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题名纳米硅粒子的表面氧化及其光致发光特性
被引量：2
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作者
于威
徐焕钦
徐艳梅
王新占
路万兵
傅广生
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机构
河北大学物理科学与技术学院
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第4期347-352,共6页
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基金
国家自然科学基金(60878040
60940020)资助项目
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文摘
采用射频等离子体增强化学气相沉积技术制备了纳米晶硅粒子,并对其溶液发光的稳态和瞬态特性进行了研究。稳态光致发光结果显示,新制备的纳米硅粉体表现为峰值位于440 nm附近的蓝色发光,经长时间氧化后,该波段发光强度显著增强,并且出现另一峰值位于750 nm附近的红色发光带。不同波长激发和时间分辨光致发光谱的分析表明,纳米硅粒子蓝色发光归因于粒子内部载流子的带-带跃迁过程,衰减时间在纳秒量级,氧化造成该波段发光衰减时间常数增加。氧化后出现的红色发光来源于载流子经由表面缺陷态的辐射复合,该发光衰减寿命微秒量级。
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关键词
纳米硅粒子
射频等离子体增强化学气相沉积
光致发光
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Keywords
silicon nanoparticle
radio-frequency plasmas-enhanced chemical vapor deposition
photoluminescence
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分类号
O469
[理学—凝聚态物理]
O482.31
[理学—固体物理]
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