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三氨基胍系列含能化合物的研究进展被引量：9: 1; 作者敖国军刘振华 +2 位作者张同来杨利张建国《含能材料》 EI CAS CSCD 2008年第4期450-457,461,共9页; 三氨基胍是一种非叠氮类、富氮型、可燃性化合物,其系列含能化合物具有高的正生成焓、热稳定性好、氮含量高等特点。参考了53篇文献对三氨基胍盐及其配合物的结构特点、制备方法、理化性质、爆炸性能及其在含能材料中应用的最新研究成... 展开更多; 关键词有机化学三氨基胍三氨基胍盐三氨基胍配合物含能材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

(TAGH)_2(TNR)的合成、晶体结构及热分析(英文) 被引量：1: 2; 作者刘振华敖国军 +3 位作者张同来杨利张建国臧艳《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1155-1159,共5页; 合成了三氨基胍三硝基间苯二酚盐(TAGH)2(TNR)(TAG:三氨基胍;TNR:2,4,6-三硝基间苯二酚),并对其进行了元素分析及红外光谱表征.利用X射线单晶衍射分析测定了其晶体结构.该晶体属于单斜晶系,空间群为C2/c,晶体学数据为,a=2.2892(6)nm,b=1... 展开更多; 关键词三氨基胍三硝基间苯二酚晶体结构热分析; 在线阅读下载PDF 职称材料

(TAGH)ClO_4的结构、热力学及感度性能: 3; 作者齐书元张同来 +2 位作者敖国军张建国杨利《火炸药学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期35-39,共5页; 以三氨基胍和高氯酸为原料,合成了三胺基胍高氯酸盐(TAGH)ClO4)。利用X-射线单晶衍射仪测定了其晶体结构。结果表明,晶体属于单斜晶系,空间群为P2(1)/c,晶胞参数为a=1.0213(11)nm,b=1.4869(15)nm,c=1.0936(11)nm,β=102.91(2)°。... 展开更多; 关键词物理化学三胺基胍晶体结构热分析机械感度 (TAGH)ClO4; 在线阅读下载PDF 职称材料

数字隔离器用陶瓷外壳的隔离电压测试被引量：1: 4; 作者丁荣峥汤明川 +1 位作者敖国军史丽英《电子与封装》 2018年第A01期1-5,8,共6页; 数字隔离器提供许多电路正确工作所必需的信号隔离和电平转换，同时也要求数字隔离器防止用户使用中受到电击，保证基本人身安全。数字隔离器所用陶瓷外壳不宜采用GJBl420B-2011半导体集成电路外壳通用规范中的绝缘电阻：50％RH、500VD... 展开更多; 关键词数字隔离器隔离电压陶瓷小外形封装; 在线阅读下载PDF 职称材料

预氧化对DBC基板的影响及敷接机理研究被引量：1: 5; 作者敖国军张嘉欣耿春磊《电子与封装》 2014年第5期10-13,41,共5页; 随着绝缘栅双极型晶体管等功率器件的发展,对陶瓷敷铜基板(DBC)的需求越来越大。分别介绍了DBC基板的种类、结构,预氧化工艺对DBC基板的影响和敷接机理。用扫描电镜、X射线衍射等分析手段确定铜箔表面氧化后的物相成份,用X射线扫描确定... 展开更多; 关键词 DBC 敷接机理预氧化; 在线阅读下载PDF 职称材料

磁耦数字隔离器陶瓷封装技术研究被引量：4: 6; 作者敖国军廖小平杨兵《电子与封装》 2020年第8期11-16,共6页; 研究磁耦数字隔离器的陶瓷封装技术,分析了金丝球焊、硅铝丝楔焊经高温贮存后键合强度和键合失效模式的变化对可靠性的影响以及微变压器线圈压焊点的距离、腔体的压力、腔体里的气体种类对隔离电压的影响。研究结果表明,硅铝丝楔焊的可... 展开更多; 关键词封装隔离器击穿电压隔离电压可靠性; 在线阅读下载PDF 职称材料

倒装焊器件封装结构设计被引量：4: 7; 作者敖国军张国华 +1 位作者蒋长顺张嘉欣《电子与封装》 2013年第9期6-9,17,共5页; 倒装焊是今后高集成度半导体的主要发展方向之一。倒装焊器件封装结构主要由外壳、芯片、引脚(焊球、焊柱、针)、盖板(气密性封装)或散热片(非气密性封装)等组成。文章分别介绍外壳材料、倒装焊区、频率、气密性、功率等方面对倒装焊封... 展开更多; 关键词倒装焊封装结构气密性高频电路大功率; 在线阅读下载PDF 职称材料

CQFN封装可靠性研究被引量：8: 8; 作者蒋长顺敖国军 +1 位作者张嘉欣张顺亮《电子与封装》 2013年第8期17-19,共3页; 介绍了CQFN封装结构特点,指出了CQFN制造加工中热沉和外焊盘设计和加工是关键因素,需要进行特别的过程控制,并对加工中存在的热沉底部与陶瓷底面共面性控制、外焊盘电连接方式不同引起的相关可靠性问题进行了说明。对CQFN封装器件在板... 展开更多; 关键词 CQFN 热沉可靠性; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名三氨基胍系列含能化合物的研究进展被引量：9: 1; 作者敖国军刘振华张同来杨利张建国; 机构北京理工大学爆炸科学与技术国家重点实验室; 出处《含能材料》 EI CAS CSCD 2008年第4期450-457,461,共9页; 文摘三氨基胍是一种非叠氮类、富氮型、可燃性化合物,其系列含能化合物具有高的正生成焓、热稳定性好、氮含量高等特点。参考了53篇文献对三氨基胍盐及其配合物的结构特点、制备方法、理化性质、爆炸性能及其在含能材料中应用的最新研究成果进行了综述,为该类含能材料的研究和发展提供参考。; 关键词有机化学三氨基胍三氨基胍盐三氨基胍配合物含能材料; Keywords organic chemistry triaminoguandine triaminoguanidne salt triaminoguanidne coordination energetic materials; 分类号 TQ560.4 [化学工程—炸药化工]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名(TAGH)_2(TNR)的合成、晶体结构及热分析(英文) 被引量：1: 2; 作者刘振华敖国军张同来杨利张建国臧艳; 机构北京理工大学爆炸科学与技术国家重点实验室; 出处《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1155-1159,共5页; 基金国家自然科学基金委-中国工程物理研究院联合基金(10776002)资助项目; 文摘合成了三氨基胍三硝基间苯二酚盐(TAGH)2(TNR)(TAG:三氨基胍;TNR:2,4,6-三硝基间苯二酚),并对其进行了元素分析及红外光谱表征.利用X射线单晶衍射分析测定了其晶体结构.该晶体属于单斜晶系,空间群为C2/c,晶体学数据为,a=2.2892(6)nm,b=1.2802(3)nm,c=1.3661(4)nm,!=111.174(5)°,V=3.7333(16)nm3,Z=8.该化合物是由二个C(N2H3)3+与一个(C6HN3O8)2-相结合而成的离子型化合物.用差示扫描量热法、热重法和微商热重法研究了该化合物的热分解过程,研究结果表明,在10K·min-1的升温速率下,该化合物只有一个剧烈的放热分解过程,该过程发生在450.1-477.7K之间,且分解产物主要是气体产物.; 关键词三氨基胍三硝基间苯二酚晶体结构热分析; Keywords Triaminoguanidine 2,4,6-Trinitroresorcinol Crystal structure Thermal analysis; 分类号 O621.25 [理学—有机化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名(TAGH)ClO_4的结构、热力学及感度性能: 3; 作者齐书元张同来敖国军张建国杨利; 机构北京理工大学爆炸科学与技术国家重点实验室华东微电子技术研究所; 出处《火炸药学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期35-39,共5页; 基金国家自然科学基金-中国工程物理研究院联合基金资助(10776002); 文摘以三氨基胍和高氯酸为原料,合成了三胺基胍高氯酸盐(TAGH)ClO4)。利用X-射线单晶衍射仪测定了其晶体结构。结果表明,晶体属于单斜晶系,空间群为P2(1)/c,晶胞参数为a=1.0213(11)nm,b=1.4869(15)nm,c=1.0936(11)nm,β=102.91(2)°。该化合物的分子式为CH9ClN6O4是由三胺基胍离子和高氯酸根结合形成的离子化合物,分子中含有大量的氢键。利用元素分析、红外光谱、DSC、TG-DTG等方法对标题化合物的组成和热力学行为进行了表征,结果表明,在10℃/min线性升温速率下标题化合物在457.03℃时质量损失达到99.7%。感度实验结果表明,标题化合物具有较低的摩擦感度,在撞击和火焰作用下均不发火。; 关键词物理化学三胺基胍晶体结构热分析机械感度 (TAGH)ClO4; Keywords physical chemistry triaminoguandine crystal structure thermal analysis mechanical sensitivity （TAGH）ClO4; 分类号 O614.121 [理学—无机化学] TQ175.713 [化学工程—硅酸盐工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名数字隔离器用陶瓷外壳的隔离电压测试被引量：1: 4; 作者丁荣峥汤明川敖国军史丽英; 机构中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏省宜兴电子器件总厂有限公司无锡中微高科电子有限公司; 出处《电子与封装》 2018年第A01期1-5,8,共6页; 文摘数字隔离器提供许多电路正确工作所必需的信号隔离和电平转换，同时也要求数字隔离器防止用户使用中受到电击，保证基本人身安全。数字隔离器所用陶瓷外壳不宜采用GJBl420B-2011半导体集成电路外壳通用规范中的绝缘电阻：50％RH、500VDC施压持续时间2min、漏电流b≤50nA来控制，而应满足安全法规。分析在设备安全、元件认证等标准的基础上，实际测试记录了陶瓷外壳的各类击穿模式，对比了外壳击穿前后绝缘电阻的变化，并用于陶瓷外壳制造及封装工艺的设计和优化，实现了1．27mm节距CSOP16陶瓷外壳≥3500Vrms@50Hz、1min的电气安全标准要求，建立了陶瓷外壳隔离电压测试基本规范。; 关键词数字隔离器隔离电压陶瓷小外形封装; Keywords digital isolator isolation voltage CSOP; 分类号 TN305.94 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名预氧化对DBC基板的影响及敷接机理研究被引量：1: 5; 作者敖国军张嘉欣耿春磊; 机构无锡中微高科电子有限公司中国电子科技集团公司第; 出处《电子与封装》 2014年第5期10-13,41,共5页; 文摘随着绝缘栅双极型晶体管等功率器件的发展,对陶瓷敷铜基板(DBC)的需求越来越大。分别介绍了DBC基板的种类、结构,预氧化工艺对DBC基板的影响和敷接机理。用扫描电镜、X射线衍射等分析手段确定铜箔表面氧化后的物相成份,用X射线扫描确定敷接后界面空洞,并分析产生空洞的原因。用SEM观察界面的形貌并进行断面分析,用XRD和X-RAY分析界面产物的物相成份,从而确定DBC基板的敷接机理。; 关键词 DBC 敷接机理预氧化; Keywords direct bond copper bonding mechanism performed oxidation; 分类号 TN305.94 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名磁耦数字隔离器陶瓷封装技术研究被引量：4: 6; 作者敖国军廖小平杨兵; 机构中科芯集成电路有限公司无锡中微高科有限公司; 出处《电子与封装》 2020年第8期11-16,共6页; 文摘研究磁耦数字隔离器的陶瓷封装技术,分析了金丝球焊、硅铝丝楔焊经高温贮存后键合强度和键合失效模式的变化对可靠性的影响以及微变压器线圈压焊点的距离、腔体的压力、腔体里的气体种类对隔离电压的影响。研究结果表明,硅铝丝楔焊的可靠性更高;微变压器线圈压焊点的距离越大,腔体的压力越大,隔离电压越大;腔体内为电负性气体的隔离电压大于惰性气体。; 关键词封装隔离器击穿电压隔离电压可靠性; Keywords package isolator breakdown voltage isolation voltage reliability; 分类号 TN305.94 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名倒装焊器件封装结构设计被引量：4: 7; 作者敖国军张国华蒋长顺张嘉欣; 机构无锡中微高科电子有限公司; 出处《电子与封装》 2013年第9期6-9,17,共5页; 文摘倒装焊是今后高集成度半导体的主要发展方向之一。倒装焊器件封装结构主要由外壳、芯片、引脚(焊球、焊柱、针)、盖板(气密性封装)或散热片(非气密性封装)等组成。文章分别介绍外壳材料、倒装焊区、频率、气密性、功率等方面对倒装焊封装结构的影响。低温共烧陶瓷(LTCC)适合于高频、大面积的倒装焊芯片。大功率倒装焊散热结构主要跟功率、导热界面材料、散热材料及气密性等有关系。倒装焊器件气密性封装主要有平行缝焊或低温合金熔封工艺。; 关键词倒装焊封装结构气密性高频电路大功率; Keywords flip chip bonding package structure air-tightness high speed circuit high power; 分类号 TN305.94 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名CQFN封装可靠性研究被引量：8: 8; 作者蒋长顺敖国军张嘉欣张顺亮; 机构无锡中微高科电子有限公司; 出处《电子与封装》 2013年第8期17-19,共3页; 文摘介绍了CQFN封装结构特点,指出了CQFN制造加工中热沉和外焊盘设计和加工是关键因素,需要进行特别的过程控制,并对加工中存在的热沉底部与陶瓷底面共面性控制、外焊盘电连接方式不同引起的相关可靠性问题进行了说明。对CQFN封装器件在板级组装过程中存在的热应力、桥连等可靠性问题进行了分析,指出了CQFN外壳组装后的焊点检测困难和器件失效后的返工困难问题。CQFN封装具有良好的电特性和热特性、体积小、重量轻等优势,其应用呈快速增长趋势,文章为高速高频器件CQFN封装提供了参考。; 关键词 CQFN 热沉可靠性; Keywords CQFN heatsink reliability; 分类号 TN305.94 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	三氨基胍系列含能化合物的研究进展	敖国军刘振华张同来杨利张建国	《含能材料》 EI CAS CSCD	2008	9	在线阅读下载PDF 职称材料
2	(TAGH)_2(TNR)的合成、晶体结构及热分析(英文)	刘振华敖国军张同来杨利张建国臧艳	《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心	2008	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	(TAGH)ClO_4的结构、热力学及感度性能	齐书元张同来敖国军张建国杨利	《火炸药学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2009	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	数字隔离器用陶瓷外壳的隔离电压测试	丁荣峥汤明川敖国军史丽英	《电子与封装》	2018	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	预氧化对DBC基板的影响及敷接机理研究	敖国军张嘉欣耿春磊	《电子与封装》	2014	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	磁耦数字隔离器陶瓷封装技术研究	敖国军廖小平杨兵	《电子与封装》	2020	4	在线阅读下载PDF 职称材料
7	倒装焊器件封装结构设计	敖国军张国华蒋长顺张嘉欣	《电子与封装》	2013	4	在线阅读下载PDF 职称材料
8	CQFN封装可靠性研究	蒋长顺敖国军张嘉欣张顺亮	《电子与封装》	2013	8	在线阅读下载PDF 职称材料