +1 位作者 邹积峰 集兴伟 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 2010年第5期46-49,共4页
在电子结构上揭示Al-Zn-Mg合金时效强化机理,利用"固体与分子经验电子"理论中的键距差法,计算了Al-Zn-Mg合金中的过饱和固溶体,GP区,η相(MgZn2)以及T相(Al2Mg3Zn3)的电子结构,从而在价电子结构上解释Al-Zn-Mg合金在时效过程... 在电子结构上揭示Al-Zn-Mg合金时效强化机理,利用"固体与分子经验电子"理论中的键距差法,计算了Al-Zn-Mg合金中的过饱和固溶体,GP区,η相(MgZn2)以及T相(Al2Mg3Zn3)的电子结构,从而在价电子结构上解释Al-Zn-Mg合金在时效过程中GP区和η(MgZn2)稳定相对合金强化的原因,以及高温过时效时合金强度降低的原因。 展开更多
关键词 AL-ZN-MG合金 时效强化 价电子结构 GP区 EET理论
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