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开口碳纳米管电子发射场增强因子的研究: 1; 作者施易军王六定陈景东《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期734-738,共5页; 利用镜像电荷模型计算了处于外加电场中开口碳纳米管顶端的电势和场强,得到电子发射场增强因子为γ=2(2h/ρ+1)/[ln16(1+16R2/ρ2)]-1。结果表明:外加电场与纳米管的几何参数会影响其顶端的局域电场,从而影响电子场发射;γ与长厚比h/ρ... 展开更多; 关键词开口碳纳米管电子场发射场增强因子; 在线阅读下载PDF 职称材料

碳纳米管电荷分布对电子发射场增强因子影响的研究被引量：5: 2; 作者陈景东王六定施易军《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期407-410,426,共5页; 本文通过分析碳纳米管的电荷分布规律,巧妙地将处于外电场中且端口封闭的金属性碳纳米管等效成电荷非均匀分布的球面,获得了包括端部球面电荷、管壁电荷与镜像电荷共同作用的场增强因子为β=1.14h/R+2.62。结果表明:场增强因子是碳纳米... 展开更多; 关键词碳纳米管电荷分布场增强因子场发射; 在线阅读下载PDF 职称材料

碳纳米管场增强因子计算模型的研究被引量：2: 3; 作者安博王六定 +1 位作者施易军陈景东《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期946-949,954,共5页; 场增强因子(β)是评价碳纳米管场发射性能的重要参数之一。本文介绍了几种计算β的模型,分析了各种因素对β的影响。通过对所得β表达式进行比较,总结了不同模型中影响场增强因子的主要因素。; 关键词碳纳米管场增强因子计算模型; 在线阅读下载PDF 职称材料