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题名1MW高倍聚光光伏发电并网系统的设计
被引量：4
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作者
冯乾
肖祥江
涂洁磊
施辉伟
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机构
云南电网公司 北京能源新技术研究发展中心
云南师范大学太阳能研究所教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室云南省农村能源工程重点实验室
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出处
《节能技术》
CAS
2013年第6期491-494,共4页
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基金
国家高技术研究发展计划项目(2011AA050512)
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文摘
本文选云南石林地区为电站场址,通过对高倍聚光光伏组件选择、光伏阵列运行方式选择、光伏阵列设计及布置方案、并网逆变器选型等光伏发电系统构成方面进行了研究设计。分析得出该电站的理论年发电量为170.07万kWh,具有良好的经济效益和环保效益。
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关键词
高倍聚光光伏
发电系统
并网
逆变器
效益
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Keywords
HCPV
electricity generation system
grid connected
inverter
benefit
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分类号
TM615
[电气工程—电力系统及自动化]
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题名石墨上多晶硅薄膜的制备及择优取向的调控
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作者
施辉伟
陈诺夫
黄添懋
尹志岗
汪宇
张汉
应杰
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机构
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室
华北电力大学可再生能源学院
浙江大学硅材料国家重点实验室
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2010年第9期548-551,559,共5页
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文摘
利用磁控溅射在石墨衬底上制备了非晶硅薄膜,并使用快速热退火对薄膜进行了晶化处理。XRD分析表明,直接溅射沉积在石墨衬底上的硅薄膜经过快速热退火后具有高度的(220)择优取向。通过在硅薄膜和石墨衬底界面处引入一定厚度的ZnO中间层,晶化后的多晶硅薄膜择优取向实现了从(220)向(400)的转变,从而非常有利于将成熟的制绒工艺应用于该材料体系的电池制备过程中。对于择优取向的转变提出了解释,认为Si(100)面和ZnO(001)面晶格匹配是主要原因。喇曼分析表明ZnO中间层的引入提高了多晶硅薄膜的晶体质量。
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关键词
多晶硅薄膜
石墨
快速热退火
氧化锌
择优取向
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Keywords
polycrystalline silicon thin film
graphite
rapid thermal annealing （RTA）
ZnO
preferred orientation
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分类号
TN304.055
[电子电信—物理电子学]
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题名原位Si掺杂c-BN薄膜的制备及电学性质研究
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作者
应杰
范亚明
谭海仁
施辉伟
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机构
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2010年第7期409-414,共6页
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文摘
采用双离子束辅助沉积技术制备了原位Si掺杂的c-BN薄膜。系统研究了辅源轰击束流大小、辅源气体组分比以及衬底温度对制备薄膜的影响。结果表明,在掺入Si杂质后,要保持高立方相含量,必须增强辅源离子的轰击强度;随着辅源混合气体中Ar含量的增加,立方相含量也逐步增加;中等衬底生长温度既可以保持薄膜中高立方相含量以及较好的晶体质量,又不会导致薄膜中应力过大。电学测试则显现掺杂薄膜具有明显的半导体特性和非晶态半导体的电学输运性质。
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关键词
立方氮化硼薄膜
掺杂
硅
立方相含量
电学输运
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Keywords
cubic boron nitride films
doping
silicon
cubic content
electrical transport
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分类号
TN304.2
[电子电信—物理电子学]
O472
[理学—半导体物理]
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