期刊文献+
共找到90篇文章
< 1 2 5 >
每页显示 20 50 100
卫星用长波HgCdTe探测器的研究 被引量:3
1
作者 方家熊 徐国森 +1 位作者 张林法 刘激鸣 《红外研究》 CSCD 北大核心 1990年第2期123-128,共6页
报道了卫星用长波HgCdTe红外探测器的性能。提出用波段探测率D_(Δλ)~*的概念来表征在105K下特定波段10.5~12.5μm工作的探测器性能。D_(Δλ)~*的值在1~3×10^(10)cmHz^(1/2)W^(-1)范围内,可靠性试验结果表明,探测器的失效率小... 报道了卫星用长波HgCdTe红外探测器的性能。提出用波段探测率D_(Δλ)~*的概念来表征在105K下特定波段10.5~12.5μm工作的探测器性能。D_(Δλ)~*的值在1~3×10^(10)cmHz^(1/2)W^(-1)范围内,可靠性试验结果表明,探测器的失效率小于2.5×10^(-5)。 展开更多
关键词 气象 卫星 HGCDTE 探测器 红外
在线阅读 下载PDF
短波红外InGaAs焦平面探测器研究进展 被引量:24
2
作者 李雪 邵秀梅 +8 位作者 李淘 程吉凤 黄张成 黄松垒 杨波 顾溢 马英杰 龚海梅 方家熊 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2020年第1期56-63,共8页
短波红外InGaAs焦平面探测器具有探测率高、均匀性好等优点,在航天遥感、微光夜视、医疗诊断等领域具有广泛应用。近十年来,中国科学院上海技术物理研究所围绕高灵敏度常规波长(0.9~1.7μm)InGaAs焦平面、延伸波长(1.0~2.5μm)InGaAs焦... 短波红外InGaAs焦平面探测器具有探测率高、均匀性好等优点,在航天遥感、微光夜视、医疗诊断等领域具有广泛应用。近十年来,中国科学院上海技术物理研究所围绕高灵敏度常规波长(0.9~1.7μm)InGaAs焦平面、延伸波长(1.0~2.5μm)InGaAs焦平面以及新型多功能InGaAs探测器取得了良好进展。在常规波长InGaAs焦平面方面,从256×1、512×1元等线列向320×256、640×512、4000×128、1280×10^24元等多种规格面阵方面发展,室温暗电流密度优于5 n A/cm2,室温峰值探测率优于5×10^12cm·Hz1/2/W。在延伸波长InGaAs探测器方面,发展了高光谱高帧频10^24×256、10^24×512元焦平面,暗电流密度优于10 n A/cm^2和峰值探测率优于5×10^11cm·Hz1/2/W@200 K。在新型多功能InGaAs探测器方面,发展了一种可见近红外响应的InGaAs探测器,通过具有阻挡层结构的新型外延材料和片上集成微纳陷光结构,实现0.4~1.7μm宽谱段响应,研制的320×256、640×512焦平面组件的量子效率达到40%@0.5 m、80%@0.8 m、90%@1.55 m;发展了片上集成亚波长金属光栅的InGaAs偏振探测器,其在0°、45°、90°、135°的消光比优于20:1。 展开更多
关键词 INGAAS 焦平面 短波红外 暗电流 探测率
在线阅读 下载PDF
航天先进红外探测器组件技术及应用 被引量:29
3
作者 龚海梅 邵秀梅 +7 位作者 李向阳 李言谨 张永刚 张燕 刘大福 王小坤 李雪 方家熊 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2012年第12期3129-3140,共12页
随着航天遥感应用对探测目标的波段特性、空间分辨率、辐射分辨率、时间分辨率以及可靠性等要求的不断提高,作为航天遥感仪器核心部件的光电探测器,需要向扩展波长范围、提高光电性能、改善光谱形状、减小光敏元尺寸、增加器件规模、提... 随着航天遥感应用对探测目标的波段特性、空间分辨率、辐射分辨率、时间分辨率以及可靠性等要求的不断提高,作为航天遥感仪器核心部件的光电探测器,需要向扩展波长范围、提高光电性能、改善光谱形状、减小光敏元尺寸、增加器件规模、提高寿命和可靠性等方向发展。文中从空间多光谱红外探测器、光谱定量化、红外焦平面探测器可靠性封装、新型短波红外探测器等4个方面,介绍了中国近年来研制的一系列航天先进红外探测器组件所涉及的基础研究工作及其在气象卫星等航天应用的进展。 展开更多
关键词 红外探测器 HGCDTE INGAAS 航天应用
在线阅读 下载PDF
短波红外InGaAs焦平面研究进展 被引量:14
4
作者 李雪 龚海梅 +7 位作者 邵秀梅 李淘 黄松垒 马英杰 杨波 朱宪亮 顾溢 方家熊 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期129-138,共10页
围绕新一代遥感探测仪器应用需求,中国科学院上海技术物理研究所在短波红外InGaAs焦平面探测器领域取得了一系列进展。通过低缺陷外延材料、焦平面芯片制备工艺和低噪声读出电路技术研究,研制实现了最大规模达2560×2048元的10μm... 围绕新一代遥感探测仪器应用需求,中国科学院上海技术物理研究所在短波红外InGaAs焦平面探测器领域取得了一系列进展。通过低缺陷外延材料、焦平面芯片制备工艺和低噪声读出电路技术研究,研制实现了最大规模达2560×2048元的10μm中心距1~1.7μm InGaAs焦平面探测器,峰值探测率优于1.0×10^(13)cmHz^(1/2)/W,有效像素率达到99.7%;研制实现了1280×1024元15μm中心距的1~2.5μm延伸波长探测器,峰值探测率优于5.0×10^(11)cmHz^(1/2)/W;发展了新体制新结构器件,研制了单片集成4向偏振功能的160×128元偏振焦平面探测器,消光比优于37:1;研制了64×64元盖革雪崩焦平面探测器,时间分辨率达到0.8 ns。 展开更多
关键词 铟镓砷 焦平面 短波红外 暗电流 偏振探测 雪崩倍增
在线阅读 下载PDF
高性能短波红外InGaAs焦平面探测器研究进展 被引量:25
5
作者 邵秀梅 龚海梅 +5 位作者 李雪 方家熊 唐恒敬 李淘 黄松垒 黄张成 《红外技术》 CSCD 北大核心 2016年第8期629-635,共7页
中科院上海技物所近十年来开展了高性能短波红外InGaAs焦平面探测器的研究。0.9~1.7mm近红外In Ga As焦平面探测器已实现了256×1、512×1、1024×1等多种线列规格,以及320×256、640×512、4000×128等面阵,... 中科院上海技物所近十年来开展了高性能短波红外InGaAs焦平面探测器的研究。0.9~1.7mm近红外In Ga As焦平面探测器已实现了256×1、512×1、1024×1等多种线列规格,以及320×256、640×512、4000×128等面阵,室温暗电流密度<5 n A/cm^2,室温峰值探测率优于5×10^(12)cm×Hz^(1/2)/W。同时,开展了向可见波段拓展的320×256焦平面探测器研究,光谱范围0.5~1.7mm,在0.8mm的量子效率约20%,在1.0mm的量子效率约45%。针对高光谱应用需求,上海技物所开展了1.0~2.5mm短波红外InGaAs探测器研究,暗电流密度小于10 n A/cm^2@200 K,形成了512×256、1024×128等多规格探测器,峰值量子效率高于75%,峰值探测率优于5×10^(11)cm×Hz^(1/2)/W。 展开更多
关键词 INGAAS 焦平面 短波红外 暗电流 探测率
在线阅读 下载PDF
InGaAs近红外线列焦面阵的研制进展 被引量:17
6
作者 龚海梅 张可锋 +5 位作者 唐恒敬 李雪 张永刚 缪国庆 宋航 方家熊 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2009年第1期14-18,共5页
研制出光谱响应为0.9~1.7μm的256×1、512×1元InGaAs线列焦平面组件,和光谱响应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列焦平面组件。焦平面组件包括光敏芯片、读出电路、热电制冷器以及管壳封装。光敏芯片在InP/InGaAs/InP(p-... 研制出光谱响应为0.9~1.7μm的256×1、512×1元InGaAs线列焦平面组件,和光谱响应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列焦平面组件。焦平面组件包括光敏芯片、读出电路、热电制冷器以及管壳封装。光敏芯片在InP/InGaAs/InP(p-i-n)双异质结外延材料上采用台面结构实现,并与128×1或512×1元CTIA结构的读出电路耦合。焦平面器件置于双列直插金属管壳中,采用平行缝焊的方式进行封装。介绍了高均匀性长线列InGaAs焦平面组件的关键技术和主要性能结果,为更长线列焦平面组件的研制提供了坚实的基础。 展开更多
关键词 短波近红外 INGAAS 焦平面组件 读出电路
在线阅读 下载PDF
边积分边读出低噪声红外焦平面读出电路研究 被引量:13
7
作者 黄张成 黄松垒 +2 位作者 张伟 陈郁 方家熊 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期297-300,304,共5页
设计了一款低噪声InGaAs焦平面读出电路.提出一种新型相关双采样电路结构,可在边积分边读出模式下有效抑制积分电容(0.15 pF)的KTC噪声.电路经0.5μm 5 V Nwell CMOS工艺流片,测试结果符合设计目标,在高帧频边积分边读出模式下工作状态... 设计了一款低噪声InGaAs焦平面读出电路.提出一种新型相关双采样电路结构,可在边积分边读出模式下有效抑制积分电容(0.15 pF)的KTC噪声.电路经0.5μm 5 V Nwell CMOS工艺流片,测试结果符合设计目标,在高帧频边积分边读出模式下工作状态良好,电路噪声约1.7×10-4 V,动态范围大于80 dB. 展开更多
关键词 红外焦平面 读出电路 边积分边读出 相关双采样
在线阅读 下载PDF
红外焦平面可靠性封装技术 被引量:10
8
作者 龚海梅 张亚妮 +8 位作者 朱三根 王小坤 刘大福 董德平 游达 李向阳 王平 朱龙源 方家熊 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期85-89,共5页
系统研究了红外焦平面组装、封装及其可靠性技术,解决了组件结构模拟、子模块精确定位、扁平引线设计、低漏率激光焊接、杜瓦内表面气体解吸分析及其解决途径等理论与技术问题,进行了组件可靠性、器件的高能粒子辐照与激光辐照等试验,... 系统研究了红外焦平面组装、封装及其可靠性技术,解决了组件结构模拟、子模块精确定位、扁平引线设计、低漏率激光焊接、杜瓦内表面气体解吸分析及其解决途径等理论与技术问题,进行了组件可靠性、器件的高能粒子辐照与激光辐照等试验,获得了一批实用化焦平面组件杜瓦和扁平引线,并均已转入工程研制.研究结果表明微型杜瓦的热负载小于250mW,真空保持寿命大于1年半. 展开更多
关键词 红外焦平面 封装 可靠性
在线阅读 下载PDF
空间遥感用近红外InGaAs焦平面组件(英文) 被引量:8
9
作者 龚海梅 唐恒敬 +9 位作者 李雪 张可锋 李永富 李淘 宁锦华 汪洋 缪国庆 宋航 张永刚 方家熊 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2009年第4期574-582,共9页
介绍了InGaAs PIN探测器的结构和主要性能指标,综述了InGaAs探测器的研究进展,特别是我国空间遥感用高均匀性长线列InGaAs焦平面组件的关键技术和主要性能结果。近年来,我国空间遥感用InGaAs得到了较快发展,研制出光谱响应为0.9~1.7μ... 介绍了InGaAs PIN探测器的结构和主要性能指标,综述了InGaAs探测器的研究进展,特别是我国空间遥感用高均匀性长线列InGaAs焦平面组件的关键技术和主要性能结果。近年来,我国空间遥感用InGaAs得到了较快发展,研制出光谱响应为0.9~1.7μm的正照射和背照射256×1元InGaAs线列焦平面组件,室温下其峰值响应率分别为7.8×1011cm·Hz1/2/W和4.5×1011cm·Hz1/2/W,而且利用正照射256×1元InGaAs线列焦平面组件实现了扫描成像,图像清晰。此外,研制了光谱响应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列焦平面组件,其室温下峰值探测率为2.5×1010cm·Hz1/2/W。这些研究结果为下一步更长线列焦平面组件的研制提供了坚实的基础,同时器件的性能需要进一步提高,以满足空间遥感应用的要求。 展开更多
关键词 INGAAS 焦平面组件 红外探测器 空间应用
在线阅读 下载PDF
基于APD-PIN结电容平衡电路的门控单光子探测器 被引量:9
10
作者 刘俊良 李永富 +2 位作者 张春芳 王祖强 方家熊 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第11期3181-3185,共5页
以APD-PIN结电容平衡门控猝灭电路(GPQC)和InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)为核心研制了可工作在宽门控频率范围下的近红外单光子探测器。门控信号为200 MHz以下任意重复频率的尖脉冲,门宽约1 ns,脉冲幅度约10 Vpp。采用与APD结电容特性... 以APD-PIN结电容平衡门控猝灭电路(GPQC)和InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)为核心研制了可工作在宽门控频率范围下的近红外单光子探测器。门控信号为200 MHz以下任意重复频率的尖脉冲,门宽约1 ns,脉冲幅度约10 Vpp。采用与APD结电容特性相近的PIN高频二极管研发了APD-PIN结电容平衡门控猝灭电路,可有效地抑制门控微分噪声中的低频分量,抑制比大于40 d B。采用一组简单的9阶贝塞尔型电感-电容(LC)低通滤波电路滤除残余的高频噪声分量,并使用通用的宽带射频放大器对雪崩信号进行放大。在-52℃,0.1~200 MHz门控频率条件下,10%探测效率时暗计数率、后脉冲概率分别小于6×10^(-6)/gate、1.9%,最高探测效率可达26.4%。 展开更多
关键词 单光子探测 低通滤波器 雪崩光电二极管
在线阅读 下载PDF
基于InGaAs/InP雪崩光电二极管的高速单光子探测器雪崩特性研究(英文) 被引量:10
11
作者 李永富 刘俊良 +1 位作者 王青圃 方家熊 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期427-431,共5页
报道了一种基于InGaAs/InP雪崩光电二极管、1.25GHz正弦波门控及贝塞尔低通滤波器的1.25GHz高速短波红外单光子探测器.通过调整比较电路的鉴别电平,实验研究了单光子探测器雪崩信号幅度随反向直流偏压的变化.随着鉴别电平的提高,单光子... 报道了一种基于InGaAs/InP雪崩光电二极管、1.25GHz正弦波门控及贝塞尔低通滤波器的1.25GHz高速短波红外单光子探测器.通过调整比较电路的鉴别电平,实验研究了单光子探测器雪崩信号幅度随反向直流偏压的变化.随着鉴别电平的提高,单光子探测器的探测效率及暗计数率均呈指数衰减,而后脉冲概率先增大到一个峰值,然后减小.研究表明,为获得更高的性能,需要尽量降低单光子探测器的鉴别电平. 展开更多
关键词 InGaAs/InP雪崩光电二极管 单光子探测器 短波红外
在线阅读 下载PDF
焦平面输入电路研究 被引量:6
12
作者 徐运华 张松 +2 位作者 谢文青 亢勇 方家熊 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第5期555-558,共4页
在混合式焦平面阵列中,探测器和读出电路的耦合通过输入级电路实现。为分析输入电路对探测器-放大器系统性能的影响,用分立元件设计制作了一个三级的前置放大器并进行了模拟实验,实验表明放大器输入级噪声是造成探测器信噪比下降的主要... 在混合式焦平面阵列中,探测器和读出电路的耦合通过输入级电路实现。为分析输入电路对探测器-放大器系统性能的影响,用分立元件设计制作了一个三级的前置放大器并进行了模拟实验,实验表明放大器输入级噪声是造成探测器信噪比下降的主要因素,应用中应该选用具有特定噪声性能的放大器与探测器匹配。研究了焦平面中常用的直接注入(DI)和电容反馈放大电路(CTIA)与探测器耦合时在噪声、输入阻抗、工作点匹配等方面应具备的条件。提出了临界输入阻抗的概念,实验表明,当电路的输入阻抗低于此临界值时(对于GaN p!i!n光伏探测器来说约为106Ω),焦平面才能获得较高的注入效率。 展开更多
关键词 焦平面 输入电路 直接注入 电容反馈放大电路
在线阅读 下载PDF
新型热释电材料及其在红外探测器中的应用 被引量:6
13
作者 刘林华 罗豪甦 +5 位作者 吴啸 赵祥永 方家熊 李言瑾 邵秀梅 景为平 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2011年第5期777-785,共9页
以(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3{PMNT[(1-x)/x]}为代表的大尺寸、高质量弛豫铁电单晶具有非常高的热释电系数、探测优值和较低的热扩散系数,其综合热释电性能远优于传统的热释电材料。概述了PMNT[(1-x)/x]单晶、掺锰PMNT(74/26)单晶和... 以(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3{PMNT[(1-x)/x]}为代表的大尺寸、高质量弛豫铁电单晶具有非常高的热释电系数、探测优值和较低的热扩散系数,其综合热释电性能远优于传统的热释电材料。概述了PMNT[(1-x)/x]单晶、掺锰PMNT(74/26)单晶和0.42Pb(In1/2Nb1/2)O3-0.3Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.28PbTiO3[PIMNT(42/30/28)]单晶的介电性能、铁电性能和热释电性能。掺杂后PMNT(74/26)单晶的介电损耗降低到0.000 5,探测优值提高到40.2×10-5 Pa-1/2,是目前所有三方四方相变温度(TRT)高于90°C的本征热释电材料中最高的。高居里温度PIMNT(42/30/28)单晶的TRT达到152°C,且具有较高的探测优值(10.2×10-5 Pa-1/2),将在更宽温度范围内得到广泛的应用。制作了基于掺锰PMNT(74/26)单晶的单元探头,其比探测率D*达到1.07×109 cmHz1/2W-1,是目前商用LiTaO3探测器的两倍,器件性能满足实用要求。 展开更多
关键词 弛豫铁电单晶 热释电 红外探测器 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3
在线阅读 下载PDF
FTIR测量的量子型光电探测器响应光谱校正 被引量:4
14
作者 张永刚 周立 +5 位作者 顾溢 马英杰 陈星佑 邵秀梅 龚海梅 方家熊 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期737-743,共7页
针对采用FTIR方法测量量子型光电探测器的光电流谱并据此校正获得器件的实际响应光谱问题,提出了两种简便可行的校正方案,即计算仪器函数校正方案和标准探测器传递校正方案;对其可行性、限制因素及注意事项进行了详细讨论.用两种方案对... 针对采用FTIR方法测量量子型光电探测器的光电流谱并据此校正获得器件的实际响应光谱问题,提出了两种简便可行的校正方案,即计算仪器函数校正方案和标准探测器传递校正方案;对其可行性、限制因素及注意事项进行了详细讨论.用两种方案对多种短波红外InGaAs光电探测器进行了测量校正,获得了与实际符合的响应光谱.为验证方案的适用性,还与采用经精确标定的光栅分光测量系统测得的结果进行了比对,确认了其适用性.结果表明,采用FTIR测量方法并结合适当的校正方案可以获得符合实际的响应光谱. 展开更多
关键词 响应光谱 校正 光电探测器 量子型 傅里叶变换红外
在线阅读 下载PDF
线列红外焦平面中几种相关采样法分析 被引量:8
15
作者 房骏 李言谨 +1 位作者 陈新禹 方家熊 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期41-46,共6页
介绍了相关双采样法(CDS)、四δ采样、差分平均法等方法对像元复位噪声(KTC)的抑制作用,从理论上分析了这几种方法对输入噪声的影响.将这几种方法用于线列红外焦平面,并对不同方法对噪声改善的程度进行了实验比较.
关键词 相关采样 KTC噪声 红外焦平面 CDS
在线阅读 下载PDF
低真空退火对GaN MSM紫外探测器伏安特性的影响 被引量:4
16
作者 亢勇 李雪 +4 位作者 肖继荣 靳秀芳 李向阳 龚海梅 方家熊 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2005年第1期15-18,共4页
利用金属有机化学气相沉积生长的非故意掺杂GaN单晶制备了金属-半导体-金属交叉指型肖特基紫外探测器。用肖特基势垒的热电子发射理论研究了低真空下不同热退火条件对器件伏安特性的影响。Au-GaN肖特基势垒由退火前的0.36eV升高到400℃0... 利用金属有机化学气相沉积生长的非故意掺杂GaN单晶制备了金属-半导体-金属交叉指型肖特基紫外探测器。用肖特基势垒的热电子发射理论研究了低真空下不同热退火条件对器件伏安特性的影响。Au-GaN肖特基势垒由退火前的0.36eV升高到400℃0.5h的0.57eV,退火延长为1h势垒反而开始下降。分析结果表明:由工艺造成的填隙Au原子引入的缺陷是器件势垒偏低的主要原因,Au填充N空位形成了施主型杂质是退火后势垒升高的主要原因。 展开更多
关键词 GAN 金属-半导体-金属 伏安特性 退火 肖特基势垒
在线阅读 下载PDF
大周长面积比延伸波长InGaAs红外焦平面噪声 被引量:5
17
作者 黄松垒 张伟 +2 位作者 黄张成 许中华 方家熊 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期235-238,共4页
在理论上分析了红外焦平面组件中光敏元、读出电路以及两者耦合的总噪声特性,对大周长面积比(38×500μm2)延伸波长InGaAs组件的噪声与温度、积分时间的关系进行了实验和分析.实验结果指出,在一定条件下组件噪声与积分时间的根号并... 在理论上分析了红外焦平面组件中光敏元、读出电路以及两者耦合的总噪声特性,对大周长面积比(38×500μm2)延伸波长InGaAs组件的噪声与温度、积分时间的关系进行了实验和分析.实验结果指出,在一定条件下组件噪声与积分时间的根号并不成正比.测量了不同温度下的组件暗信号、噪声,得到组件噪声与暗电流的关系,分析表明,该种组件噪声主要来自于1/f噪声及读出电路输入级电流噪声. 展开更多
关键词 延伸波长铟镓砷 焦平面噪声 积分时间
在线阅读 下载PDF
激光辐照对HgCdTe长波光导探测器性能的影响 被引量:8
18
作者 朱克学 张赟 +2 位作者 李向阳 龚海梅 方家熊 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期234-235,共2页
对 Hg Cd Te长波光导探测器进行了变功率激光辐照 ,对激光辐照前后的探测器性能进行了测试。结果表明在受到功率高于暂时损伤阈值但低于永久损伤阈值的激光辐照后 ,探测器性能有较大的下降。
关键词 激光辐照 HGCDTE光导探测器 红外探测器
在线阅读 下载PDF
激光辐照对长波HgCdTe光导探测器电学参数的影响 被引量:6
19
作者 朱克学 张赟 +2 位作者 李向阳 龚海梅 方家熊 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2002年第1期55-59,共5页
对长波HgCdTe光导探测器进行了低于其永久损伤阈值的变功率激光辐照 ,测量辐照前后器件的电阻 温度特性 ,用电阻 温度特性研究材料参数的方法对实验结果进行拟合 ,结果表明辐照后HgCdTe探测器件的组分变大 ,并由此计算得到探测器性能... 对长波HgCdTe光导探测器进行了低于其永久损伤阈值的变功率激光辐照 ,测量辐照前后器件的电阻 温度特性 ,用电阻 温度特性研究材料参数的方法对实验结果进行拟合 ,结果表明辐照后HgCdTe探测器件的组分变大 ,并由此计算得到探测器性能突变后 ,器件的电子迁移率与电子浓度均有一定程度减小。 展开更多
关键词 长波HgCdTe光导探测器 激光辐照 电学参数
在线阅读 下载PDF
低能离子束轰击碲镉汞制备pn结电学特性的研究 被引量:3
20
作者 陆慧庆 赵军 +2 位作者 李向阳 周咏东 方家熊 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期21-24,共4页
用低能离子束轰击工艺制备了3~5μm及8~10μm碲镉汞pn结,研究了它们的电流-电压及电容-电压特性,发现该pn结为缓变结,与通常认为的关于低能离子束轰击p型碲镉汞造成表面转型的机制主要是汞扩散的假说相符合.
关键词 离子束轰击 碲镉汞 PN结 电学特性 红外材料
在线阅读 下载PDF
上一页 1 2 5 下一页 到第
使用帮助 返回顶部