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微系统及其可靠性技术的发展历程、趋势及建议被引量：6: 1; 作者黄云周斌 +4 位作者杨晓锋陈思付志伟施宜军王宏跃《电子产品可靠性与环境试验》 2021年第S02期21-24,共4页; 随着"摩尔定律"不断地逼近物理极限,微系统集成技术被普遍认为是推动集成电路芯片微型化和多功能化的新引擎。但是通过三维堆叠、异质/异构集成等实现小型化、多功能化的同时,也给微系统带来了许多新的可靠性问题。针对微系... 展开更多; 关键词微系统封装可靠性失效分析发展历程发展趋势建议; 在线阅读下载PDF 职称材料

异质异构微系统集成可靠性技术综述被引量：5: 2; 作者周斌陈思 +5 位作者王宏跃付志伟施宜军杨晓锋曲晨冰时林林《电子与封装》 2021年第10期110-118,共9页; 随着智能移动、智能汽车、物联网、可穿戴设备等市场的快速增长,兼具信号感知、信号处理、信令执行和赋能等多功能集成的微系统技术成为业界关注的焦点。在深度摩尔和超越摩尔的共同推动下,微系统技术正呈现出工艺节点不断缩小、集成密... 展开更多; 关键词微系统异质异构残余应力热管理可靠性; 在线阅读下载PDF 职称材料

栅槽刻蚀工艺对增强型GaN HEMT器件性能的影响被引量：4: 3; 作者崔兴涛陈万军 +6 位作者施宜军信亚杰李茂林王方洲周琦李肇基张波《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第4期286-290,共5页; 基于凹槽栅增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)研究了不同的栅槽刻蚀工艺对GaN器件性能的影响。在栅槽刻蚀方面,采用了一种感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术与高温热氧化湿法刻蚀技术相结合的两步法刻蚀技术,将AlGaN势垒层全... 展开更多; 关键词增强型氮化镓(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 刻蚀技术击穿电压; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种带有注入增强缓冲层的4H-SiC GTO晶闸管被引量：3: 4; 作者高吴昊陈万军 +7 位作者刘超陶宏夏云谯彬施宜军邓小川李肇基张波《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第4期276-280,312,共6页; 门极可关断(GTO)晶闸管是应用在脉冲功率领域中的一种重要的功率器件。目前,由于常规SiC GTO晶闸管的阴极注入效率较低,限制了器件性能的提高。提出了一种带有注入增强缓冲层的碳化硅门极可关断(IEB-GTO)晶闸管结构,相比于常规GTO晶闸... 展开更多; 关键词 4H-SIC 门极可关断(GTO)晶闸管注入效率缓冲层脉冲功率; 在线阅读下载PDF 职称材料

高阈值电压低界面态增强型Al_2O_3/GaN MIS-HEMT 被引量：3: 5; 作者李茂林陈万军 +6 位作者王方洲施宜军崔兴涛信亚杰刘超李肇基张波《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第4期265-269,290,共6页; 采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺并结合高温氮气氛围退火技术,制备出了高阈值电压的硅基GaN增强型Al_2O_3/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT)。采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺刻蚀AlGaN层,并在AlGaN/GaN界面处自动终... 展开更多; 关键词增强型Al2O3/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT) 阈值电压界面态热氧化退火; 在线阅读下载PDF 职称材料

电子元器件热应力仿真技术综述被引量：3: 6; 作者惠财鑫赵鹏 +5 位作者黄云路国光贺致远施宜军陈义强卢向军《电子产品可靠性与环境试验》 2022年第S02期107-112,共6页; 元器件生产和运行前的热应力仿真分析已经成为检测器件可靠性的有效手段。对电子元器件目前存在的热应力仿真技术进行了综述。介绍了不同级别的热应力仿真技术,包括芯片级、封装级和板级;并且对于芯片在制造及封装的过程中可能存在的热... 展开更多; 关键词热应力仿真芯片级封装级板级; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名微系统及其可靠性技术的发展历程、趋势及建议被引量：6: 1; 作者黄云周斌杨晓锋陈思付志伟施宜军王宏跃; 机构工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室; 出处《电子产品可靠性与环境试验》 2021年第S02期21-24,共4页; 文摘随着"摩尔定律"不断地逼近物理极限,微系统集成技术被普遍认为是推动集成电路芯片微型化和多功能化的新引擎。但是通过三维堆叠、异质/异构集成等实现小型化、多功能化的同时,也给微系统带来了许多新的可靠性问题。针对微系统封装技术的发展和可靠性评估的需求,介绍了微系统技术的定义和发展历史,重点分析了微系统技术的发展现状,探讨了微系统目前面临的可靠性技术问题。此外,从技术、应用和市场战略方面对微系统技术未来的发展趋势进行了概述。最后,分析了当前微系统可靠性评估存在的挑战,对微系统技术发展提出了建议。; 关键词微系统封装可靠性失效分析发展历程发展趋势建议; Keywords microsystem packaging technology reliability failure analysis development path development trend suggestion; 分类号 TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名异质异构微系统集成可靠性技术综述被引量：5: 2; 作者周斌陈思王宏跃付志伟施宜军杨晓锋曲晨冰时林林; 机构工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室; 出处《电子与封装》 2021年第10期110-118,共9页; 基金国家自然科学基金青年基金(62004046,61804032) 广东省基础与应用基础研究基金(2021A1515012007)。; 文摘随着智能移动、智能汽车、物联网、可穿戴设备等市场的快速增长,兼具信号感知、信号处理、信令执行和赋能等多功能集成的微系统技术成为业界关注的焦点。在深度摩尔和超越摩尔的共同推动下,微系统技术正呈现出工艺节点不断缩小、集成密度不断提高、结构框架软硬一体、失效机制交叉融合、分析技术更新迭代等全新特征,新结构、新工艺的引入带来了新的可靠性问题,使得部分原有可靠性表征方法不再适用。针对基于异质异构集成微系统技术的可靠性问题,综述了国内外研究进展,提出了亟需解决的若干问题和表征方法,如热、力学可靠性问题,多尺度、多场耦合问题,微纳工艺、结构的性能表征和退化问题,微系统可靠性评价问题,电磁、辐照、极低温等特殊环境下的适应性问题。; 关键词微系统异质异构残余应力热管理可靠性; Keywords microsystem heterogeneous residual stress thermal management reliability; 分类号 TN305.94 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名栅槽刻蚀工艺对增强型GaN HEMT器件性能的影响被引量：4: 3; 作者崔兴涛陈万军施宜军信亚杰李茂林王方洲周琦李肇基张波; 机构电子科技大学电子科学与工程学院; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第4期286-290,共5页; 文摘基于凹槽栅增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)研究了不同的栅槽刻蚀工艺对GaN器件性能的影响。在栅槽刻蚀方面,采用了一种感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术与高温热氧化湿法刻蚀技术相结合的两步法刻蚀技术,将AlGaN势垒层全部刻蚀掉,制备出了阈值电压超过3 V的增强型Al_2O_3/AlGaN/GaN MIS-HEMT器件。相比于传统的ICP干法刻蚀技术,两步法是一种低损伤的自停止刻蚀技术,易于控制且具有高度可重复性,能够获得更高质量的刻蚀界面,所制备的器件增强型GaN MIS-HEMT器件具有阈值电压回滞小、电流开关比(I_(ON)/I_(OFF))高、栅极泄漏电流小、击穿电压高等特性。; 关键词增强型氮化镓(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 刻蚀技术击穿电压; Keywords E-mode gallium nitride(GaN) high electron mobility transistor(HEMT) etching technique breakdown voltage; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学] TN405.98 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种带有注入增强缓冲层的4H-SiC GTO晶闸管被引量：3: 4; 作者高吴昊陈万军刘超陶宏夏云谯彬施宜军邓小川李肇基张波; 机构电子科技大学电子科学与工程学院; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第4期276-280,312,共6页; 文摘门极可关断(GTO)晶闸管是应用在脉冲功率领域中的一种重要的功率器件。目前,由于常规SiC GTO晶闸管的阴极注入效率较低,限制了器件性能的提高。提出了一种带有注入增强缓冲层的碳化硅门极可关断(IEB-GTO)晶闸管结构,相比于常规GTO晶闸管结构,该结构有着更高的阴极注入效率,从而减小了器件的导通电阻和功耗。仿真结果表明,当导通电流为1 000 A/cm^2时,IEB-GTO晶闸管的比导通电阻比常规GTO晶闸管下降了约45.5%;在脉冲峰值电流为6 000 A、半周期为1 ms的宽脉冲放电过程中,器件的最大导通压降比常规GTO晶闸管降低了约58.5%。; 关键词 4H-SIC 门极可关断(GTO)晶闸管注入效率缓冲层脉冲功率; Keywords 4H-SiC gate turn-off(GTO) thyristor injection efficiency buffer layer pulse power; 分类号 TN34 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高阈值电压低界面态增强型Al_2O_3/GaN MIS-HEMT 被引量：3: 5; 作者李茂林陈万军王方洲施宜军崔兴涛信亚杰刘超李肇基张波; 机构电子科技大学电子科学与工程学院; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第4期265-269,290,共6页; 基金四川省青年科技基金资助项目(2017JQ0020) 广东省重大科技专项资助项目(2017B010112003) 中央高校基本科研业务费资助项目(ZYGX2016Z006); 文摘采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺并结合高温氮气氛围退火技术,制备出了高阈值电压的硅基GaN增强型Al_2O_3/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT)。采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺刻蚀AlGaN层,并在AlGaN/GaN界面处自动终止刻蚀,可有效控制刻蚀的精度并降低栅槽表面的粗糙度。同时,利用高温氮气退火技术能够修复Al_2O_3/GaN界面的界面陷阱,并降低Al_2O_3栅介质体缺陷,因此能够减少Al_2O_3/GaN界面的界面态密度并提升栅极击穿电压。采用这两项技术制备的硅基GaN增强型Al_2O_3/GaN MIS-HEMT具有较低的栅槽表面平均粗糙度(0.24 nm)、较高的阈值电压(4.9 V)和栅极击穿电压(14.5 V)以及较低的界面态密度(8.49×10^(11) cm^(-2))。; 关键词增强型Al2O3/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT) 阈值电压界面态热氧化退火; Keywords E-mode Al2O3/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistor(MIS-HEMT) threshold voltage interface state thermal oxidation annealing; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名电子元器件热应力仿真技术综述被引量：3: 6; 作者惠财鑫赵鹏黄云路国光贺致远施宜军陈义强卢向军; 机构厦门理工学院材料科学与工程学院工业和信息化部电子第五研究所广东省电子信息产品可靠性技术重点实验室; 出处《电子产品可靠性与环境试验》 2022年第S02期107-112,共6页; 基金广东省重点领域研究发展计划项目(2020B010173001)资助; 文摘元器件生产和运行前的热应力仿真分析已经成为检测器件可靠性的有效手段。对电子元器件目前存在的热应力仿真技术进行了综述。介绍了不同级别的热应力仿真技术,包括芯片级、封装级和板级;并且对于芯片在制造及封装的过程中可能存在的热应力问题进行了分析,针对衬底集成无源元件、回流焊等过程给出了现有的仿真分析方法;对于不同的仿真软件,对仿真中的建模方法、边界条件、仿真过程和验证手段进行了对比分析和评价,总结出现存的有关元器件热应力仿真技术的不足并提出了改进方向。; 关键词热应力仿真芯片级封装级板级; Keywords thermal stress simulation chip level package level board level; 分类号 TN05 [电子电信—物理电子学] TP391.9 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	微系统及其可靠性技术的发展历程、趋势及建议	黄云周斌杨晓锋陈思付志伟施宜军王宏跃	《电子产品可靠性与环境试验》	2021	6	在线阅读下载PDF 职称材料
2	异质异构微系统集成可靠性技术综述	周斌陈思王宏跃付志伟施宜军杨晓锋曲晨冰时林林	《电子与封装》	2021	5	在线阅读下载PDF 职称材料
3	栅槽刻蚀工艺对增强型GaN HEMT器件性能的影响	崔兴涛陈万军施宜军信亚杰李茂林王方洲周琦李肇基张波	《半导体技术》 CAS 北大核心	2019	4	在线阅读下载PDF 职称材料
4	一种带有注入增强缓冲层的4H-SiC GTO晶闸管	高吴昊陈万军刘超陶宏夏云谯彬施宜军邓小川李肇基张波	《半导体技术》 CAS 北大核心	2019	3	在线阅读下载PDF 职称材料
5	高阈值电压低界面态增强型Al_2O_3/GaN MIS-HEMT	李茂林陈万军王方洲施宜军崔兴涛信亚杰刘超李肇基张波	《半导体技术》 CAS 北大核心	2019	3	在线阅读下载PDF 职称材料
6	电子元器件热应力仿真技术综述	惠财鑫赵鹏黄云路国光贺致远施宜军陈义强卢向军	《电子产品可靠性与环境试验》	2022	3	在线阅读下载PDF 职称材料