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应用Monte Carlo方法对GaN基微型核电池的研究
被引量：
2
1
作者
笪凯
戴昌鸿
郭航
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2013年第7期11-14,17,共5页
应用Monte Carlo方法,建立了电子入射到半导体材料中的路径模型。基于此模型进行仿真,可以得到电子在半导体材料中的穿透深度和能量分布。对以同位素Ni—63为放射源的GaN基PN结微型核电池进行Monte Carlo分析,得出入射电子在GaN中的穿...
应用Monte Carlo方法,建立了电子入射到半导体材料中的路径模型。基于此模型进行仿真,可以得到电子在半导体材料中的穿透深度和能量分布。对以同位素Ni—63为放射源的GaN基PN结微型核电池进行Monte Carlo分析,得出入射电子在GaN中的穿透路径和能量分布,以确定入射电子在GaN中能量最集中的位置,将GaN基PN结的结深设置在该位置可以大幅提高收集效率,进而提高输出功率与能量转换效率。实验中,分别制备了结深为1000,450nm,放射源为Ni—63的GaN基微型核电池,测试结果验证了经优化结深为450 nm的微型核电池其电学输出性能有明显提高,能量转换效率达到了1.47%,输出功率达到了微瓦级。该结果可以为GaN基微型核电池的设计与制造提供有效的参考依据。
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关键词
MONTE
CARLO方法
穿透深度
能量分布
PN结深
微型核电池
Ni—63
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职称材料
题名
应用Monte Carlo方法对GaN基微型核电池的研究
被引量：
2
1
作者
笪凯
戴昌鸿
郭航
机构
厦门大学物理与机电工程学院
厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院
出处
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2013年第7期11-14,17,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(60976082
60936003)
航空科学基金资助项目(2008ZH68002)
文摘
应用Monte Carlo方法,建立了电子入射到半导体材料中的路径模型。基于此模型进行仿真,可以得到电子在半导体材料中的穿透深度和能量分布。对以同位素Ni—63为放射源的GaN基PN结微型核电池进行Monte Carlo分析,得出入射电子在GaN中的穿透路径和能量分布,以确定入射电子在GaN中能量最集中的位置,将GaN基PN结的结深设置在该位置可以大幅提高收集效率,进而提高输出功率与能量转换效率。实验中,分别制备了结深为1000,450nm,放射源为Ni—63的GaN基微型核电池,测试结果验证了经优化结深为450 nm的微型核电池其电学输出性能有明显提高,能量转换效率达到了1.47%,输出功率达到了微瓦级。该结果可以为GaN基微型核电池的设计与制造提供有效的参考依据。
关键词
MONTE
CARLO方法
穿透深度
能量分布
PN结深
微型核电池
Ni—63
Keywords
Monte Carlo method
penetration depth
energy distribution
depth of PN junction
betavohaicmicrobattery
Ni-63
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
应用Monte Carlo方法对GaN基微型核电池的研究
笪凯
戴昌鸿
郭航
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2013
2
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