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基于0.18μm工艺SOI技术60V LDMOS的设计与分析被引量：1: 1; 作者戚帆檀柏梅 +1 位作者翁坤宋雯《电子器件》 CAS 北大核心 2013年第2期139-142,共4页; 随着功率器件尺寸的不断缩小,绝缘体上硅技术所受的关注度日益增加。在0.18μm工艺条件下基于SOI技术,运用SILVACO公司的工艺仿真(Athena)和(Atlas)器件仿真模拟软件,完成了对60 V LDMOS的设计与分析,对不同沟道管宽度的器件进行研究,... 展开更多; 关键词绝缘体上硅 LDMOS 器件流片测试器件结构直流特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

STI应力对CMOS器件影响的模拟研究: 2; 作者宋雯檀柏梅戚帆《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第11期842-845,854,共5页; 浅沟槽隔离(STI)工艺由于具有制程温度低、无鸟嘴效应、表面平坦化好等优点而成为MOS器件的主要隔离技术。使用TCAD软件分别对采用65 nm工艺具有不同STI宽度(WSTI)的nMOS/pMOS器件进行了工艺和器件仿真。结果表明,当WSTI=0.2μm时,压应... 展开更多; 关键词浅沟槽隔离应力 TCAD软件版图设计器件建模; 在线阅读下载PDF 职称材料

SDN技术在运营商IP承载网中的应用实践被引量：5: 3; 作者戚帆《中国新通信》 2020年第9期85-86,共2页; 现阶段,IP化是我国运营商承载网络的实际情况,QOS端是IP承载网络及其集中、统计、复用、网管的优势及特点。在SDN技术中,其以智能控制、集中操控、开源技术为主,结合自身基本功能应用于运营商IP承载网络中,并通过在IP承载网络中的有效应... 展开更多; 关键词 SDN技术 IP承载网应用; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种网络规划中天线参数取值方法的研究: 4; 作者梁高光温正阳 +1 位作者戚帆李伟然《电信工程技术与标准化》 2015年第9期44-47,共4页; 介绍了一种LTE网络规划中天线参数取值的方法,能够快速有效地提高网络覆盖效果。该方法基于基站的地理位置信息,根据目标基站与相邻基站的相对位置计算出天线的各个参数,达到优化网络结构的效果。本文以某城市LTE规划为例进行了仿真比较... 展开更多; 关键词网络规划天线参数仿真; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于0.18μm工艺SOI技术60V LDMOS的设计与分析被引量：1: 1; 作者戚帆檀柏梅翁坤宋雯; 机构河北工业大学微电子技术与材料研究所福州大学福建省微电子集成电路重点研究室; 出处《电子器件》 CAS 北大核心 2013年第2期139-142,共4页; 基金天津市科技支撑计划项目(10ZCKFGX1300); 文摘随着功率器件尺寸的不断缩小,绝缘体上硅技术所受的关注度日益增加。在0.18μm工艺条件下基于SOI技术,运用SILVACO公司的工艺仿真(Athena)和(Atlas)器件仿真模拟软件,完成了对60 V LDMOS的设计与分析,对不同沟道管宽度的器件进行研究,并结合实际流片的测试结果,对器件直流性能进行了表征与分析,发现SOI器件无明显的由氧化埋层隔离作用所产生的显著影响器件性能的浮体效应和kink效应,实现了性能优良的小尺寸60 V LDMOS器件。; 关键词绝缘体上硅 LDMOS 器件流片测试器件结构直流特性; Keywords silicon-on-insulator LDMOS device tapeout test device structure DC characteristic; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名STI应力对CMOS器件影响的模拟研究: 2; 作者宋雯檀柏梅戚帆; 机构河北工业大学微电子技术与材料研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第11期842-845,854,共5页; 文摘浅沟槽隔离(STI)工艺由于具有制程温度低、无鸟嘴效应、表面平坦化好等优点而成为MOS器件的主要隔离技术。使用TCAD软件分别对采用65 nm工艺具有不同STI宽度(WSTI)的nMOS/pMOS器件进行了工艺和器件仿真。结果表明,当WSTI=0.2μm时,压应力值为-30 MPa;当WSTI=0.75μm时,压应力值为-136 MPa,沟道中的压应力随STI宽度的增加而逐渐变大;当WSTI从0.2μm增大到0.75μm时,nMOS的Idsat降低了约7.1%,pMOS的Idsat提高了约6.67%,即随着STI宽度的增加nMOS的Idsat降低,pMOS的Idsat增加。因此,在版图设计中,可以通过改变STI宽度的方法来提高器件的性能。另外,在器件模型中应考虑加入WSTI参数,以达到对电路性能更精确的仿真。; 关键词浅沟槽隔离应力 TCAD软件版图设计器件建模; Keywords STI stress TCAD software layout design device modeling; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SDN技术在运营商IP承载网中的应用实践被引量：5: 3; 作者戚帆; 机构中国移动通信集团设计院有限公司河北分公司; 出处《中国新通信》 2020年第9期85-86,共2页; 文摘现阶段,IP化是我国运营商承载网络的实际情况,QOS端是IP承载网络及其集中、统计、复用、网管的优势及特点。在SDN技术中,其以智能控制、集中操控、开源技术为主,结合自身基本功能应用于运营商IP承载网络中,并通过在IP承载网络中的有效应用,进一步发挥自身价值及其必要性,进而推动运营商未来网络架构的可持续发展。; 关键词 SDN技术 IP承载网应用; 分类号 TP393.0 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种网络规划中天线参数取值方法的研究: 4; 作者梁高光温正阳戚帆李伟然; 机构中国移动通信集团设计院有限公司河北分公司; 出处《电信工程技术与标准化》 2015年第9期44-47,共4页; 文摘介绍了一种LTE网络规划中天线参数取值的方法,能够快速有效地提高网络覆盖效果。该方法基于基站的地理位置信息,根据目标基站与相邻基站的相对位置计算出天线的各个参数,达到优化网络结构的效果。本文以某城市LTE规划为例进行了仿真比较,证明了此方法的可行性和有效性,提出的方法能够节省大量的时间和计算资源,可应用于连续覆盖区域的LTE网络规划和优化。; 关键词网络规划天线参数仿真; Keywords network planning antenna parameter simulation; 分类号 TN929.5 [电子电信—通信与信息系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料