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铝硅合金膜在MEMS电容式开关中的应用被引量：3: 1; 作者忻佩胜丁玲 +2 位作者石艳玲朱自强赖宗声《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第12期75-77,共3页; 对几种可用于ＭＥＭＳ电容式开关中的弹性薄膜材料进行了分析，含硅４％的轻质量铝合金具有较佳的性能。应用该弹性膜制备了微波ＭＥＭＳ电容式开关，实验结果表明，开关具有较低的激励电压，约为２８Ｖ，在１０ＧＨｚ处的隔离度大于１... 展开更多; 关键词 MEMS开关铝硅合金膜电容式开关微电子; 在线阅读下载PDF 职称材料

微机械微波/射频开关的制备和功能测量研究被引量：6: 2; 作者茅惠兵忻佩胜 +1 位作者胡梅丽赖宗声《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第11期11-14,共4页; 讨论了微机械微波/射频开关的原理、制备工艺和功能测试。微机械接触式微波/射频开关的基本结构是微波共平面波导,在制备工艺中首先考虑的是工艺兼容性,为此选择以PECVD生长的氮化硅为悬臂梁,聚酰亚胺为牺牲层。功能测试表明,该工艺制... 展开更多; 关键词功能测量微机械微波/射频开关悬臂梁共平面波导无线通信设备; 在线阅读下载PDF 职称材料

低电压驱动的硅基Ka波段级联式MEMS移相器被引量：4: 3; 作者石艳玲卿健 +3 位作者李炜忻佩胜朱自强赖宗声《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第12期1914-1916,共3页; 通过在共平面波导上周期性地分布微机械电容 ,外加电压驱动改变电容值 ,可实现级联式MEMS移相器 .本文讨论了优化相移特性对共平面波导特性阻抗及下拉电压的要求 ,通过工艺参数优化制备了高阻硅基上的Ka波段级联式MEMS移相器 ,测试结果... 展开更多; 关键词微机械移相器高阻硅驱动电压振动寿命 MEMS 共平面波导; 在线阅读下载PDF 职称材料

低阻硅基厚膜聚酰亚胺上共面波导的损耗特性被引量：5: 4; 作者李炜石艳玲 +2 位作者忻佩胜朱自强赖宗声《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期306-310,共5页; 制备了一种低阻硅基厚膜聚酰亚胺上的高性能共面波导传输线 ,并从理论上分析了传输线损耗的成因及其计算方法。聚酰亚胺膜厚 1 1 .5 μm的低阻硅 (0 .5 Ω·cm)上的共面波导传输线在 1 0 GHz下插入损耗为3 .5 d B/cm。然而 ,相同衬... 展开更多; 关键词共面波导插入损耗聚酰亚胺损耗特性大规模集成电路传输线; 在线阅读下载PDF 职称材料

微机械光调制器的制备及其在不同激励条件下的响应研究被引量：3: 5; 作者茅惠兵忻佩胜 +1 位作者柯菁华赖宗声《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期262-265,共4页; 本文主要讨论了具有机械式抗反射开关 (即MARS)结构的新型微机械光调制器 .MARS结构光调制器由表面微机械工艺制备 .测量结果表明 ,微机械光调制器有一系列的固有频率 .当器件被正弦信号激励时 ,其响应信号也是正弦信号 .当器件被方波... 展开更多; 关键词微电子机械系统光调制器激励条例响应; 在线阅读下载PDF 职称材料

电容式MEMS开关中弹性膜应力对驱动电压的影响被引量：3: 6; 作者李炜石艳玲 +2 位作者忻佩胜朱自强赖宗声《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期514-519,共6页; 详细分析了多种参数对 MEMS电容式开关驱动电压的影响 ,包括材料选取和工艺参数变化 ,并对驱动电压理论值进行计算。利用表面微机械加工技术在硅衬底上实现了电容式开关 ,测试结果表明采用 Al0 .96 Si0 .0 4弹性膜和厚胶牺牲层工艺能获... 展开更多; 关键词电容式MEMS开关弹性膜驱动电压微电子机械系统铝硅弹性膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

Si/SiO_2系统电荷对高阻硅基CPW传输损耗的影响被引量：1: 7; 作者徐钰石艳玲 +5 位作者沈迪胡红梅忻佩胜朱荣锦刘赟蒋菱《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期221-225,共5页; 通过高频C-V测试得到实验制备的共平面波导(CPW)下方的Si/SiO2系统电荷主要表现为正电荷,其密度约为4.8×1010/cm2。三种不同衬底上50Ω共平面波导分别为直接制备于高阻硅上、高阻硅氧化层上、去除信号线与地线间的高阻硅氧化层上。... 展开更多; 关键词共平面波导硅/二氧化硅系统电荷高阻硅衬底; 在线阅读下载PDF 职称材料

SWNT随机网络TFT输出特性的仿真及实验验证: 8; 作者王佐奉王莎 +3 位作者郭奥胡少坚忻佩胜石艳玲《微纳电子技术》北大核心 2016年第3期146-150,182,共6页; 为了准确表征单壁碳纳米管(SWNT)随机网络薄膜晶体管(TFT)的输出特性,采用蒙特卡罗方法实现对沟道区域SWNT随机分布情况的仿真,并且通过在弹道输运模型中引入与栅压相关的拟合参数α(Vg)拟合碳管间、碳管与金属电极间接触的影响,最终获... 展开更多; 关键词薄膜晶体管(TFT) 蒙特卡罗方法输出特性随机网络单壁碳纳米管(SWNT); 在线阅读下载PDF 职称材料

题名铝硅合金膜在MEMS电容式开关中的应用被引量：3: 1; 作者忻佩胜丁玲石艳玲朱自强赖宗声; 机构华东师范大学信息科学技术学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第12期75-77,共3页; 基金国家973项目<集成微光机电系统研究>(G1999033105) 国家自然科学基金(69876012) 国家杰出青年基金(6; 文摘对几种可用于ＭＥＭＳ电容式开关中的弹性薄膜材料进行了分析，含硅４％的轻质量铝合金具有较佳的性能。应用该弹性膜制备了微波ＭＥＭＳ电容式开关，实验结果表明，开关具有较低的激励电压，约为２８Ｖ，在１０ＧＨｚ处的隔离度大于１５ｄＢ。; 关键词 MEMS开关铝硅合金膜电容式开关微电子; Keywords RF MEMS switch； AlSi alloy coplanar waveguide(CPW); 分类号 TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学] TP271.4 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名微机械微波/射频开关的制备和功能测量研究被引量：6: 2; 作者茅惠兵忻佩胜胡梅丽赖宗声; 机构华东师范大学电子科学技术系; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第11期11-14,共4页; 基金上海市AM基金(9810) 国家"973"项目(G1999033105)资助。; 文摘讨论了微机械微波/射频开关的原理、制备工艺和功能测试。微机械接触式微波/射频开关的基本结构是微波共平面波导,在制备工艺中首先考虑的是工艺兼容性,为此选择以PECVD生长的氮化硅为悬臂梁,聚酰亚胺为牺牲层。功能测试表明,该工艺制备的微机械开关的执行电压只有25V,优于同类微机械开关的指标,同时它具有良好的响应特性。; 关键词功能测量微机械微波/射频开关悬臂梁共平面波导无线通信设备; Keywords MEMS MW/RF switches cantilever coplanar wave guide; 分类号 TN92 [电子电信—通信与信息系统] TN63 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名低电压驱动的硅基Ka波段级联式MEMS移相器被引量：4: 3; 作者石艳玲卿健李炜忻佩胜朱自强赖宗声; 机构华东师范大学电子科学技术系; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第12期1914-1916,共3页; 基金国家973项目集成微光机电系统研究(No.G1 9990 331 0 5) 国家自然科学基金(No .698760 1 2 ) +2 种基金国家杰出青年基金(No.6997540 9) 上海市重点学科项目(No.0 1 2 2 61 0 2 8); 文摘通过在共平面波导上周期性地分布微机械电容 ,外加电压驱动改变电容值 ,可实现级联式MEMS移相器 .本文讨论了优化相移特性对共平面波导特性阻抗及下拉电压的要求 ,通过工艺参数优化制备了高阻硅基上的Ka波段级联式MEMS移相器 ,测试结果表明制备器件具有较低的驱动电压 ,8V时即产生明显的相移量 ,在 36GHz处 15V驱动电压时相移量为 118°,2 5V时为 2 86°.对微结构弹性膜的机械振动寿命测试表明 ,13级级联的MEMS移相器所有弹性膜同步振动的寿命为 3× 10 6次 .为器件的实用化提供了重要保障 .; 关键词微机械移相器高阻硅驱动电压振动寿命 MEMS 共平面波导; Keywords MEMS phase shifter high resistivity silicon pull down voltage lifetime; 分类号 TN623 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名低阻硅基厚膜聚酰亚胺上共面波导的损耗特性被引量：5: 4; 作者李炜石艳玲忻佩胜朱自强赖宗声; 机构华东师范大学电子科学技术系; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期306-310,共5页; 基金国家 973项目<集成微光机电系统研究>(G19990 3 3 10 5 ) 国家自然科学基金 (698760 12 ) +3 种基金国家杰出青年基金(69975 40 9) 上海市重点学科项目 (2 0 0 1年 )的资助; 文摘制备了一种低阻硅基厚膜聚酰亚胺上的高性能共面波导传输线 ,并从理论上分析了传输线损耗的成因及其计算方法。聚酰亚胺膜厚 1 1 .5 μm的低阻硅 (0 .5 Ω·cm)上的共面波导传输线在 1 0 GHz下插入损耗为3 .5 d B/cm。然而 ,相同衬底上 ,无聚酰亚胺膜的共面波导传输线在 1 0 GHz下插入损耗为 5 0 d B/cm,损耗特性明显比前者差。测试结果表明聚酰亚胺层的介入能有效地改善传输线的损耗特性 ,且损耗随着聚酰亚胺膜厚的增加而降低。; 关键词共面波导插入损耗聚酰亚胺损耗特性大规模集成电路传输线; Keywords coplanar waveguide ins ert loss polyimide; 分类号 TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名微机械光调制器的制备及其在不同激励条件下的响应研究被引量：3: 5; 作者茅惠兵忻佩胜柯菁华赖宗声; 机构华东师范大学电子科学技术系; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期262-265,共4页; 基金国家 973基金 (No .G1 9990 331 0 5); 文摘本文主要讨论了具有机械式抗反射开关 (即MARS)结构的新型微机械光调制器 .MARS结构光调制器由表面微机械工艺制备 .测量结果表明 ,微机械光调制器有一系列的固有频率 .当器件被正弦信号激励时 ,其响应信号也是正弦信号 .当器件被方波信号激励时 ,响应信号和激励频率有关 .当激励方波频率远低于器件固有频率时 ,器件响应实际上是对上下两个阶跃信号的响应 :出现明显的阻尼振荡效应 .当激励频率在固有频率附近时 ,器件实际只对方波的基频效应; 关键词微电子机械系统光调制器激励条例响应; Keywords Fabrication Measurements Microelectromechanical devices Natural frequencies Signal processing; 分类号 TN761 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名电容式MEMS开关中弹性膜应力对驱动电压的影响被引量：3: 6; 作者李炜石艳玲忻佩胜朱自强赖宗声; 机构华东师范大学电子科学技术系; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期514-519,共6页; 基金国家 973项目<集成微光机电系统研究>(G19990 3 3 10 5) 国家自然科学基金 (698760 12 ) +3 种基金国家杰出青年基金(6997540 9) 上海市重点学科项目 (2 0 0 1年 )的资助; 文摘详细分析了多种参数对 MEMS电容式开关驱动电压的影响 ,包括材料选取和工艺参数变化 ,并对驱动电压理论值进行计算。利用表面微机械加工技术在硅衬底上实现了电容式开关 ,测试结果表明采用 Al0 .96 Si0 .0 4弹性膜和厚胶牺牲层工艺能获得适中的剩余应力释放 ,微桥应力约为 10 6 N/m2 ,这为获得较低的开关驱动电压提供了可能。对长 1m m的 MEMS开关 ,当弹性膜厚为 0 .5μm,桥高为 3μm、桥宽为 30 μm、桥长为 2 50 μm时获得了 2 5V的驱动电压 ,S参数测试表明该电容式开关 1～ 4 0 GHz频段内的插入损耗低于 1d B。; 关键词电容式MEMS开关弹性膜驱动电压微电子机械系统铝硅弹性膜; Keywords MEMS capacitive switch actuation voltage AlSi springs membra ne; 分类号 TM564 [电气工程—电器] TH-39 [机械工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Si/SiO_2系统电荷对高阻硅基CPW传输损耗的影响被引量：1: 7; 作者徐钰石艳玲沈迪胡红梅忻佩胜朱荣锦刘赟蒋菱; 机构华东师范大学信息学院电子系; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期221-225,共5页; 基金国家自然科学基金(No.60306012) 上海市科委启明星计划(04QMX1419) 上海应用材料研究与发展基金(0522)等项目资助; 文摘通过高频C-V测试得到实验制备的共平面波导(CPW)下方的Si/SiO2系统电荷主要表现为正电荷,其密度约为4.8×1010/cm2。三种不同衬底上50Ω共平面波导分别为直接制备于高阻硅上、高阻硅氧化层上、去除信号线与地线间的高阻硅氧化层上。20GHz时,测得上述三种CPW的微波传输损耗分别为-0.88dB、-2.50dB及-1.06dB,因此去除线间氧化层使得传输线损耗降低了1.44dB。此外还测试了高阻硅氧化层和除去线间氧化层的高阻硅氧化层上的两种CPW的传输损耗随外加偏压的变化。; 关键词共平面波导硅/二氧化硅系统电荷高阻硅衬底; Keywords coplanar waveguide（CPW） Si/SiO_2 system charges HR-Si substrate; 分类号 TN252 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SWNT随机网络TFT输出特性的仿真及实验验证: 8; 作者王佐奉王莎郭奥胡少坚忻佩胜石艳玲; 机构华东师范大学信息科学技术学院上海集成电路研发中心有限公司; 出处《微纳电子技术》北大核心 2016年第3期146-150,182,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61574056) 上海市自然科学基金资助项目(14ZR1412000); 文摘为了准确表征单壁碳纳米管(SWNT)随机网络薄膜晶体管(TFT)的输出特性,采用蒙特卡罗方法实现对沟道区域SWNT随机分布情况的仿真,并且通过在弹道输运模型中引入与栅压相关的拟合参数α(Vg)拟合碳管间、碳管与金属电极间接触的影响,最终获得SWNT随机网络TFT输出特性的仿真结果。实验中,以溶液浸泡法制备SWNT薄膜作为TFT沟道材料,以与传统工艺兼容的淀积、刻蚀等步骤制备了TFT,并进行了器件输出特性的测试。实验验证表明,沟道宽度为50μm、长度为10μm TFT的输出特性测试数据与仿真拟合的误差仅为5.6%。此仿真方法能较准确地描写SWNT随机网络TFT的输出特性,通过对蒙特卡罗仿真参数的调整,能预测薄膜晶体管跨导随几何尺寸的变化。; 关键词薄膜晶体管(TFT) 蒙特卡罗方法输出特性随机网络单壁碳纳米管(SWNT); Keywords thin-film transistor（TFT） Monte Carlo method output characteristic random network single-wall carbon nanotube（SWNT）; 分类号 TN321.5 [电子电信—物理电子学] TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	铝硅合金膜在MEMS电容式开关中的应用	忻佩胜丁玲石艳玲朱自强赖宗声	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2001	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	微机械微波/射频开关的制备和功能测量研究	茅惠兵忻佩胜胡梅丽赖宗声	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2002	6	在线阅读下载PDF 职称材料
3	低电压驱动的硅基Ka波段级联式MEMS移相器	石艳玲卿健李炜忻佩胜朱自强赖宗声	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2003	4	在线阅读下载PDF 职称材料
4	低阻硅基厚膜聚酰亚胺上共面波导的损耗特性	李炜石艳玲忻佩胜朱自强赖宗声	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2003	5	在线阅读下载PDF 职称材料
5	微机械光调制器的制备及其在不同激励条件下的响应研究	茅惠兵忻佩胜柯菁华赖宗声	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2002	3	在线阅读下载PDF 职称材料
6	电容式MEMS开关中弹性膜应力对驱动电压的影响	李炜石艳玲忻佩胜朱自强赖宗声	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2003	3	在线阅读下载PDF 职称材料
7	Si/SiO_2系统电荷对高阻硅基CPW传输损耗的影响	徐钰石艳玲沈迪胡红梅忻佩胜朱荣锦刘赟蒋菱	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2007	1	在线阅读下载PDF 职称材料
8	SWNT随机网络TFT输出特性的仿真及实验验证	王佐奉王莎郭奥胡少坚忻佩胜石艳玲	《微纳电子技术》北大核心	2016	0	在线阅读下载PDF 职称材料